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三極管驅(qū)動電路的原理詳解

 西北望msm66g9f 2024-05-25 發(fā)布于陜西

1. 簡介

雙極結(jié)型三極管(Bipolar Junction Transistor, BJT),又稱為晶體管,是我們在模擬電路中學(xué)習(xí)的比較基本的電流控制電流器件,由基極電流大小控制集電極電流大小。三極管有兩種類型,即NPN三極管和PNP三極管;有三種工作狀態(tài),即通常其特性曲線中的截止區(qū)、放大區(qū)(從基極看,是電流/電流,所以直接叫做“放大區(qū)”)和飽和區(qū)。

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說明:場效應(yīng)管(MOSFET),俗稱MOS管,是電壓控制電流器件,由柵極電壓大小控制漏極電流大小。有兩種類型,即N溝道場效應(yīng)管(N-Channel MOSFET)和P溝道場效應(yīng)管(P-Channel MOSFET);有三種工作狀態(tài),即截止區(qū)、可變電阻區(qū)(從柵極看,是電壓/電流,所以相當(dāng)于可變電阻,所以叫做“可變電阻區(qū)”)和飽和區(qū)。

無論是三極管還是場效應(yīng)管,在數(shù)字電路中做開關(guān)使用時(shí),都工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。關(guān)斷的時(shí)候,器件工作在截止區(qū);而導(dǎo)通的時(shí)候,要保證器件工作在飽和區(qū)。兩種器件多數(shù)情況下導(dǎo)通時(shí),都能工作在飽和區(qū);如對于三極管來說,由于其放大倍數(shù)通常達(dá)到200以上,所以能夠使集電極電流值達(dá)到最大電流極限值而飽和,但我們?nèi)匀恍枰榔涔ぷ髟陲柡蛥^(qū)的原理,下文將順便介紹其原理。

遺憾的是,網(wǎng)上很多工作在數(shù)字開關(guān)目的下的三極管或MOS管,都是“缺胳膊少腿”,不完善。因而,本文將基于三極管詳解其完備電路中各元件的用途,以及各種不完備電路存在的缺陷。因?yàn)橥陚潆娐分挥幸环N,我們姑且稱之為“第一等電路”;而不完備電路至少有四種,我們姑且稱之為“第二等電路”、“第三等電路”、“第四等電路”和“第五等電路”,這里等級越靠后,基本就是越差。

2. 第一等電路——完備電路

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如上圖(a)(b)所示,分別是NPN三極管和PNP三極管用于數(shù)字開關(guān)時(shí)的完備電路。(a)電路可使用GPIO1的高電平導(dǎo)通NPN三極管Q1,GPIO1的低電平關(guān)斷Q1;(b)電路可使用GPIO2的低電平導(dǎo)通PNP三極管Q2,GPIO2的高電平關(guān)斷Q2。下面講解基極偏置電阻的作用:

R1和R3是基極限流電阻,因?yàn)榛鶇^(qū)很薄,過流能力較小,所以要限流。

假如沒有R1,NPN三極管Q1在GPIO1 = 1.8V或3.3V高電平的情況下導(dǎo)通后,基極會被鉗位到0.7V,那么基極多余出的1.8V - 0.7V = 1.1V或3.3V - 0.7V = 2.6V的電壓將加載到何處呢?同理,假如沒有R3,PNP三極管Q2在GPIO2 = 0V的情況下導(dǎo)通后,在VCC = 1.8V或3.3V的情況下,基極會被抬高1.8V - 0.7V = 1.1V或3.3V - 0.7V = 2.6V,這些電壓又將加載到何處呢?

R2和R4是(基極)偏置電阻,當(dāng)三極管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),為基極提供偏置電壓。至于為何需要提供偏置電壓,將在后面“第二等電路”中說明。

注意:此處假設(shè)基極-射極二極管的壓降為0.7V,下同。

3. 第二等電路——缺少偏置電阻

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如上圖(c)(d)所示,是在“第一等電路”完備電路的基礎(chǔ)上,缺少了基極偏置電阻R2和R4。

這樣電路的缺陷是,當(dāng)GPIO1使用高電平開啟NPN BJT Q1后,其基極將被基極與射極之間的二極管鉗位到二極管壓降(通常為0.5 ~ 0.7V);此時(shí),若基極有脈沖干擾,Q1的工作狀態(tài)可能會受影響,即此時(shí)電路的抗干擾能力不如上述“第一等電路”。

同理,當(dāng)GPIO2使用低電平開啟PNP BJT Q2后,其基極電壓將被抬升到VCC減去“基極-射極二極管壓降”(若VCC=3.3V,GPIO=0V,二極管壓降為0.7V,Q2開啟后,基極將被抬升到3.3V-0.7V=2.6V);此時(shí),若基極2.4V上疊加一定的脈沖干擾,Q2的工作狀態(tài)可能會受影響,即此時(shí)電路的抗干擾能力不如上述“第一等電路”。

4. 第三等電路——缺少偏置電阻和限流電阻

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如上圖(e)(f)所示,是在“第二等電路”的基礎(chǔ)上,缺少了基極基極限流電阻R1和R3,偏置電阻R2和R4。

缺陷是:其一,基極可能因?yàn)檫^流損壞;其二,Q1開啟后基極會被鉗位到0.7V(基極-射極二極管壓降),Q2開啟后基極將被鉗位到2.6V,且工作狀態(tài)都容易受脈沖或噪聲的干擾。

5. 第四等電路——射極跟隨器電路

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如圖(g)(h)所示,是在“第三等電路”的基礎(chǔ)上,將原來集電極上的負(fù)載轉(zhuǎn)移到射極。因?yàn)榛鶚O-射極之間相當(dāng)于二極管,對NPN管來說,基極比射極高0.7V;對PNP管來說,基極比射極低0.7V。所以,從射極來說,在二極管壓降0.7V差值的基礎(chǔ)上,始終會跟隨基極的電壓變化,這就是射極跟隨器電路,即負(fù)載接在射極。

射極跟隨器電路多用于模擬電路中,在數(shù)字電路中作為驅(qū)動后端負(fù)載使用時(shí),是不合適的,因?yàn)橹挥须娏鞣糯螅瑳]有電壓放大,有時(shí)會因?yàn)楣β史糯蟛蛔?,而無法驅(qū)動后端負(fù)載。以(g)電路為例,假如GPIO1=3.3V,那么只有Vout1=3.3-0.7V=2.6V的電壓加載到負(fù)載RL1上,而不是整個(gè)VCC(假設(shè)VCC為5V或12V)加載到負(fù)載上。這種應(yīng)用,有時(shí)會因?yàn)楣β史糯蟛蛔?,?dǎo)致電路工作不穩(wěn)定,具體可見“[1] TLP293-4光耦電路應(yīng)用問題分析”。

6. 第五等電路——缺少基極限流電阻的射極跟隨器電路

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如圖(i)(j)所示,是缺少基極限流電阻和偏置電阻的射極跟隨器電路,在數(shù)字電路應(yīng)用中,存在前述電路所有的缺陷,此處無需過多解釋。

7. 數(shù)字三極管

ROHM DTC043Z series NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)即是內(nèi)置偏置電阻的NPN型三極管,內(nèi)置偏置電阻分別為4.7k和47k;ROHM DTA043Z series PNP -100mA -50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)即是內(nèi)置偏置電阻的PNP型三極管,內(nèi)置偏置電阻分別為4.7k和47k,如下圖所示。

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這種數(shù)字三極管在實(shí)際作為開關(guān)使用時(shí),無需外加偏置電阻,可使電阻設(shè)計(jì)更加簡單。但仍需注意,負(fù)載始終接在集電極,而不能錯(cuò)誤地接在射極,構(gòu)成設(shè)計(jì)跟隨器電路。

8. 總結(jié)

如前所述,無論是三極管還是場效應(yīng)管,在數(shù)字電路中做開關(guān)使用時(shí),都工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。本文總結(jié)了三極管在數(shù)字電路中做開關(guān)使用時(shí)各外圍元件的作用,實(shí)際應(yīng)用中,推薦使用“第一等完備電路”或數(shù)字三極管,以避免其他各類電路的缺陷。

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