雙極晶體管一般指雙極型晶體管，由兩個背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號增益的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點接觸晶體三極管，50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和NPN型。在這3層半導(dǎo)體中，中間一層稱基區(qū)，外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)基區(qū)注入少量電流時，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會形成較大的電流，這就是晶體管的放大效應(yīng)。

雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor）

雙極型晶體管是一種電流控制器件，電子和空穴同時參與導(dǎo)電。同場效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管開關(guān)速度慢，輸入阻抗小，功耗大。雙極型晶體管體積小、重量輕、耗電少、壽命長、可靠性高，已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達、計算機、自控裝置、電子儀器、家用電器等領(lǐng)域，起放大、振蕩、開關(guān)等作用。晶體管：用不同的摻雜方式在同一個硅片上制造出三個摻雜區(qū)域，并形成兩個PN結(jié)，就構(gòu)成了晶體管。

雙極晶體管分類

晶體管分類：雙極型晶體管和場效應(yīng)管

雙極型晶體管分類：NPN型管和PNP型管

雙極晶體管特點

輸入特性曲線：描述了在管壓降UCE一定的情況下，基極電流iB與發(fā)射結(jié)壓降uBE之間的關(guān)系稱為輸入伏安特性，可表示為： 硅管的開啟電壓約為0.7V，鍺管的開啟電壓約為0.3V。

輸出特性曲線：描述基極電流IB為一常量時，集電極電流iC與管壓降uCE之間的函數(shù)關(guān)系?？杀硎緸椋?/p>

雙極型晶體管輸出特性可分為三個區(qū)

★截止區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三極管當(dāng)作一個開關(guān)，這個狀態(tài)相當(dāng)于斷開狀態(tài)。

★飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正向偏置。在飽和區(qū)IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三極管當(dāng)作一個開關(guān)，這時開關(guān)處于閉合狀態(tài)。

★放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。

放大區(qū)的特點是：

◆IC受IB的控制，與UCE的大小幾乎無關(guān)。因此三極管是一個受電流IB控制的電流源。

◆特性曲線平坦部分之間的間隔大小，反映基極電流IB對集電極電流IC控制能力的大小，間隔越大表示管子電流放大系數(shù)b越大。

◆伏安特性最低的那條線為IB=0，表示基極開路，IC很小，此時的IC就是穿透電流ICEO。

◆在放大區(qū)電流電壓關(guān)系為：UCE=EC-ICRC, IC=βIB

◆在放大區(qū)管子可等效為一個可變直流電阻。

極間反向電流：是少數(shù)載流子漂移運動的結(jié)果。

集電極－基極反向飽和電流ICBO ：是集電結(jié)的反向電流。

集電極－發(fā)射極反向飽和電流ICEO ：它是穿透電流。

ICEO與CBO的關(guān)系：

特征頻率 ：由于晶體管中PN結(jié)結(jié)電容的存在，晶體管的交流電流放大系數(shù)會隨工作頻率的升高而下降，當(dāng) 的數(shù)值下降到1時的信號頻率稱為特征頻率 。

雙極型晶體管極限參數(shù)

★最大集電極耗散功率 如圖所示。

★最大集電極電流 :使b下降到正常值的1/2～2/3時的集電極電流稱之為集電極最大允許電流。

★極間反向擊穿電壓：晶體管的某一電極開路時，另外兩個電極間所允許加的最高反向電壓即為極間反向擊穿電壓，超過此值的管子會發(fā)生擊穿現(xiàn)象。溫度升高時，擊穿電壓要下降。

雙極晶體管影響

BVcbo

是發(fā)射極開路時集電極-基極間的反向擊穿電壓，這是集電結(jié)所允許加的最高反向電壓。是基極開路時集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓，此時集電結(jié)承受的反向電壓。

BVebo

是集電極開路時發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓，這是發(fā)射結(jié)所允許加的最高反向電壓。

BVceo

這是共發(fā)射極組態(tài)的擊穿電壓，即基極開路時、集電極與發(fā)射極之間的擊穿電壓。由于在基極開路時，集電結(jié)是反偏、發(fā)射結(jié)是正偏的，即BJT處于放大狀態(tài)。

溫度對的影響： 是集電結(jié)加反向電壓時平衡少子的漂移運動形成的，當(dāng)溫度升高時，熱運動加劇，更多的價電子有足夠的能量掙脫共價鍵的束縛，從而使少子的濃度明顯增大， 增大。

溫度每升高10 時， 增加約一倍。硅管的 比鍺管的小得多，硅管比鍺管受溫度的影響要小。

溫度對輸入特性的影響：溫度升高，正向特性將左移。

溫度對輸出特性的影響：溫度升高時 增大。

光電三極管：依據(jù)光照的強度來控制集電極電流的大小。

暗電流ICEO：光照時的集電極電流稱為暗電流ICEO，它比光電二極管的暗電流約大兩倍；溫度每升高25 ，ICEO上升約10倍。