對于Micro LED技術研究探索,國內外高校與企業(yè)仍在持續(xù)進行中,近日國內浙江大學與日本豐田合成相繼在微米和納米鈣鈦礦LED,單片全彩Micro LED微顯示屏技術上取得新突破。![]() 浙江大學研發(fā)出微米和納米鈣鈦礦LED相關研究成果以“Downscaling micro- and nano-perovskite LEDs”為題發(fā)表在《自然》上(DOI:10.1038/s41586-025-08685-w)。 ![]() 圖片來源:浙江大學 浙江大學光電科學與工程學院/海寧國際聯(lián)合學院狄大衛(wèi)教授介紹稱,“目前世界最先進的顯示技術是基于III-V族半導體的Micro LED,被認為是顯示器的'終極技術’?!?br> 鈣鈦礦LED是一種可應用于顯示、照明和通訊等領域的新型光源,在色彩純度、色域寬度上有極大的優(yōu)勢。幾年前,從三五族半導體Micro LED的微型化研究中得到啟發(fā),狄大衛(wèi)團隊開始研制用于未來顯示技術的更小的鈣鈦礦LED。 初步嘗試后,團隊于2021年首次提出了“微型鈣鈦礦LED(micro-PeLED)”的概念,后續(xù)獲得了國家與國際專利。 “對鈣鈦礦LED進行微型化并不能沿用Micro LED技術。而且,傳統(tǒng)的光刻工藝會破壞鈣鈦礦材料?!钡掖笮l(wèi)說,“制造微型鈣鈦礦LED最簡單的方法是對頂部和底部的電極接觸進行圖案化,用電極重疊的區(qū)域定義發(fā)光像素區(qū)域,但是這種方法會使像素邊界處的鈣鈦礦材料暴露在電極邊緣,容易產(chǎn)生非輻射能量損耗,進而使LED效率降低?!?br> “我們設計了一套局域接觸工藝,其能夠在附加絕緣層中引入由光刻制作的圖案化窗口,以確保像素區(qū)域遠離電極邊緣?!边B亞霄介紹。 這一工藝有效保證了LED的發(fā)光效率,使團隊能夠制造像素尺寸從數(shù)百微米到90納米的鈣鈦礦LED。趙保丹說:“對于綠色和近紅外鈣鈦礦LED而言,當像素尺寸在數(shù)百微米到3.5微米范圍時,外量子效率均保持在20%左右?!?/span> ![]() 狄大衛(wèi)說:“論文中所展示的nano-PeLED最小可達到90納米,是迄今為止報道的最小LED像素?!被诖耍瑘F隊創(chuàng)建的具有127000 PPI超高分辨率的LED像素陣列也摘得所有類型LED陣列最高分辨率的紀錄。 據(jù)介紹,團隊與杭州領摯科技攜手制作了由TFT背板驅動的有源矩陣micro-PeLED微顯示器原型,能夠呈現(xiàn)復雜的圖像和視頻,目前正在積極推動技術應用。 ![]() 豐田合成采用堆疊InGaN材料,開發(fā)全彩Micro LED微顯示屏![]() ![]() ![]() ![]() |
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