電鍍液的電流效率:陰極上的主反應與副反應關 鍵 詞:電鍍液,電流,效率,陰極,主反應,副反應 作 者: 內 容:
1 陰極上的主反應
電鍍時通入電流,是要在作為陰極的工件上電沉積所需要的鍍層組分,即希望主鹽金屬離子放電還原為金屬原子,最終形成符合要求的電鍍層。故一般僅將主鹽金屬離子的還原反應視為主反應。如鍍鋅是Zn2++2e-→Zn,鍍銅是Cu2++2e-→Cu,鍍鉻是Cr2O2-7+ 14H++ 12e-→2Cr + 7H20,鍍鎳鐵合金是Ni2++ 2e-→Ni及Fe2++ 2e-→Fe,等等。對帶n個正電荷的金屬離子Men+而言,一般還原反應的通式為:
Men++ ne-→Me。
事實上,金屬離子并非均以簡單離子的形式存在,因而實際反應要復雜些,如絡離子的破絡、多價金屬離子的分步還原等。主反應是我們希望在陰極上發(fā)生的還原反應。
2 陰極上的副反應
實際在陰極上除了發(fā)生主反應之外,或多或少會發(fā)生一些多數(shù)情況下我們不希望的其他反應,這些統(tǒng)稱為副反應。
2.1 氫離子的還原
氫離子H+還原,最終生成氫氣:
2H++2e-→H2↑。
這是一個最易發(fā)生的主要副反應。多數(shù)情況下該反應都有害:
(1)降低了電源所供電流的利用效率。
(2)氫氣泡附著在工件表面而不能及時逸出時,鍍層會產生氣體針孔、麻點。
(3)由于氫氣分子的體積小,易滲入基體材料,使其產生脆性(專稱為“氫脆”),甚至產生“氫致延遲斷裂”。
(4)滲入基體的氫氣富集時產生很大的壓力,使鍍層在存放一段時間后起小泡。
(5)引起鍍層缺陷,最常見的是高電流密度區(qū)鍍層結晶粗糙、疏松、燒焦。
(6)裝掛不恰當時,產生的氫氣使工件內部局部“窩氣”,無法形成鍍層。
少數(shù)情況下人們也利用析氫副反應。H+被還原為H原子而尚未結合成H2分子時形成所謂的“活性氫原子”,具有很強的還原能力,可以還原金屬表面的氧化(鈍化)層,使其活化。例如無氰堿銅預鍍的“閃鍍銅”與不銹鋼閃鍍鎳都要求大量析氫,以提高鍍層與基體的結合力;鉻上再鍍鉻采用“階梯升電法”使原鉻層析氫活化,二次鉻鍍在活化了的鉻層上就不會發(fā)灰。由此可見,析氫可起到電解活化的作用。
2.2 多價金屬離子的不完全還原
多價金屬離子在陰極上未得到足夠的電子還原為金屬原子時,所生成的低價金屬離子在許多情況下都有害。例如:無氰鍍銅時二價銅離子被還原為有害的一價銅,即Cu2++ e-→Cu+;六價鉻鍍鉻時生成過多有害的三價鉻,即Cr202-7+ 14H++ 6e-→2Cr3++ 7H20。
2.3 有機添加劑的電解還原
有機添加劑在陰極上的還原有好處也有害處。第五講提到過整平劑整平原理的“擴散消耗型理論”,整平就需要整平劑在陰極上電解還原消耗。當整平劑被還原而消耗之后,陰極表面的整平劑濃度降低了,而鍍液本體的整平劑濃度高。在“濃度場力”的作用下,鍍液本體的整平劑向陰極表面擴散。由于擴散速度所限,微觀凹下部分的擴散補充比其他地方慢,整平劑在微觀凹下處所形成的吸附阻擋膜比其他部分薄,對金屬離子的放電阻化作用小,因此金屬離子更易在凹下部分放電,凹下部分的金屬沉積量就大于其他部位,最后起到微觀正整平作用。
鍍鎳層的活性(耐蝕性)與鎳層的含硫量有關:含硫量越高,活性越高,越易受腐蝕。由于鋼鐵件上能單層鎳是陰極性鍍層,不具有電化學防腐蝕能力,人們發(fā)明了鍍多層鎳。雙層鎳是在半光亮鎳上鍍亮鎳。在半光亮鎳鍍液中不允許加入含硫添加劑,要求整平性好,半光亮鎳鍍層厚度為亮鎳層厚度的2倍;亮鎳液中則加入適量含硫添加劑,利用電鍍時添添加劑在陰極的還原副反應,使亮鎳層中含有適量的硫,其活性大于半光亮鎳。如此一來,在發(fā)生電化學腐蝕時,亮鎳層因含硫,相對于半光亮鎳層而言是陽極性鍍層,亮鎳層先被腐蝕而保護了半光亮鎳層,改變了單層鎳的純陰極性鍍層的性質。測定兩層鎳之間的電位差,要求亮鎳層比半光亮鎳層負l20 mV以上。假若在雙層鎳之間再鍍一層很薄(厚度0.25~1.00 gm,標準的是D.75μm)、含硫量更高(一般含硫0.15%~0.30%,標準的是0.15%)的“高硫鎳”,則成為三層鎳體系。發(fā)生電化學腐蝕時,高硫鎳層對亮鎳層而言是陽極性鍍層,優(yōu)先發(fā)生橫向腐蝕。盡管高硫鎳層很薄,但其作用明顯:(1)大大提高了整個鍍層體系的耐蝕性,與雙層鎳相比,達到同樣耐蝕性時的總鎳厚度可減薄約5μm;(2)無需嚴格要求半光亮鎳與亮鎳的厚度之比為2:1。
以上是添加劑還原副反應有用的例子。但當有機添加劑的還原產物不能及時脫附而被夾雜在鍍層中時,鍍層脆性加大。鍍液中有機還原產物積累越多,陂層的脆性越大。為此,要設法去除。去除有機雜質觀仍多采用活性炭吸附。使用活性炭應注意以下幾點:
(1)當有機物分子的體積大于活性炭微孔的孔徑對,微孔被封閉而物理吸附能力很差。故對亮鎳液、、光亮酸銅液等要先加溫并加入雙氧水、高錳酸鉀等氧化劑(酸銅液只能用雙氧水),將有機大分子氧化分解為小分子,以利于活性炭吸附。
(2)活性炭并非萬能,對某些有機物無法吸附。冽如第二代亮鎳次級光亮劑1,4-丁炔二醇的還原產物1,4-丁二醇就不被活性炭所吸附,積累后造成亮鎳層限脆。這是其被淘汰的重要原因之一。
(3)活性炭的使用效果與pH、液溫、攪拌、時間等條件有關。例如20世紀70年代全國組織無氰低鉻電鍍攻關時發(fā)現(xiàn),一般在微酸性條件下可用的活性炭用于鋅酸鹽鍍鋅液卻幾乎無效,后專門委托河北涉縣活性炭廠研制了一種牌號為LH-02的鋅酸鹽鍍鋅專用活性炭。即使標稱為“電鍍級”的活性炭,對于某一具體工藝是否適用,也應以實驗作為依據(jù)?;钚蕴恳话銉H為無鍵合作用的物理吸附,是可逆的,即被吸附物可脫附出來。因此吸附處理后,一般幾小時內應過濾。濾出的活性炭若無法或未經再生處理時,不能再次使用。
(4)活性炭品種繁多,物理、化學特征各異,用途不同,雜質含量相差很大。例如用于廢水處理的米粒大小的柱狀體活性炭,就不適用于電鍍。細粉狀活性炭的比表面積大,但難以徹底過濾,尤其不能用于黏度大的鋅酸鹽堿性鍍鋅液。含氯化鋅多的活性炭(在活性炭生產中,ZnCl2有時用作催化致孔劑)用于硫酸鹽光亮酸銅液會引入過多氯離子,而處理后再除氯則很麻煩。所以,一是不宜圖價格便宜,二是要先做試驗,確定效果好后再用于生產液的處理。生產實踐中因亂用活性炭造成的事故不少,應予以高度重視。
2.4 雜質金屬離子的還原
雜質金屬離子的還原共沉積也是難免的副反應。如鍍鎳液的銅雜質還原會使低電流密度區(qū)鍍層不亮、發(fā)黃,甚至發(fā)黑?,F(xiàn)代出現(xiàn)了不少“除雜水”之類的助劑,多數(shù)是靠改變雜質離子的析出電位,使其能與·鍍層金屬離子共沉積而及時還原去除。但應注意它們也只能在雜質含量很少時起作用,故應經常加入才不至于使雜質沉積顯示出對鍍層的不良影響,同時應考察其積累后是否會產生其他壞作用。當雜質超過一定濃度,或因加錯材料、卒bDl:i了不良材料而一次性突發(fā)大量雜質產生時,除雜水之類助劑也解決不了問題,應考慮采用化學法或電解法專門大處理除雜。
用電解法除雜時,首先要考慮雜質的析出電位。當雜質的析出電位較負(如氯化鉀鍍鋅液中的鐵雜質)時,需用較大的陰極電流密度電解,但鍍層金屬損失過大。誤加有機添加劑過多時,大電流電解是很不劃算的。因此,電解除雜只適用于析出電位較正的金屬雜質的小電流電解。電解除雜還有一些問題值得討論,此處以價格較貴的鍍鎳液中的銅雜質電解處理為例。
(1)采用平板陰極還是瓦楞形陰極為好?過去多主張用瓦楞形陰極電解,原因是其凸楞與凹下部分的電流密度相差很大,可在較寬電位范圍內同時電解去除不同析出電位的雜質。但現(xiàn)今鎳價很高,瓦楞形陰極上會沉積消耗大量的鎳而造成很大浪費。采用平板陰極,以小的陰極電流密度(0.01~0.10 A/dm2),使電解時板面呈暗黑色,則析出物主要是銅雜質,這比采用瓦楞形陰極電解要劃算得多。
(2)靜置電解好還是攪拌電解好?不少單班制生產單位,白天加工生產,晚上掛板小電流靜置電解。必須指出,鍍液在靜止的情況下進行電解,處理效果是非常差的,其原因很易分析:溶液中Cu2+的濃度比主鹽Ni2+的濃度低很多。靜置電解時,電解板表面液層中Cu2+析出后,鍍液深處的Cu2+雜質只能借擴散作用來補充。由于cu2+本身濃度很低,擴散驅動力非常小,擴散速度很慢,結果Cu2+的濃差很大,而Ni2+又易還原。即使電解一晚上,實際上也僅能去除電解板附近液層中的銅雜質,鍍液深處的Cu2+依舊未被電解去除。因此,小電流電解除雜時必須對鍍液連續(xù)攪拌,且最好采用空氣攪拌,以加強對流傳質,否則處理效果很差。
(3)如何實現(xiàn)連續(xù)電解?電解處理不會引入其他物質,也不會有化學法沉淀后需翻槽過濾的麻煩和鍍液損失,但電解除雜不僅費時,而且以小電流電解時,整流電源“大馬拉小車”——費電,嚴重影響了自動線三班制生產。先進的辦法是連續(xù)電解:鍍槽外設一小的專門電解槽,專配一個小整流器,鍍液溢流入電解槽,連續(xù)過濾機從電解槽出口抽液,經循環(huán)過濾后返回鍍槽,即實現(xiàn)邊生產邊電解。
2.5 人為添加組分的副反應
無氰堿性鍍銅的深鍍能力一般優(yōu)于氰化鍍銅,析氫副反應也小,但允許陰極電流密度都較小,陰極電流密度大時即析氫,或結晶粗糙、鍍層燒焦。為擴大允許陰極電流密度、提高鍍速,可試驗加入適量硝酸鉀。N0-3在寬電勢范圍內可發(fā)生一系列還原反應,其代替H+放電,能大大提高允許陰極電流密度,也能降低液溫。雖然N0-3在陰極放電還原也是一種副反應,但兩害相權取其輕,這實質上可理解為孫子兵法三十六計中的“偷梁換柱”之計,也是一種策略。
總之,陰極副反應或有害或有利,應深入理解,避害求利。
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