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上周的英特爾投資者日上，英特爾方面透露了公司 10nm 芯片一再延期的原因，并宣稱將于 2021 年發(fā)布 7nm GPU（詳見雷鋒網(wǎng)此前報(bào)道）。歐億平臺(tái) 然而，就在近日的 SFF（Samsung Foundry Forum）美國分會(huì)上，三星表示，該公司也將在 2021 年推出一款突破性的產(chǎn)品——這款產(chǎn)品基于 3nm GAA（gate all around）工藝；性能提高 35%，功耗降低了 50%，芯片面積縮小 45%。 三星公布的這一消息引起了轟動(dòng)，畢竟英特爾 10nm 還沒量產(chǎn)，三星的 3nm 就要來了。 3nm 要靠 GAA 技術(shù)來實(shí)現(xiàn)
雷鋒網(wǎng)注：圖片來自 CNET 幾十年來，晶體管一直是處理器的基本組成部分，而縮小晶體管的體積則是衡量芯片進(jìn)步的關(guān)鍵因素。但近年來，芯片行業(yè)一直難以克服極端小型化帶來的挑戰(zhàn)。 三星的新產(chǎn)品集成了 GAA 技術(shù)，能夠?qū)π酒诵木w管進(jìn)行重新設(shè)計(jì)和改造，使其更小更快。 其實(shí)，在早期的設(shè)計(jì)中，芯片電路中的電流一直由通道頂部的“閘門”來控制，但 GAA 不同——這種技術(shù)利用特定的材料將整個(gè)電流通道包裹起來，類似于一種 3D 結(jié)構(gòu)，比之前的“閘門”復(fù)雜得多。 一些人設(shè)想 GAA 晶體管通道是一種叫做納米線的小圓柱體，但是三星的設(shè)計(jì)使用了一種叫做納米片的平坦通道。 國際商業(yè)戰(zhàn)略咨詢公司的 CEO Handel Jones 說：
三星代工業(yè)務(wù)營銷副總裁 Ryan Lee 也在本次大會(huì)上表示，GAA 將標(biāo)志著三星代工業(yè)務(wù)進(jìn)入一個(gè)全新的時(shí)代；而三星的新產(chǎn)品也有望成為其與英特爾和臺(tái)積電競爭過程中的關(guān)鍵一步。 三星 3nm 的工藝路線圖
在本次的 SFF 上，三星表示，第一批 3nm 芯片針對(duì)智能手機(jī)以及其他移動(dòng)設(shè)備，將于 2020 年進(jìn)行測試，2021 年量產(chǎn)。而對(duì)于性能要求更高的芯片，如圖形處理器和數(shù)據(jù)中心的 AI 芯片，將于 2022 年到來。 英特爾和臺(tái)積電目前沒有對(duì)此事置評(píng)。 迄今為止，三星制造的芯片已經(jīng)可以使用 7nm 工藝；但它也沒有止步于此，仍在持續(xù)不斷地對(duì) 7nm 進(jìn)行改進(jìn)，將電路縮小到 6nm，5nm，甚至 4nm；不過，三星現(xiàn)階段的最終目標(biāo)是利用 GAA 技術(shù)將電路縮小到 3nm。 Ryan Lee 也對(duì)三星芯片的未來作了預(yù)測：
不得不承認(rèn)，Ryan Lee的預(yù)測確實(shí)十分大膽，不過從實(shí)際情況來看，芯片制造商幾十年來一直在擔(dān)心芯片小型化過程中會(huì)遇到的障礙。 就像人們曾經(jīng)將芯片制程從 0.13 微米改稱為 130 納米一樣，人們現(xiàn)在突破了極限；或許在將來，芯片廠商們會(huì)向更微小的單位進(jìn)軍，比如皮米（微微米）。 3nm 成本可能讓人卻步 三星多年來一直在生產(chǎn)芯片，但在 2017 年，為了除三星電子以外的客戶，該公司將旗下的代工部門拆分為單獨(dú)的業(yè)務(wù)。因此，像高通這樣的公司開始和三星合作，并依靠三星制造了驍龍 730 和驍龍 730 G 芯片。 在處理器制造的輝煌時(shí)期，新一代技術(shù)將帶來更小、更快的芯片，而不會(huì)增加功耗。如今，這三種好處很難兼得。 不過，客戶在選擇三星的 3nm 工藝時(shí)仍然會(huì)猶豫，因?yàn)樗苜F。就像三星的 5nm 芯片比目前的 7nm 稍貴一些一樣，3nm 在定價(jià)時(shí)也會(huì)比 5nm 更貴。 不過，相關(guān)負(fù)責(zé)人對(duì) 3nm 的前景感到樂觀，他表示成本正在逐步下降。 雷鋒網(wǎng)注：本文編譯自 CNET |
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