GaN是第三代半導(dǎo)體材料，不僅是重要的發(fā)光材料，也是GaN HEMT器件的基礎(chǔ)材料。GaN HEMT器件使用的GaN材料技術(shù)和LED使用的GaN技術(shù)同根同源。GaN HEMT器件是虛擬現(xiàn)實(shí)、5G傳輸、新基建、手機(jī)、汽車、航空等產(chǎn)業(yè)不可缺少的核心器件，GaN材料還可拓展應(yīng)用至AR/VR、智能穿戴等產(chǎn)業(yè)所需要的Micro LED顯示領(lǐng)域。軍用和民用的消費(fèi)將拉動(dòng)GaN HEMT器件和MicroLED成為萬(wàn)億級(jí)市場(chǎng)的核心器件，但目前這一類產(chǎn)品基本上仍依賴進(jìn)口。

我國(guó)制造業(yè)已十分強(qiáng)大，但核心器件方面卻與先進(jìn)國(guó)家差距較大，是我們的薄弱環(huán)節(jié)。2013年以來(lái)，江西以自主創(chuàng)新的硅襯底GaN技術(shù)為基石，在國(guó)家863計(jì)劃支持下，布局GaN HEMT器件材料研究，取得了積極成效。自主培育了中國(guó)LED行業(yè)唯一的中國(guó)科學(xué)院院士，打造了國(guó)家硅基LED工程研究中心，硅襯底GaN基LED技術(shù)取得了2015年度國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。同時(shí)，江西以硅襯底GaN基LED技術(shù)為驅(qū)動(dòng)力，推動(dòng)LED產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量創(chuàng)新發(fā)展，孵化出世界領(lǐng)先的LED技術(shù)，其中硅襯底黃光LED(565nm@20A/cm2）電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到27.9%，處于國(guó)際領(lǐng)先水平。

當(dāng)前，我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為全球最大的LED制造基地，建立了完備的產(chǎn)業(yè)鏈體系，為全球萬(wàn)億LED市場(chǎng)貢獻(xiàn)了70-80%的產(chǎn)品。而江西在大功率LED核心器件領(lǐng)域居國(guó)內(nèi)領(lǐng)先且在世界占據(jù)一席之地，2020年江西大功率LED核心器件實(shí)現(xiàn)了62%的逆勢(shì)增長(zhǎng)，并且擁有完整產(chǎn)業(yè)鏈，覆蓋MO源、MOCVD核心設(shè)備、外延、芯片、封裝器件以及LED應(yīng)用。江西有大規(guī)模制造LED用的硅襯底GaN材料的能力，如果將這種制造能力移植到第三代半導(dǎo)體材料GaN及其器件的開發(fā)和大規(guī)模制造中，有望實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體材料器件領(lǐng)域的“彎道超車”，構(gòu)建我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展格局。

硅襯底GaN技術(shù)盡管優(yōu)勢(shì)明顯，仍然面臨諸多“卡脖子”的問(wèn)題，需要投入更多的資源來(lái)解決。因此建議將硅襯底GaN技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)化上升為國(guó)家戰(zhàn)略給予支持，具體如下：

一是建議設(shè)立硅襯底GaN技術(shù)重大研發(fā)專項(xiàng)。目前，我國(guó)硅襯底GaN技術(shù)的藍(lán)光LED研究水平與世界并跑，黃光LED技術(shù)世界領(lǐng)跑。但根據(jù)美國(guó)能源部發(fā)布的LED照明研發(fā)路線圖，紫外、藍(lán)光、綠光、黃光、紅光等LED依然還有很大的空間需要提升，還有較多的關(guān)鍵技術(shù)有待突破，仍然需要大的投入；同時(shí)雖然江西已布局了基于硅襯底GaN技術(shù)的微顯示Micro LED和GaN HEMT器件的材料技術(shù)研究，并在國(guó)家863計(jì)劃的支持下，取得了領(lǐng)先的成果，但微顯示Micro LED以及GaN HEMT器件領(lǐng)域由于市場(chǎng)規(guī)模巨大，是國(guó)際研究熱點(diǎn)，需要與國(guó)外企業(yè)搶時(shí)間，急需大量的資源投入。建議設(shè)立硅襯底GaN技術(shù)攻關(guān)專項(xiàng)，從國(guó)家層面給予更大的資金和資源集中攻關(guān)，推進(jìn)構(gòu)建自主可控的第三代半導(dǎo)體GaN材料體系。

二是建議設(shè)立國(guó)家硅襯底GaN技術(shù)或制造業(yè)創(chuàng)新平臺(tái)，發(fā)展以第三代半導(dǎo)體GaN為材料的硬核科技。聚焦LED、微顯示、GaN HEMT器件等硅襯底GaN技術(shù)優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域，建設(shè)高水平創(chuàng)新平臺(tái)，將匯聚全球人才、激活創(chuàng)新資源、突破關(guān)鍵技術(shù)瓶頸、發(fā)展硬核科技、促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化，以硅襯底GaN技術(shù)在LED領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化的成功經(jīng)驗(yàn)，推動(dòng)GaN HEMT等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的大發(fā)展。