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浙江大學、豐田合成公布最新Micro LED技術成果

 山蟹居 2025-03-22 發(fā)布于浙江

對于Micro LED技術研究探索,國內外高校與企業(yè)仍在持續(xù)進行中,近日國內浙江大學與日本豐田合成相繼在微米和納米鈣鈦礦LED,單片全彩Micro LED微顯示屏技術上取得新突破。



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浙江大學研發(fā)出微米和納米鈣鈦礦LED


3月21日消息,浙江大學宣布,該校研究團隊成功研發(fā)出微米和納米鈣鈦礦LED,并達到了傳統(tǒng)LED難以觸及的——90nm尺寸新極限,同時降尺度過程僅造成微弱的性能損耗。

相關研究成果以“Downscaling micro- and nano-perovskite LEDs”為題發(fā)表在《自然》上(DOI:10.1038/s41586-025-08685-w)。

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圖片來源:浙江大學


“降尺度”在電子科學中特指縮小基本器件尺寸的過程,引領著計算機科學、信息顯示和人機交互等領域的技術革命。Micro LED就是一種“降尺度”的LED,通過縮小LED的尺寸,可實現(xiàn)超高清、超高精度的光電顯示。

浙江大學光電科學與工程學院/海寧國際聯(lián)合學院狄大衛(wèi)教授介紹稱,“目前世界最先進的顯示技術是基于III-V族半導體的Micro LED,被認為是顯示器的'終極技術’?!?br>
鈣鈦礦LED是一種可應用于顯示、照明和通訊等領域的新型光源,在色彩純度、色域寬度上有極大的優(yōu)勢。幾年前,從三五族半導體Micro LED的微型化研究中得到啟發(fā),狄大衛(wèi)團隊開始研制用于未來顯示技術的更小的鈣鈦礦LED。

初步嘗試后,團隊于2021年首次提出了“微型鈣鈦礦LED(micro-PeLED)”的概念,后續(xù)獲得了國家與國際專利。

“對鈣鈦礦LED進行微型化并不能沿用Micro LED技術。而且,傳統(tǒng)的光刻工藝會破壞鈣鈦礦材料?!钡掖笮l(wèi)說,“制造微型鈣鈦礦LED最簡單的方法是對頂部和底部的電極接觸進行圖案化,用電極重疊的區(qū)域定義發(fā)光像素區(qū)域,但是這種方法會使像素邊界處的鈣鈦礦材料暴露在電極邊緣,容易產(chǎn)生非輻射能量損耗,進而使LED效率降低?!?br>
“我們設計了一套局域接觸工藝,其能夠在附加絕緣層中引入由光刻制作的圖案化窗口,以確保像素區(qū)域遠離電極邊緣?!边B亞霄介紹。

這一工藝有效保證了LED的發(fā)光效率,使團隊能夠制造像素尺寸從數(shù)百微米到90納米的鈣鈦礦LED。趙保丹說:“對于綠色和近紅外鈣鈦礦LED而言,當像素尺寸在數(shù)百微米到3.5微米范圍時,外量子效率均保持在20%左右?!?/span>

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有源矩陣micro-PeLED微顯示器呈現(xiàn)的圖像(圖:浙大光電)

研究團隊開發(fā)的micro和nano-PeLED相較于基于III-V族半導體的Micro LED具有優(yōu)勢,大約在180納米的極小尺寸才開始顯現(xiàn)降尺寸效應,此時的效率降低至最高值的50%。而傳統(tǒng)Micro LED在尺寸低于10微米時效率就已經(jīng)顯著下降。

狄大衛(wèi)說:“論文中所展示的nano-PeLED最小可達到90納米,是迄今為止報道的最小LED像素?!被诖耍瑘F隊創(chuàng)建的具有127000 PPI超高分辨率的LED像素陣列也摘得所有類型LED陣列最高分辨率的紀錄。

據(jù)介紹,團隊與杭州領摯科技攜手制作了由TFT背板驅動的有源矩陣micro-PeLED微顯示器原型,能夠呈現(xiàn)復雜的圖像和視頻,目前正在積極推動技術應用。


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豐田合成采用堆疊InGaN材料,開發(fā)全彩Micro LED微顯示屏


近日,日本豐田合成公司(Toyoda Gosei)在單片全彩Micro LED顯示屏領域取得重要進展。他們采用堆疊式氮化銦鎵(InGaN)材料,實現(xiàn)了紅、綠、藍(RGB)三色發(fā)光,為未來高亮度、小型化的顯示技術鋪平了道路。

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圖1.(a)豐田合成所開發(fā)全彩色單片式Micro-LED的橫截面結構示意圖。(b)沒有子像素間隔設計的子像素的電致發(fā)光(EL)圖像。(c) 設計有子像素間隔的子像素的EL圖像。(d)研究人員所開發(fā)單片式Micro-LED芯片的照片

據(jù)悉,當前市場上的微型顯示屏多采用OLED技術,但其亮度較低,在戶外或增強現(xiàn)實(AR)眼鏡等應用中存在局限。而InGaN Micro LED不僅亮度更高,還能通過單片集成簡化制造工藝。盡管該團隊使用的材料再生長工藝增加了制造復雜度,但相比量子點或隧道結等方法,它更符合半導體制造流程,具有更大的產(chǎn)業(yè)化潛力。

研究團隊利用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術在藍寶石基板上生長Micro LED芯片,并通過刻蝕和電極沉積等步驟實現(xiàn)像素分離。最終,他們制造出96×96像素的微型顯示屏,總尺寸僅3mm×3mm,可用于小型顯示設備。

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圖2. (a)-(c)為驅動電流在10-200μA的范圍之間時,紅色、綠色和藍色子像素的電致發(fā)光光譜。(d)為上述基于單色Micro-LED所制造顯示器在色度圖上體現(xiàn)出來的顏色再現(xiàn)能力。(e)為三種單色Micro-LED器件的電致發(fā)光圖像。(f)三種不同顏色子像素Micro-LED的電流-電壓特性

在測試中,RGB三色像素在不同電流下表現(xiàn)穩(wěn)定,但紅色像素的效率較低,僅為0.2%,遠低于綠光(2%)和藍光(3%)。此外,顯示屏的色域覆蓋NTSC標準的69.9%,低于團隊此前所實現(xiàn)的95.4%,這主要由于Micro LED紅光光波長偏短所致。但研究人員表示,這一問題可以通過優(yōu)化紅色發(fā)光層來改善。

該團隊還成功用該微型顯示屏播放了一張4-bit灰度的全彩圖片,并通過脈寬調制(PWM)技術優(yōu)化色彩表現(xiàn)。盡管當前仍存在紅色亮度偏低、芯片外圍區(qū)域部分不發(fā)光的問題,但這些技術難題正在逐步優(yōu)化。

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圖3. 單片式Micro LED陣列的顯示圖像

未來,該技術有望應用于AR眼鏡、虛擬現(xiàn)實(VR)設備及高分辨率電子取景器等領域,推動微型顯示屏邁向更高亮度、更廣色域的發(fā)展方向。
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