第三代半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)準(zhǔn)入門檻極高，碳化硅晶體生長(zhǎng)極其困難，只有少數(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家掌握碳化硅晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)。碳化硅晶體國(guó)產(chǎn)化，對(duì)打破第三代半導(dǎo)體的國(guó)外壟斷至關(guān)重要。

　　——馮四江 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司董事會(huì)秘書

◎本報(bào)記者 陸成寬

　　科研和經(jīng)濟(jì)聯(lián)系不緊密問題，是多年來的一大痼疾。如何更好地促進(jìn)科技成果從“書架”走向“貨架”，近年來，各方作出了一系列嘗試。

　　1月20日，科技日?qǐng)?bào)記者在2020年度科技讓生活更美好中國(guó)科學(xué)院科技成果路演活動(dòng)上了解到，中國(guó)科學(xué)院物理研究所科技成果產(chǎn)業(yè)落地企業(yè)——北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱天科合達(dá)）致力于碳化硅晶片生產(chǎn)，解決關(guān)鍵核心技術(shù)難題，打破國(guó)際壟斷，成為全球主要碳化硅晶片生產(chǎn)企業(yè)之一。

　　歷時(shí)十余年攻克關(guān)鍵技術(shù)

　　以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料，是繼硅材料之后最有前景的半導(dǎo)體材料之一。

　　與硅材料相比，以碳化硅晶片為襯底制造的半導(dǎo)體器件具備高功率、耐高壓、耐高溫、高頻、低能耗、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。其中，以導(dǎo)電型碳化硅晶片為襯底制成的碳化硅功率器件可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域。

　　同時(shí)，以半絕緣型碳化硅晶片為襯底制成的射頻器件可應(yīng)用于5G通訊、雷達(dá)、衛(wèi)星等領(lǐng)域，隨著5G通訊應(yīng)用的成熟，半絕緣型碳化硅晶片市場(chǎng)規(guī)模呈持續(xù)增長(zhǎng)趨勢(shì)。第三代半導(dǎo)體行業(yè)是我國(guó)新基建的重要組成部分，并有望引發(fā)科技變革并重塑國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。

　　“但是，第三代半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)準(zhǔn)入門檻極高，碳化硅晶體生長(zhǎng)極其困難，只有少數(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家掌握碳化硅晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)。碳化硅晶體國(guó)產(chǎn)化，對(duì)打破第三代半導(dǎo)體的國(guó)外壟斷至關(guān)重要?！碧炜坪线_(dá)公司董事會(huì)秘書馮四江在演講中說。

　　1999年以來，中國(guó)科學(xué)院物理研究所的研究團(tuán)隊(duì)立足自主研發(fā)，歷時(shí)十余年，從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究，突破了生長(zhǎng)設(shè)備到高質(zhì)量碳化硅晶體生長(zhǎng)和加工等關(guān)鍵技術(shù)，碳化硅晶體生長(zhǎng)和加工覆蓋“設(shè)備研制—原料合成—晶體生長(zhǎng)—晶體切割—晶片加工—清洗檢測(cè)”的全流程，形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的完整技術(shù)路線，實(shí)現(xiàn)了碳化硅晶體國(guó)產(chǎn)化、產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)生了良好的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益，推動(dòng)了我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

　　科研主力軍挺進(jìn)經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場(chǎng)

　　當(dāng)前，碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于產(chǎn)業(yè)爆發(fā)期，其中晶圓是發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心材料，關(guān)系國(guó)家安全和經(jīng)濟(jì)、社會(huì)發(fā)展。

　　作為中國(guó)科學(xué)院物理研究所碳化硅科技成果落地企業(yè)，天科合達(dá)是國(guó)內(nèi)首家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，先后研制出2英寸、3英寸、4英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底，于2014年在國(guó)內(nèi)首次研制出6英寸碳化硅晶片，工藝技術(shù)水平處于領(lǐng)先地位。

　　為推進(jìn)我國(guó)半導(dǎo)體關(guān)鍵材料生產(chǎn)技術(shù)盡快實(shí)現(xiàn)自主可控，天科合達(dá)總經(jīng)理?xiàng)罱◣ьI(lǐng)技術(shù)和生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)于2015年底在北京市大興區(qū)建成了年產(chǎn)6萬片碳化硅單晶襯底生產(chǎn)線；2019年底在江蘇省徐州市建成了年產(chǎn)4萬片碳化硅單晶襯底生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)大尺寸碳化硅襯底產(chǎn)品的規(guī)?；?yīng)；2020年8月在北京市大興區(qū)開工建設(shè)年產(chǎn)12萬片、總投資額9.57億元的碳化硅單晶生產(chǎn)線，為國(guó)產(chǎn)碳化硅材料在功率器件和微波射頻器件等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。

　　根據(jù)法國(guó)市場(chǎng)研究與戰(zhàn)略咨詢公司Yole Development統(tǒng)計(jì)，2019年天科合達(dá)的導(dǎo)電型碳化硅晶片的全球市場(chǎng)占有率為4.23%，排名全球第五、國(guó)內(nèi)第一。

　　中國(guó)科學(xué)院副院長(zhǎng)、黨組成員張濤表示，希望更多的社會(huì)資本、企業(yè)家共同關(guān)注和推動(dòng)科技成果轉(zhuǎn)化，促進(jìn)科技成果從“書架”走向“貨架”；也呼吁更多的科研主力軍挺進(jìn)國(guó)民經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場(chǎng)，為經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展提供有力的科技支撐。

（《科技日?qǐng)?bào)》2021年2月3日第 6  版。）