存儲芯片，這一品類最賺錢

suiming2000 2024-09-08 發(fā)布于浙江

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在 AI 風(fēng)靡的當(dāng)下，數(shù)據(jù)規(guī)模呈爆炸式增長，而存儲芯片作為數(shù)據(jù)的關(guān)鍵承載者，其價(jià)值不斷攀升。

眾所周知，存儲芯片涵蓋諸多產(chǎn)品品類，每一類產(chǎn)品都在其特定的應(yīng)用場景中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。那么，各產(chǎn)品路線的盈利情況究竟如何？這無疑是業(yè)界內(nèi)外共同關(guān)注的焦點(diǎn)。

在此之前，我們有必要對存儲芯片的產(chǎn)品品類進(jìn)行細(xì)致的細(xì)分。

存儲芯片細(xì)分種類

存儲芯片依據(jù)功能、讀取數(shù)據(jù)方式以及數(shù)據(jù)存儲原理，大致可區(qū)分為易失性存儲芯片（RAM）和非易失性存儲芯片（ROM）。

RAM

RAM 在斷電后會丟失所存儲的數(shù)據(jù)，通常用于臨時(shí)存儲數(shù)據(jù)，如運(yùn)行中的程序和處理器的緩存。其代表性產(chǎn)品有 DRAM 和 SRAM。

ROM

ROM 在沒有電源的情況下也能長期保存數(shù)據(jù)，適用于存儲程序代碼和用戶數(shù)據(jù)。代表性產(chǎn)品為 NAND Flash 和 NOR Flash。

從全球視角來看，存儲芯片市場以 DRAM 和 NAND Flash 為核心，二者市場份額合計(jì)超過 90%。NOR Flash 在市場上的規(guī)模占比約為 3%，其他類型的存儲產(chǎn)品僅占據(jù)了約 2% 的市場份額。

主流存儲技術(shù)的對決

DRAM

DRAM即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間，為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM 使用電容存儲，所以必須隔一段時(shí)間刷新一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。

按照產(chǎn)品分類，DRAM 主要分為 DDR、LPDDR、GDDR及新型存儲HBM。

DDR（Double Data Rate）即雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存，適用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和其他高性能計(jì)算設(shè)備等領(lǐng)域，目前應(yīng)用廣泛的是 DDR3、DDR4 和 DDR5。
LPDDR（Low Power Double Data Rate）即低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存，適合移動設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)等需要長時(shí)間使用的場景，比如手機(jī)、平板電腦，目前應(yīng)用廣泛的是 LPDDR4、LPDDR5。
GDDR（Graphics Double Data Rate）是在 DDR 的基礎(chǔ)上多了 G（Graphics）前綴，專為需要極高吞吐量的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序設(shè)計(jì)的高性能存儲器，主要應(yīng)用在顯卡領(lǐng)域。
HBM（High Bandwidth Memory）也屬于 DRAM 的一種。HBM 在帶寬、功耗、封裝體積方面具備明顯優(yōu)勢，特別適用于高性能計(jì)算、圖形處理和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，以滿足對內(nèi)存帶寬和容量的高需求。相比傳統(tǒng)的 GDDR 內(nèi)存，HBM 內(nèi)存具有更高的帶寬和更低的能耗，能夠提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的性能。

從市場角度劃分，DRAM 又可分為主流 DRAM 和利基型 DRAM。主流 DRAM 市場的玩家為三星、美光和海力士，而中國大陸的頭部 DRAM 公司也在不斷取得新進(jìn)展。利基型 DRAM 市場的玩家相對更為分散，除了三星、美光之外，還包含中國大陸的兆易創(chuàng)新、北京君正等公司。

兩種Flash

Flash 是常見的用于存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件，又稱閃存，主要分為兩種：NOR Flash 和 NAND Flash。

NAND Flash

NAND Flash 存儲器是一種非揮發(fā)性存儲技術(shù)，相比傳統(tǒng)存儲解決方案，它提供更快的讀寫速度、更高的儲存容量和更好的能源效率。NAND Flash 單元將數(shù)據(jù)存儲在一個(gè)存儲單元中，每個(gè)單元能夠存儲多個(gè)的信息。

根據(jù)技術(shù)類型劃分，不同類型的 NAND Flash，如 SLC、MLC、TLC 和 QLC，根據(jù)其數(shù)據(jù)密度、耐久性和成本效益的不同而有所不同。

SLC NAND Flash 是成本最高但也是最耐用的 NAND Flash 存儲器類型，通常用于需要高性能和數(shù)據(jù)完整性的企業(yè)級應(yīng)用，如工業(yè)自動化、醫(yī)療設(shè)備和航空系統(tǒng)。然而，SLC NAND 的存儲密度較低，導(dǎo)致每 GB 的成本比其他類型的 NAND Flash 更高。
MLC NAND Flash 每個(gè)存儲單元存儲多個(gè)的信息，通常是兩個(gè)位元。這增加存儲密度并降低了與 SLC NAND 相比的成本，適用于消費(fèi)級 SSD、數(shù)碼相機(jī)和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品。
TLC NAND Flash 進(jìn)一步增加存儲密度，每個(gè)存儲單元存儲三位信息。TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND，使其成為消費(fèi)電子產(chǎn)品和主流 SSD 的有吸引力選擇。
QLC NAND Flash 是 NAND Flash 技術(shù)的最新進(jìn)展，提供了最高的存儲密度和成本效益。通常用于入門級消費(fèi)者固態(tài)硬盤和大容量存儲應(yīng)用中。

根據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用劃分，NAND Flash 顆粒廣泛應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲產(chǎn)品（eMMC）、存儲卡（SD 卡）、U 盤中。

固態(tài)硬盤（Solid State Disk 或 Solid State Drive，簡稱 SSD），又稱固態(tài)驅(qū)動器，是一種使用閃存作為存儲介質(zhì)的電腦存儲設(shè)備。其核心功能就是存儲數(shù)據(jù)，具有讀寫速度快、抗震動、能耗低、體積小、噪音小等優(yōu)點(diǎn)，但也存在價(jià)格高、容量限制、壽命短、數(shù)據(jù)丟失等缺點(diǎn)。根據(jù)不同的接口標(biāo)準(zhǔn)，固態(tài)硬盤可以分為 SATA、PCIe、U.2 等多種類型，其中 SATA 接口的固態(tài)硬盤占據(jù)市場份額最大。
eMMC（嵌入式多媒體卡）是一種嵌入式存儲解決方案，常見于手機(jī)、平板電腦等移動設(shè)備。它集成了 NAND Flash 和控制器，提供高速讀寫性能，簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)，降低了開發(fā)復(fù)雜性。
U 盤（USB Flash disk），全稱 USB 閃存驅(qū)動器。它是一種使用 USB 接口的無須物理驅(qū)動器的微型高容量移動存儲產(chǎn)品，通過 USB 接口與電腦連接實(shí)現(xiàn)即插即用。

全球 NAND Flash 廠商主要有三星電子、鎧俠、SK 海力士、西部數(shù)據(jù)、美光科技等，行業(yè)集中度較高，競爭格局較為穩(wěn)定。

NOR Flash

NOR Flash 以其快速讀取速度、隨機(jī)訪問能力、單字節(jié)編程和高可靠性等特征，在嵌入式系統(tǒng)、單片機(jī)和需要直接執(zhí)行代碼的應(yīng)用場景中占據(jù)重要地位。然而，與主流的 NAND Flash 相比，NOR Flash 的缺點(diǎn)也比較明顯，包括：容量密度小、寫入速度慢、擦除速度慢、價(jià)格高等。

盡管如此，NOR Flash 依舊難以被市場淘汰，因?yàn)?NOR Flash 由于其地址線和數(shù)據(jù)線分開的特性，不必再把代碼讀到系統(tǒng) RAM 中，應(yīng)用程序可以直接在 NOR 上運(yùn)行，且 NOR Flash 還具備更快的讀取速度、更強(qiáng)的可靠性和更長的使用壽命。

小容量 NOR Flash 主要應(yīng)用領(lǐng)域包括電腦攝像頭及電腦周邊配件，如 USB 外接硬盤、Type-C 接口擴(kuò)展器等；顯示面板模組、WiFi 模塊等領(lǐng)域也有應(yīng)用。中大容量 NOR Flash 應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋電腦主板、安防監(jiān)控、儀表、電子標(biāo)簽、可穿戴設(shè)備、汽車電子等。

NOR Flash 競爭格局相對集中，華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新三家市場份額合計(jì)占比超 90%。

不同產(chǎn)品的漲價(jià)策略

DRAM 產(chǎn)品中，DDR4、DDR5 漲勢明顯，HBM 最為迅猛

根據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)顯示，2024 年 Q1 DRAM 產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚(yáng)，帶動營收較前一季度成長 5.1%，達(dá) 183.5 億美元，推動多數(shù)業(yè)者營收延續(xù)季增趨勢。隨后在 Q2，整體 DRAM 產(chǎn)業(yè)營收達(dá) 229 億美元，季增 24.8%。

細(xì)分來看，DDR 不同系列的產(chǎn)品在今年上半年均呈現(xiàn)出了明顯的漲價(jià)趨勢。

DDR3 方面，因三星、SK 海力士、美光逐漸退出市場，轉(zhuǎn)向 HBM、DDR5 等新興領(lǐng)域，DDR3 供給減少。同時(shí)，AI、網(wǎng)通需求增加及 AI 技術(shù)推動終端產(chǎn)品 DDR3 容量升級，自 2023 年下半年起 DDR3 價(jià)格上漲，預(yù)計(jì) 2024 年上半年漲幅約 20%，華邦也計(jì)劃在 2024 年第二季度跟進(jìn)漲價(jià)，將 DDR3 價(jià)格調(diào)升 20%。

DDR4 和 DDR5 為上半年漲價(jià)主力。第一季度，DDR4 價(jià)格上漲，PC DRAM 中 DDR4 合約價(jià)季漲幅約 10%-15%；第二季度漲幅略降至 3%-8%，移動端漲幅較高，達(dá) 5%-10%。受 HBM3/3E 產(chǎn)能影響及 AI 服務(wù)器需求推動，為平衡供需，DDR5 產(chǎn)出增加，價(jià)格上漲，一季度 SK 海力士提價(jià) 15%-20%。PC 及 Server DRAM 中 DDR5 一季度漲幅均約 10%-15%，二季度持續(xù)上漲。近日，DRAM 大廠宣布 2024 年第三季度 DDR5 內(nèi)存價(jià)格將再次調(diào)漲，預(yù)計(jì)漲幅超過 15%。

再看 LPDDR 和 GDDR。今年 5 月，供應(yīng)鏈消息稱，SK 海力士計(jì)劃對其 LPDDR5、LPDDR4、NAND 以及 DDR5 等存儲產(chǎn)品進(jìn)行價(jià)格上調(diào)，預(yù)計(jì)漲幅將達(dá)到 15%-20%。同時(shí)，隨著人工智能的火爆，HBM（高帶寬存儲器）需求激增，而三星、SK 海力士將部分 DRAM 產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為 HBM 產(chǎn)線，導(dǎo)致 DRAM 供給減少，這也在一定程度上影響了 LPDDR 等產(chǎn)品的價(jià)格。據(jù)悉，2024 年第一季度，用于顯卡的顯存（GDDR）漲價(jià)約 13%-18%，尤其是 2GB GDDR6 需求強(qiáng)勁。

NAND Flash 產(chǎn)品中，SSD 連續(xù)四季度漲價(jià)

根據(jù) TrendForce 集邦咨詢研究，2024 年第一季度 NAND Flash 量價(jià)齊揚(yáng)，營收季增 28.1%，達(dá) 147.1 億美元。另外，從 2023 年年底開始，全球半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)逐步進(jìn)入上行周期，NAND Flash 合約價(jià)季漲幅上修至約 15%-20%。根據(jù)此前市場數(shù)據(jù)，第二季度 NAND Flash 合約價(jià)格將出現(xiàn)顯著上漲，預(yù)計(jì)漲幅在 13% 至 18% 之間。

在 NAND Flah 的下游產(chǎn)品中，SSD 漲價(jià)幅度明顯。據(jù)悉由于 AI 需求推動存儲器漲價(jià)，SSD 價(jià)格連續(xù)四個(gè)季度上漲。

其中，企業(yè)級 SSD 在 2024 年第二季度漲價(jià)幅度較高。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢的報(bào)告，受北美和中國云端服務(wù)行業(yè)需求上升，采購量增加的影響，企業(yè)級 SSD（Enterprise SSD）合約價(jià)按季度增長 20%-25%，漲幅遠(yuǎn)高于其他產(chǎn)品。

消費(fèi)級 SSD（Client SSD）約漲價(jià) 10%-15%。2024 年第一季度消費(fèi)級 SSD 價(jià)格已出現(xiàn)大幅上揚(yáng)，漲幅為 23%-28%，但第二季度由于處于終端銷售淡季，買方備貨策略保守，部分 PC OEM 廠商甚至下調(diào)了訂單，導(dǎo)致其漲價(jià)幅度相對企業(yè)級 SSD 較小。

eMMC/UFS 預(yù)計(jì)漲價(jià) 10% 左右。雖然東南亞、印度智能手機(jī)市場近期需求明顯增長，尤其是中國品牌提前加大訂單，已建立安全的庫存水平，但整體需求和市場規(guī)模相對企業(yè)級 SSD 較小，因此漲價(jià)幅度較為溫和。2024 年第一季度 eMMC/UFS 的漲幅為 25%-30%，略高于消費(fèi)級 SSD 和企業(yè)級 SSD。

Nor Flash 產(chǎn)品也在今年上半年開始試探性漲價(jià)，價(jià)格漲幅在 10~15% 之間。中容量 Nor Flash 產(chǎn)品價(jià)格漲幅較大，低容量產(chǎn)品雖然之前幾乎未漲價(jià)，但最近也開始上漲。目前中等容量 Nor Flash 漲價(jià)最顯著。預(yù)計(jì)未來一年 Nor Flash 產(chǎn)品價(jià)格漲幅超 30%。

誰，是當(dāng)前盈利能力最強(qiáng)的產(chǎn)品？

DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 的盈利能力受多種因素影響。一般來說，DRAM 在服務(wù)器和 PC 等市場需求大，技術(shù)門檻較高，盈利能力較強(qiáng)。NAND Flash 隨著存儲需求增長也有不錯(cuò)表現(xiàn)，而 NOR Flash 市場相對較小。但具體情況因市場波動而異。

今年上半年盈利能力最強(qiáng)的存儲產(chǎn)品，無疑為 HBM。HBM 的走紅得益于以下兩點(diǎn)：

第一，隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對高性能存儲的需求大幅增加。特別是 AI 服務(wù)器對芯片內(nèi)存容量和傳輸帶寬的更高要求，促使 HBM 成為 AI GPU 存儲單元的理想方案和關(guān)鍵部件，HBM 的需求呈現(xiàn)井噴式增長。

第二，HBM 的技術(shù)復(fù)雜，生產(chǎn)難度大，產(chǎn)能提升相對較慢，目前主要由三星、SK 海力士、美光等少數(shù)幾家大廠壟斷供應(yīng)，市場供應(yīng)相對有限。這種供需不平衡的狀況使得 HBM 的價(jià)格居高不下，進(jìn)一步提升了其盈利能力。

在這一背景下，HBM 的價(jià)格水漲船高。

據(jù)悉，由于 HBM 的銷售單價(jià)是傳統(tǒng)型 DRAM 的數(shù)倍，與 DDR5 的價(jià)差大約為五倍。同時(shí)，AI 芯片相關(guān)產(chǎn)品的迭代使得 HBM 的單機(jī)搭載容量擴(kuò)大。因此，在 2023 至 2025 年間，HBM 在 DRAM 產(chǎn)能及產(chǎn)值中的占比大幅上升。在產(chǎn)能方面，2023 年和 2024 年 HBM 占 DRAM 總產(chǎn)能分別為 2% 和 5%，到 2025 年占比預(yù)計(jì)將超過 10%。在產(chǎn)值方面，從 2024 年起，HBM 在 DRAM 總產(chǎn)值中的占比預(yù)估可超過 20%，到 2025 年占比有機(jī)會超過三成。

存儲三巨頭表示，今年的 HBM 供應(yīng)能力已全部耗盡，明年的產(chǎn)能也已經(jīng)大部分售罄。

除了 HBM 之外，還有一類產(chǎn)品在今年的存儲市場迅速走紅，即 DDR5。

以下是 DDR5 的幾點(diǎn)優(yōu)勢分析：

第一，性能與功耗優(yōu)勢。DDR5 相較于 DDR4，在性能和功耗上有著顯著提升。例如，DDR5 的帶寬更高，能夠支持更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，滿足現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)對內(nèi)存性能的更高要求；同時(shí)，DDR5 在功耗管理方面也進(jìn)行了優(yōu)化，降低了功耗，提高了能源效率。這些優(yōu)勢使得 DDR5 在服務(wù)器、PC 等市場中具有很強(qiáng)的競爭力，可以獲得更高的價(jià)格和利潤。

第二，市場需求增長與滲透率提升。隨著 PC 與服務(wù)器領(lǐng)域平臺不斷推陳出新，對內(nèi)存的性能要求不斷提高，DDR5 的市場需求持續(xù)增長。今年基本上被視為 “DDR5 的大規(guī)模采用年”，DDR5 在 PC 和服務(wù)器市場的滲透率不斷提升。

第三，產(chǎn)品升級與價(jià)格上漲趨勢。DDR5 制程不斷進(jìn)步，帶來了性能的提升和成本的優(yōu)化。同時(shí)，由于市場需求的增長和供應(yīng)的相對緊張，DDR5 的價(jià)格也呈現(xiàn)出上漲趨勢。從市場情況來看，DDR5 內(nèi)存的價(jià)格在過去一段時(shí)間內(nèi)有所上升，這有助于提升相關(guān)廠商的盈利能力。并且，隨著 DDR5 技術(shù)的不斷成熟和產(chǎn)能的逐步擴(kuò)大，其成本有望進(jìn)一步降低，而在市場需求持續(xù)旺盛的情況下，價(jià)格可能保持相對穩(wěn)定或繼續(xù)上漲，從而為廠商帶來持續(xù)的盈利增長。

國產(chǎn)存儲公司，業(yè)績飄紅

目前，國內(nèi)存儲廠商參與生產(chǎn)的存儲芯片產(chǎn)業(yè)主要分為 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和 NAND Flash（閃存存儲器）兩大類產(chǎn)品。今年以來，在人工智能、高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域需求的推動下，存儲芯片行業(yè)景氣度持續(xù)攀升。

上半年，A 股存儲芯片賽道上市公司業(yè)績整體實(shí)現(xiàn)高增長。根據(jù) Wind 數(shù)據(jù)，板塊內(nèi) 25 家上市公司上半年實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤合計(jì)同比增長 146.26%。

具體來看，半年報(bào)顯示，全球內(nèi)存接口芯片龍頭瀾起科技今年上半年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 16.65 億元，同比增長 79.49%；歸屬于上市公司股東的凈利潤 5.93 億元，同比增長 624.63%。瀾起科技深耕于內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域，主要產(chǎn)品包括從 DDR2-DDR5 全系列內(nèi)存接口芯片。

瀾起科技表示，2024 年上半年，一方面，行業(yè)需求實(shí)現(xiàn)恢復(fù)性增長，DDR5（新一代動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）下游滲透率提升且 DDR5 子代迭代持續(xù)推進(jìn)，帶動公司內(nèi)存接口及模組配套芯片銷售收入同比大幅增長；另一方面，公司部分 AI 高性能 “運(yùn)力” 芯片新產(chǎn)品開始規(guī)模出貨，為公司貢獻(xiàn)新的業(yè)績增長點(diǎn)。

存儲模組龍頭江波龍上半年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 90.39 億元，同比增長 143.82%；歸屬于上市公司股東的凈利潤 5.94 億元，同比增長 199.64%。江波龍的產(chǎn)品線涵蓋了嵌入式存儲、固態(tài)硬盤（SSD）、移動存儲及內(nèi)存條四大系列。

存儲器龍頭佰維存儲在上半年的營業(yè)收入、歸母凈利潤較上年同期以近 2 倍的速度增長。該公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 34.41 億元，與上年同期相比增加 22.92 億元，同比增長 199.64%。公司實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤為 2.83 億元，同比增長 195.58%。佰維存儲已擁有嵌入式存儲（UFS、eMMC、LPDDR、eMCP、BGASSD 等）、固態(tài)硬盤（SATA/PCIe）、內(nèi)存模組（SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM）、存儲卡（SD 卡、CF 卡、CFast 卡、CFexpress 卡、NM 卡）等豐富產(chǎn)品梯隊(duì)，產(chǎn)品線包含 NAND、DRAM 存儲器的各個(gè)主要類別。

佰維存儲稱，數(shù)據(jù)的持續(xù)增長將驅(qū)動存儲產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷提升，國產(chǎn)化率的提高將驅(qū)動國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)鏈的迅速發(fā)展，AI 技術(shù)革命將大大提升對高端存儲器的需求，以上三個(gè)要素為國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)帶來了巨大的發(fā)展機(jī)遇。

閃存模組企業(yè)德明利上半年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入21.76億元，同比增長268.50%；歸屬于上市公司股東的凈利潤3.88億元，同比增長588.12%。德明利的存儲產(chǎn)品包括移動存儲、固態(tài)硬盤、嵌入式存儲、內(nèi)存條等

兆易創(chuàng)新上半年業(yè)績也實(shí)現(xiàn)回暖，上半年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入36.09億元，同比增長21.69%；凈利潤為5.17億元，同比增長53.88%。在存儲器方面，兆易創(chuàng)新產(chǎn)品分為三個(gè)部分，分別是NOR Flash、SLC Nand Flash和DRAM。

隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等新興技術(shù)的不斷發(fā)展，存儲芯片的需求將持續(xù)增長。在這個(gè)過程中，DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 等存儲產(chǎn)品將繼續(xù)發(fā)揮重要作用，而 HBM 和 DDR5 等高性能存儲產(chǎn)品也將迎來更廣闊的發(fā)展空間。同時(shí)，國產(chǎn)存儲公司也將面臨更多的機(jī)遇和挑戰(zhàn)，需要不斷加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級，提高自身的競爭力，以在全球存儲市場中占據(jù)一席之地。

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