?隨著我國制造業(yè)不斷升級,航空航天、精密制造、航海技術(shù)等獲得長足發(fā)展,對材料表面的力學(xué)性能、耐磨性能、耐腐蝕性能等提出越來越高的要求。高性能薄膜是提升材料表面服役性能的有效技術(shù)手段之一。

磁控濺射技術(shù)原理：磁控濺射技術(shù)的工作原理如圖1所示,在真空條件下,以靶材為陰極,基底為陽極,Ar在高壓作用下電離產(chǎn)生高能Ar+,Ar+在電場作用下高速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,在基底上沉積形成薄膜。

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多功能磁控濺射儀（高真空磁控濺射儀）是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。

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設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)特點(diǎn)

秉承設(shè)備為工藝實(shí)現(xiàn)提供實(shí)現(xiàn)手段的理念，我們做了如下設(shè)計(jì)和工程實(shí)現(xiàn)，實(shí)際運(yùn)行效果良好，為用戶的專*用*工*藝實(shí)現(xiàn)提供了精*準(zhǔn)*的工藝設(shè)備方案。

靶材背面和濺射靶表面的結(jié)合處理

-靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導(dǎo)致離化電場的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場分壓增大），導(dǎo)致鍍膜效果不好；電阻增大導(dǎo)致靶材發(fā)熱升溫，降低鍍膜質(zhì)量。

-靶材和靶面接觸不良，導(dǎo)致水冷效果不好，降低鍍膜質(zhì)量。

-增加一層特殊導(dǎo)電導(dǎo)熱的軟薄的物質(zhì)，保證面接觸。

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距離可調(diào)整

基片和靶材之間的距離可調(diào)整，以適應(yīng)不同靶材的成膜工藝的距離要求。

角度可調(diào)

磁控濺射靶頭可調(diào)角度，以便針對不同尺寸基片的均勻性，做精*準(zhǔn)*調(diào)控。

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集成一體化柜式結(jié)構(gòu)

一體化柜式結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)：

安全性好（操作者不會(huì)觸碰到高壓部件和旋轉(zhuǎn)部件）

占地面積小，尺寸約為：長1100mm×寬780mm（標(biāo)準(zhǔn)辦公室門是800mm寬）（傳統(tǒng)設(shè)備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場地，可以放兩臺設(shè)備。

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控制系統(tǒng)

采用計(jì)算機(jī)＋PLC兩級控制系統(tǒng)

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安全性

-電力系統(tǒng)的檢測與保護(hù)

-設(shè)置真空檢測與報(bào)警保護(hù)功能

-溫度檢測與報(bào)警保護(hù)

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量

-檢測與報(bào)警保護(hù)

勻氣技術(shù)

工藝氣體采用勻氣技術(shù)，氣場更均勻，鍍膜更均勻。

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基片加熱技術(shù)

采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內(nèi)，所以高溫加熱過程中不釋放雜質(zhì)物質(zhì)，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對基片加熱。

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真空度更高、抽速更快

真空室內(nèi)外，全部電化學(xué)拋光，完全去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見），沒有微觀藏污納垢的地方，腔體內(nèi)表面積減少一倍以上，鍍膜更純凈，真空度更高，抽速更快。

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設(shè)備詳情

設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能

1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進(jìn)樣室、鍍膜室+手套箱

2、磁控濺射靶數(shù)量及類型：1 ～ 6 靶，圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容

5、基片可旋轉(zhuǎn)、可加熱

6、通入反應(yīng)氣體，可進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜7、操作方式：手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)

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工作條件

供電 ～ 380V 三相五線制

功率 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置

冷卻水循環(huán) 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置

水壓 1.5 ～ 2.5×10^5Pa

制冷量 根據(jù)扇熱量配置

水溫 18～25℃

氣動(dòng)部件供氣壓力 0.5～0.7MPa

質(zhì)量流量控制器供氣壓力 0.05～0.2MPa

工作環(huán)境溫度 10℃～40℃

工作濕度 ≤50%

設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

-基片托架：根據(jù)供件大小配置。

-基片加熱器溫度：根據(jù)用戶供應(yīng)要求配置，溫度可用電腦編程控制，可控可調(diào)。

-基片架公轉(zhuǎn)速度 ：2 ～100 轉(zhuǎn) / 分鐘，可控可調(diào)；基片自轉(zhuǎn)速度：2 ～20 轉(zhuǎn) / 分鐘。

-基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。

-靶面到基片距離： 30 ～ 140mm 可調(diào)。

-Φ2 ～Φ3 英寸平面圓形靶 2 ～ 3 支，配氣動(dòng)靶控板，靶可擺頭調(diào)角度。

-鍍膜室的極限真空：6X10-5Pa，恢復(fù)工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分鐘左右（新設(shè)備充干燥氮?dú)猓?/p>

-設(shè)備總體漏放率：關(guān)機(jī) 12 小時(shí)真空度≤10Pa。