集微網(wǎng)（文/Kelven）2019年是5G技術(shù)被廣大消費(fèi)者熟知、接觸的一年。今年年初，三星發(fā)布了第一款5G商用手機(jī)Galaxy S10 5G版，率先為消費(fèi)者提供了能感受5G網(wǎng)絡(luò)的終端產(chǎn)品。

三星為什么能這么快提供5G產(chǎn)品，這與其在5G技術(shù)上研發(fā)與升級(jí)所做得工作努力有關(guān)，近日在三星5G技術(shù)論壇上，其向集微網(wǎng)分享了三星在5G時(shí)代方面的技術(shù)信息，接下來(lái)為大家解讀三星在5G有哪些技術(shù)升級(jí)。

自研5G芯片與3nm明年要來(lái)了

2019年9月初，三星電子發(fā)布了旗下首款集成5G的芯片Exynos 980。這款芯片采用8nm工藝制程，將5G通信調(diào)制解調(diào)器與高性能移動(dòng)AP（Application Processor）合二為一。在剛剛過(guò)去的 “三星晶圓代工論壇”SFF會(huì)議中，三星再次公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，集微網(wǎng)了解到，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)。

據(jù)三星5G研發(fā)技術(shù)人員表示，在3nm節(jié)點(diǎn)，三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管，官方稱之為3GAE工藝?；谌碌腉AA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

除此之外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少百分之四十五，功耗降低百分之五十，性能提升百分之三十五。在工藝進(jìn)度上，三星今年4月份已經(jīng)在韓國(guó)華城的S3 Line工廠生產(chǎn)7nm芯片，今年內(nèi)預(yù)計(jì)完成4nm工藝開發(fā)，2020年預(yù)計(jì)完成3nm工藝開發(fā)。

端到端的5G解決方案

在5G時(shí)代，三星無(wú)論是從技術(shù)、產(chǎn)品方面都屬于第一梯隊(duì)，具體優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在以下幾點(diǎn)：第一、在專利方面，三星的5G專利儲(chǔ)備豐富；第二、在3GPP工作組，三星先后共有12位主席或副主席；第三、在毫米波技術(shù)的押注、研發(fā)投入上，三星測(cè)試的毫米波覆蓋情況視距覆蓋超過(guò)1km，非視距覆蓋達(dá)到數(shù)百米，同時(shí)可以在城市密集區(qū)域和現(xiàn)有4G基站進(jìn)行共站使用。

目前三星有三款芯片，Modem、電源芯片、射頻芯片，并且均已做好量產(chǎn)準(zhǔn)備；網(wǎng)絡(luò)設(shè)備方面包含5G基站、5G路由器（室內(nèi)、室外）等。三星在5G市場(chǎng)提供的端到端產(chǎn)品服務(wù)包含了：端到端的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備射頻芯片、終端芯片、終端、無(wú)線網(wǎng)、核心網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃軟件等方面。

相信在未來(lái)的5G時(shí)代里，三星已經(jīng)做好準(zhǔn)備，讓我們期待新技術(shù)的來(lái)臨。（校對(duì)/Kittykwoon）