1. 屏蔽技術(shù)在EMC工程中的應(yīng)用
   屏蔽技術(shù)是用于抑制EMI的有效措施，在EMI工程中有廣泛的應(yīng)用，概括起來(lái)，主要有以下典型應(yīng)用：
    a.屏蔽室。它是進(jìn)行EMC標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試和科研實(shí)驗(yàn)必不可少的實(shí)驗(yàn)設(shè)施，作為屏蔽暗室、控制室、功放室、負(fù)載室的殼體，也是混響室的殼體；
    b.電子方艙。用作車載EMC測(cè)試設(shè)備或電子設(shè)備的屏蔽；
    c.電子、電器設(shè)備機(jī)箱、機(jī)柜；
    d.通風(fēng)截止波導(dǎo)窗。屏蔽室和設(shè)備機(jī)殼均需裝設(shè)，用于提供空氣交換通道；
    e.導(dǎo)電窗口。用于視頻顯示的孔口屏蔽；
    f.導(dǎo)電襯墊。用于設(shè)備機(jī)箱的面板與機(jī)架之間的導(dǎo)電連接。
2.屏蔽技術(shù)要求
   2.1屏蔽室的屏蔽效能要求
   GJB2926-97《電磁兼容性測(cè)試實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可要求》規(guī)定EMC屏蔽室的屏效至少應(yīng)達(dá)到：
   頻率范圍：14kHz~1MHz    1~1000 MHz    1~18GHz
   屏蔽效能：  >60dB           >90 dB       >80 dB
   GJBz20219-94《軍用電磁屏蔽室通用技術(shù)要求和檢驗(yàn)方法》對(duì)屏蔽室按屏蔽效能的高低分為B級(jí)和C級(jí)，B級(jí)屏蔽室屏效在0.01~1000MHz電場(chǎng)和平面波不低于50dB，磁場(chǎng)（0.01~4MHz）由10~50dB。C級(jí)屏蔽室在0.01~1000MHz電場(chǎng)和平面波屏效不低于110dB，微波（1~10GHz）屏效不低于100dB，磁場(chǎng)（0.01~1 MHz）磁場(chǎng)屏效由55~110 dB。
   比較起來(lái)，GJBz20219-94對(duì)屏蔽效能的要求，C級(jí)要嚴(yán)于GJB2926-97。一般說(shuō)，滿足GJB2926-97屏蔽要求的屏蔽室是滿足EMC軍標(biāo)和民標(biāo)的認(rèn)證測(cè)試環(huán)境要求的。目前國(guó)內(nèi)外屏蔽室制造商的設(shè)計(jì)與制造水平均可達(dá)到GJBz20219-94的C級(jí)屏蔽室要求。國(guó)外的屏蔽室標(biāo)準(zhǔn)有EN50147-1，GAMT20，NSA65-6，MIL-STD-285，IEEE299等。
   2.2電子方艙的屏效要求
   目前國(guó)內(nèi)電子方艙屏蔽效能要求是：10kHz~1GHz內(nèi)屏效不低于40dB。有的廠商的產(chǎn)品可達(dá)到60dB。
   2.3電子、電氣設(shè)備機(jī)箱、機(jī)柜的屏效要求
   GJB5240-2004《軍用電子裝備通用機(jī)箱機(jī)柜屏蔽效能要求和測(cè)試方法》根據(jù)機(jī)箱機(jī)柜的用途將其屏效分為四級(jí)，見表1。
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   其中1級(jí)為普通機(jī)箱機(jī)柜，2級(jí)為一般加固機(jī)箱機(jī)柜，3級(jí)為特殊加固機(jī)箱機(jī)柜。
   2.4通風(fēng)截止波導(dǎo)窗
   通風(fēng)截止波導(dǎo)窗的屏效要求按其安裝所在的屏蔽室或機(jī)箱機(jī)柜的屏效要求。
   2.5導(dǎo)電窗口
   用于視頻顯示的開孔，例如陰極射線管（CRT）和數(shù)字顯示等，通常都是極難屏蔽的，因?yàn)檫@一類顯示屏需要高度透光，所以需要專門設(shè)計(jì)一種特殊的導(dǎo)電窗口。最長(zhǎng)見的導(dǎo)電窗口有兩種類型：（1）透光性導(dǎo)電鍍膜；（2）金屬絲網(wǎng)屏幕。
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       2.6導(dǎo)電襯墊
   市場(chǎng)銷售的導(dǎo)電襯墊典型屏效為80~100 dB。
 
3. 屏蔽效能的實(shí)現(xiàn)
   屏蔽的目的是將不希望的電場(chǎng)、磁場(chǎng)限制在一個(gè)范圍內(nèi)，不致對(duì)其他設(shè)備產(chǎn)生電磁干擾?？紤]到這種不希望的電場(chǎng)、磁場(chǎng)的性質(zhì)差異，應(yīng)用的屏蔽機(jī)理也不同。通常將這種產(chǎn)生不希望的電場(chǎng)、磁場(chǎng)的干擾源分為3種。第一種是恒定電場(chǎng)，由靜電荷和恒定直流產(chǎn)生，此時(shí)采用靜電屏蔽來(lái)抑制；第二種是恒定磁場(chǎng)，由永久磁鐵和恒定直流產(chǎn)生，此時(shí)采用磁屏蔽來(lái)抑制；第三種是時(shí)變電磁場(chǎng)，也是我們見得最多的情況，此時(shí)采用電磁屏蔽來(lái)抑制。對(duì)第一種恒定電場(chǎng)，通常采用高電導(dǎo)率 的金屬殼體并將其接地即可實(shí)現(xiàn)滿意的靜電屏蔽效能。對(duì)第二種恒定磁場(chǎng)，通常采用高導(dǎo)磁率 的鐵磁性材料如鋼板、硅鋼片等，為干擾磁場(chǎng)提供低磁阻的通路，使磁力線沿此通路而不致交鏈到被保護(hù)的設(shè)備上。對(duì)第三種時(shí)變電磁場(chǎng)，根據(jù)干擾源的頻率、性質(zhì)、干擾源與屏蔽體的距離，分為以下3種情況：
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   屏蔽殼體屏蔽效能的估算可以采用各種理論和方法，但EMC工程上廣泛采用傳輸理論。它最適用于平面波垂直入射到無(wú)限大的薄屏蔽板的情況，但也可近似用于非平面波照射在有限大小的無(wú)規(guī)則形狀的薄屏蔽板和殼體情況（誤差在3dB以內(nèi)）。采用傳輸理論估算殼體屏蔽效能SE時(shí)，
在高頻（大于10MHz）時(shí)，吸收損耗占優(yōu)勢(shì)，所以對(duì)于多數(shù)屏蔽應(yīng)用，任何足夠厚的屏蔽材料都可提供滿足實(shí)用的屏蔽效能。這是從選材角度來(lái)說(shuō)的，至于一個(gè)屏蔽殼體的屏效還取決于很多結(jié)構(gòu)因素，例如是否有縫隙、進(jìn)出線管的處理等。

參考文獻(xiàn)600）makesmallpic（this,600,1800）;" border=0>
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   在高頻（大于10MHz）時(shí)，吸收損耗占優(yōu)勢(shì)，所以對(duì)于多數(shù)屏蔽應(yīng)用，任何足夠厚的屏蔽材料都可提供滿足實(shí)用的屏蔽效能。這是從選材角度來(lái)說(shuō)的，至于一個(gè)屏蔽殼體的屏效還取決于很多結(jié)構(gòu)因素，例如是否有縫隙、進(jìn)出線管的處理等。