電磁爐灶在使用時(shí)，每當(dāng)將電源插頭插入電源插座接通市電時(shí)，其高壓電路就立即通電。正是這種供電方式，容易造成接插電源插頭時(shí)常因接觸不良打火，而使橋整流塊或igbt管擊穿損壞。

    在電磁灶中，高壓電路主要是為igbt管供電，igbt管是工作在開關(guān)狀態(tài)，其負(fù)載主要是lc振蕩回路。而同樣工作于開關(guān)狀態(tài)的彩電中的行掃描管卻不存在這樣的問題，這是因?yàn)橐环矫嬖诓孰娭泄┙o行輸出管的集電極高壓是由開關(guān)穩(wěn)壓電源提供，而開關(guān)穩(wěn)壓電源一般都由主電源開關(guān)或二次開機(jī)電路控制，因此，不存在電源插頭接插不良所造成加在行管上的高壓斷續(xù)現(xiàn)象。

    另一方面在彩電中，行輸出管的最大允許反峰電壓一般不超過1500vp—p，但造成它擊穿的原因常見是行逆程電容失效、變值使行逆程反峰升高或是開關(guān)控制信號(hào)激勵(lì)不足。為防止這一點(diǎn)，在一些高檔彩電中常設(shè)置有行反峰過高保護(hù)電路(或x射線保護(hù)電路)，一旦行逆程反峰超過限定值，保護(hù)電路就會(huì)立即動(dòng)作，并執(zhí)行二次關(guān)機(jī)功能，切斷加到行輸出管集電極的高工作電壓，從而不僅有效地保護(hù)了行輸出管，也起到了保護(hù)整機(jī)電路的作用。

    而在電磁灶中，雖然igbt管的反向擊穿電壓一般在1200v以上，但是，一旦因電源插頭接觸不良打火或lc回路中的振蕩電容不良或失效，便會(huì)在igbt管的c極激起超高的反峰脈沖，此時(shí)，盡管通過取樣電路及l(fā)339n(四比較器)能夠自動(dòng)調(diào)節(jié)pwm調(diào)寬脈沖的占與空比，卻因反應(yīng)不迅速而起不到保護(hù)作用，而使igbt管遭到擊穿損壞，進(jìn)而連帶整流橋乃至諧振電容一起損壞。其保護(hù)功能不能及時(shí)起作用的主要原因就是沒能像彩電那樣及時(shí)切斷高壓供電電源，這與電網(wǎng)事故或?yàn)?zāi)害的搶救時(shí)，首先切斷電源的第一基本原則也不相符。雖然在電磁灶中設(shè)置有10a／250v(或15a／250v)電源保險(xiǎn)絲，但在電源保險(xiǎn)絲燒斷時(shí)，igbt管或橋整流器早已擊穿損壞，這樣的保護(hù)是不完善的。

    對(duì)此，小編總結(jié)出以下幾點(diǎn)：

    1、對(duì)電磁灶目前保護(hù)措施加以改進(jìn)

    建議選用帶有大于10a開關(guān)的高質(zhì)量排插作為電磁灶專用排插，在使用時(shí)待電磁灶插頭插好后，再接通排插上的開關(guān)，使電磁灶接通電源。當(dāng)電磁灶用畢并關(guān)閉電磁灶上的電源開關(guān)后，再關(guān)閉排插上的開關(guān)，最后拔下電源插頭，以避免插頭帶電插拔損壞tgbt管。

    2、改變電磁灶內(nèi)供電方式

    (1)改變電磁灶低壓供電源的供電方式，即低壓電源不通過300v高壓提供。在彩電中，總是先有低壓，后產(chǎn)生高壓，這樣相對(duì)比較安全，保護(hù)電路動(dòng)作也能及時(shí)有效。

    (2)建議在igbt管發(fā)射極串接一只快速熔斷限流電阻。

    3、造成igbt管損壞的其他原因

    由于lgbt管相橋整流器損壞率最高，且費(fèi)用也最高，所以是電磁灶故障檢修的重中之重。但igbt管和橋整流器損壞的原因除電源插頭接觸不良打火外，還有其他幾個(gè)重要原因：

    (1)lc并聯(lián)回路中的振蕩電容(常見型號(hào)有0.33uf／1200v或0．27uf／1200v等)不良、失效或變值等。

    (2)pwm脈沖積分濾波電容不良、失效或變值(常見型號(hào)有10uf／25v、4．7uf/50v等)，使激勵(lì)方波占空比改變。

    (3)300v高壓濾波電容(常見型號(hào)有5uf／275v)漏電。

    因此，在igbt管和橋整流擊穿的故障維修中，注意檢查上述3個(gè)電容是否正常是很重要的，也是注意區(qū)別igbt管和橋整流器擊穿損壞原因的一個(gè)主要依據(jù)。若檢查時(shí)上述3個(gè)電容正常(必要時(shí)可更換有疑問的電容來判斷)，則一般是電源插頭接觸不良所致。