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最近發(fā)現(xiàn)市場的線纜需求，工業(yè)類和消費類的區(qū)間越來越小，消費類的線材也需要按照工業(yè)類的產(chǎn)品需求設計，便于統(tǒng)一規(guī)格，今天我們分享一個在開發(fā)超強防干擾USB電纜設計過程來討論，該電纜要求在1000伏的外界干擾電壓下能正常通信，在設計開發(fā)的過程中，我們應用了實驗設計的方法,供大家參考交流 實驗設計 實驗設計(Designof Experiments) 是一系列試驗及分析方法集,通過有目的地改變一個系統(tǒng)的輸入來觀察輸出的改變情況。圖1示出一個系統(tǒng)示意圖。圖1 中的系統(tǒng)既可以看作是一個產(chǎn)品開發(fā)過程，也可以看作是一個生產(chǎn)過程。對于一個生產(chǎn)過程, 一般它是由一些機器、操作方法和操作人員所組成的,把一種輸入原材料轉(zhuǎn)變(加工)成某種輸出產(chǎn)品。這種輸出產(chǎn)品具有一些可以觀察的質(zhì)量特性,也可叫響應(例如,產(chǎn)量、強度、硬度等)。一些過程參數(shù)（X1,X2,?,Xp）是可控的,例如直徑、絞距等; 而另一些（Z1,Z2,?,Zq）是不可控的, 它們有時被稱為噪聲參數(shù),例如環(huán)境溫度、濕度等.
實驗設計的目的可能包括: ?確定哪些參數(shù)對響應的影響最大; ?確定應把有影響的參數(shù)設定在什么水平，以使響應達到或盡可能靠近希望值(On target)； ?確定應把有影響的參數(shù)設定在什么水平，以使響應的分散度(或方差)盡可能減??； ?確定應把有影響的參數(shù)設定在什么水平，以使不可控參數(shù)（噪聲參數(shù)）對響應的影響盡可能減小。 因此, 在制造過程的開發(fā)以及解決過程中出現(xiàn)的問題中都可以應用實驗設計,以改善過程的性能,或者使過程對于外部波動源(干涉)不那么敏感，即得到一個“穩(wěn)健”(Robust)的過程，同時還可節(jié)省時間和降低成本。所以,實驗設計對于開發(fā)和改善制造過程,提高產(chǎn)品質(zhì)量是一個非常重要的工程工具。除此之處,實驗設計還可以在新產(chǎn)品開發(fā)或現(xiàn)有產(chǎn)品改進中起到很大作用: ?評價和比較不同設計方案; ?評價代用材料; ?確定影響性能的關鍵產(chǎn)品設計參數(shù)(KPC)。在這些領域應用實驗設計可以改善產(chǎn)品的制造工藝性、增強服役性能和可靠性、降低產(chǎn)品成本和縮短產(chǎn)品開發(fā)周期. ■設計思路 根據(jù)市場的要求，此款線材對抗干擾的要求很高，于是經(jīng)過分析討論之后認為除了達到USB2.0規(guī)范要求的各項參數(shù)要求之外就是要提高該線材的屏蔽效率（SE）和轉(zhuǎn)移阻抗（TI）,轉(zhuǎn)移阻抗是用來表示屏蔽層效率或者屏蔽層保護效果的參數(shù)，轉(zhuǎn)移阻抗用單位長度量表示，即毫歐姆/米（m ohm/m）,對于每一長度的屏蔽電纜而言，假如在其屏蔽層的某個表面有一電流存在，那么在此屏蔽層的另一表面會由此電流而感生一電勢差，上述電勢差與電流之比即為“轉(zhuǎn)移阻抗”。屏蔽電纜的轉(zhuǎn)移阻抗決定了其屏蔽層的效率，它包含兩個方面的含義：防止外界的電磁干擾進入電纜內(nèi)部的能力以及阻止電纜內(nèi)部信號向外部輻射的能力。轉(zhuǎn)移阻抗的數(shù)值越小，其屏蔽層的效果越好！一般量測的分析如下： ■Radiation loss數(shù)據(jù)說明 電磁場散逸在空氣中或介質(zhì)而損失能量。也就是EMI中的輻射干擾(另一種是經(jīng)由電流影響其他裝置的傳導干擾)，這能量若藕合到其它裝置就造成干擾。若輻射損耗要小，則shielding要做好.在低頻時，介質(zhì)的導電率低，故其流經(jīng)的電流很小，然而，在高頻時，介質(zhì)內(nèi)會被導入電流而有損耗.主要的處理方式就是增加鋁箔屏蔽層+編織或者纏繞銅導體來改善此系數(shù).由于在高頻時，電流愈靠近導體周圍流動，稱集膚效應（skin effect），此乃導因在更高頻時，導體中心的inductive reactance增大，強迫電流流向周圍。所以，真正可用的導體面積縮小，導致電阻值增加，損耗增加，增加編織導體或者屏蔽導體就是影響電流變化的方式之一. ■分享過程的公式及各種屏蔽組合參數(shù)的影響度 Impedance(阻抗) = Resistance(電阻) + Reactance(電抗) Reactance有兩種： Inductive reactance (XL = L) 感抗 Capacitive reactance (Xc = 1/ C) 容抗 低頻時：reactance很小，主要是看resistance。因此在直流及低頻時，所量測(譬如用三用電表)到的是電阻. 高頻時：resistance很小，主要是reactance(電容及電感的效應)。故在高頻時，reactance就是指阻抗. ■電纜連接線的屏蔽效果比較： 圖35所示的是電纜連接線的屏蔽效果比較。測試時源端阻抗為100Ω，負載端阻抗為1MΩ。測試用干擾信號為100kHz的磁場信號。 連接（A）：傳輸線為單芯屏蔽線，屏蔽層不與源端和負載端連接，源端和負載端均接本地地。以這種連接方式作為參照基準，其相對屏蔽效能為0dB。 連接（B）：傳輸線為單芯屏蔽線，屏蔽層不與源端連接，但和負載端地連接，源端和負載端均接本地地。其相對屏蔽效能為0dB。 連接（C）：傳輸線為單芯屏蔽線，屏蔽層與源端和負載端地連接，源端和負載端均接本地地。其相對屏蔽效能為27dB。 連接（D）：傳輸線為雙絞線，其一線在源端和負載端均接地，源端和負載端均接本地地。雙絞線在本身具有磁屏蔽作用，但由于地環(huán)路存在使總的磁屏蔽效能下降，其相對屏蔽效能只有13dB。 連接（E）：傳輸線為屏蔽雙絞線，屏蔽層在負載端單端接地，源端和負載端均接本地地。雖然屏蔽層起到電場屏蔽作用，但并沒有增加磁屏蔽效果，所以其相對屏蔽效能仍為13dB。 連接（F）：傳輸線為屏蔽雙絞線，屏蔽層在源端和負載端均接地，源端和負載端均接本地地。由于屏蔽層的阻抗比信號線低，因此分流了很大一部分地環(huán)路噪聲電流，從而增加了磁屏蔽效能，其屏蔽效能為28dB。如果干擾頻率大于1MHz，地環(huán)路噪聲電流在屏蔽層外表面流動，這將進一步提高磁屏蔽作用。 由圖35 a可知，在電路兩端都接地的情況下圖（C）和圖（F）所示的磁屏蔽效能比其他方式高。由于屏蔽層兩端接地，具有磁屏蔽作用，只是在地環(huán)路的影響下磁屏蔽效能不會很大。如果頻率升高達f＞1MHz時，磁屏蔽效能將有很大增加，因為同軸電纜和屏蔽雙絞線地環(huán)路的影響很小。如果頻率降低到10kHz以下，則磁屏蔽作用大大下降。所以圖（C）和圖（F）所示只適合于高頻運用。 圖35 a分析的是電路兩端接地的情況，其缺點是地環(huán)路會減小磁屏蔽效能，特別是低頻時影響更嚴重。如果電路是負載端單端接地則磁屏蔽效能可以大幅度增加，結果由圖35b給出。 連接（G）：傳輸線為單芯屏蔽線，屏蔽層與源端連接和負載端連接，負載端接本地地。這時不存在地環(huán)路，所以沒有地環(huán)路影響。外界磁場能穿過的環(huán)路面積只有屏蔽層與芯線之間很小的面積，因為屏蔽層可以看作是在其中心軸上放置的一根等效導線，而這根等效導線是非?？拷揪€的。這時的相對屏蔽效能可達80dB，與圖（C）所示的電路兩端接地時比較提高了53dB。 連接（H）：傳輸線為雙絞線，連接（I）：傳輸線為屏蔽雙絞線，都是電路單點接地，屏蔽層也是單點接地。雙絞線本身具有磁屏蔽性能，在沒有地環(huán)路影響下充分發(fā)揮了它的磁屏蔽作用，雙絞線可達55dB，屏蔽雙絞線可達70dB。這里屏蔽效能比較的試驗裝置中仍有一定的電場耦合，而雙絞線是沒有電場屏蔽性能的，只有屏蔽雙絞線才具備電場屏蔽性能。因此，連接（I）比連接（H）具有更高的屏蔽效能。此外比較連接（I）與連接（G），可知同軸電纜磁屏蔽效果比屏蔽雙絞線好，這是因為同軸電纜對磁場呈現(xiàn)的環(huán)路面積比雙絞線更小。當然如果進一步增加雙絞線的單位長度的絞合數(shù)則雙絞線的磁屏蔽效能也會增加。 在實際應用中低頻磁屏蔽電路常優(yōu)選連接（I）所示的屏蔽雙絞線，而不是連接（G）所示的同軸電纜。這是因為連接（I）所示的屏蔽層不是信號電路的一部分，僅是起到電場屏蔽作用，而連接（G）中同軸電纜的屏蔽層有信號回流流過。 連接（J）：傳輸線為屏蔽雙絞線，屏蔽雙絞線的屏蔽層兩端接地，這可能降低一些磁屏蔽效能。因為屏蔽層形成了地環(huán)路，噪聲電流在屏蔽層流動時會在內(nèi)部兩根線上產(chǎn)生感應電壓，如果內(nèi)部兩根線對屏蔽層有不平衡處，則兩根線上的感應電壓就不可能完全抵消，從而產(chǎn)生干擾。這種方式測得的磁屏蔽效能為63dB。 連接（K）：傳輸線為屏蔽雙絞線，屏蔽層與源端相連，并在負載端接地，其屏蔽效能比連接（I）高一些，為77dB。這種連接方式結合了連接（I）和連接（G）的特點。但是這種方式并不常用，因為萬一由于某種原因屏蔽層上感染上噪聲就可能流入信號線，因此屏蔽層與信號線還是在一點連接為好。 由圖35 b可知在電路單端接地時采用連接（G）和連接（I）可以得到較高的磁屏蔽效能，實際運用中這兩種方式也最普遍. |
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