在學(xué)習(xí)SDRAM之前，必須先了解"SDRAM"這個概念性的東西，并由感性的認識轉(zhuǎn)變到一種理性的認識，所謂理性的認識就是實質(zhì)性的東西…….不多說，相信你已經(jīng)迫不急待了。那我們就開始了。

初識SDRAM
SDRAM的全稱是：Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指 Memory工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。

相信通過這段話，你已經(jīng)知道什么是SDRAM了，這里面有幾個概念性的東西需要我們好好了解：同步、動態(tài)、隨機。

同步：這個詞在FPGA設(shè)計之中我們經(jīng)常會遇到它，它反映了驅(qū)動sdram必須遵守一種時序原則，就是數(shù)據(jù)/命令和時鐘在時間上同時的概念，也是在驅(qū)動sdram時要十分注意的一點。

動態(tài)：RAM這中存儲結(jié)構(gòu)會掉電丟失，在上電的時候也會丟失。為什么？因為SDRAM內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)是二進制數(shù)據(jù)，非0則1。用來存儲該二進制數(shù)據(jù)的電路是由電容構(gòu)成的，由于電容這種器件會隨著時間而慢慢放電，就像人的記憶一樣，有些記憶會隨著時間的流逝而淡忘了。很簡單，如果你不想讓某些事某些人淡忘，怎么辦？就只有時不時地去回憶。那SDRAM不想"忘"了它的數(shù)據(jù)，怎么辦，一樣，也只有不斷地回憶，就是不斷地去刷新里面的存儲電路。

隨機：隨機就是不指定為一次連續(xù)，也就是可以對SDRAM里面的隨意地址進行讀寫操作。

SDRAM的歷史
SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.

第一代SDRAM采用單端（Single-Ended）時鐘信號,第二代、第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時鐘信號作為同步時鐘。

SDR SDRAM的時鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲的頻率，第一代內(nèi)存用時鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘信號為100或133MHz，數(shù)據(jù)讀寫速率也為100或133MHz。

之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）內(nèi)存則采用數(shù)據(jù)讀寫速率作為命名標(biāo)準(zhǔn)，并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。

DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1600。

實驗中要操作的SDRAM就是第一代SDRAM，雖然SDRAM經(jīng)歷了這么多次的更新?lián)Q代，但其內(nèi)部的架構(gòu)還是相差無幾，更多的是在速率和存儲數(shù)量上的不同。

實驗的SDRAM介紹
通過上面的兩節(jié)，相信你已經(jīng)對SDRAM已經(jīng)有了大致的了解。現(xiàn)在就以實驗中用到的SDRAM–HY57V641620ET-H（海力士的SDRAM）為一個例子對SDRAM的內(nèi)部結(jié)果進行一個詳細的介紹

HY57V641620ET-H的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

    通過上圖可以看到SDRAM的"五臟六腑"，下面就來一一剖析：

SDRAM指令接口模塊，這些信號組成了SDRAM的控制指令，控制指令通過"state machine"進行譯碼，由此產(chǎn)生了一系列的控制動作。

SDRAM地址線，其中包括塊地址線、行地址線、列地址線，至于會有這么多線，是因為用到了總線復(fù)用，其行線和列線分時復(fù)用，從而節(jié)省了總線資源，又可以操作到SDRAM的全部存儲單元。至于塊地址線，下面會講到。

SDRAM存儲塊和數(shù)據(jù)接口：HY57V641620ET-H內(nèi)部存儲由四個一模一樣的存儲塊組成，至于怎么識別這四個存儲塊，必須要有兩條地址線，所以就用到了上面的那兩條地址線。

動作電路模塊：這幾個模塊主要是根據(jù)"state machine"的譯碼結(jié)果進行工作的、包括行列地址的編碼、自刷新定時和自刷新操作。

模式寄存器解碼和突發(fā)操作模塊：在對SDRAM的寄存器進行配置的時候，是通過地址線對SDRAM進行配置的，SDRAM中有一種突發(fā)操作模式，該模式由寄存器進行配置，所以該電路中包含一個突發(fā)操作的計數(shù)器。至于突發(fā)操作的原理下面會涉及到。

相信看到這里，你已經(jīng)對SDRAM由感性的認識升級到實質(zhì)性的認識，恭喜你，哈哈….

HY57V641620ET-H的存儲量
看到這之前相信你應(yīng)該了解過不少SDRAM的資料，也相信很多資料中從未講過SDRAM名稱的問題，現(xiàn)在我就來幫你解析這個SDRAM

HY：代表是海力士的SDRAM存儲器

57：代表這是SDRAM芯片

V：代表這個SDRAM芯片工作電壓是3.3V

641620：代表這個SDRAM芯片的存儲容量

ET：代表SDRAM的塊反應(yīng)時間和封裝

H：代表SDRAM的速度等級

下面我們來計算下這個芯片的存儲容量：

存儲容量由存儲深度和存儲寬度決定，這是任何存儲芯片存儲容量的定義；

存儲深度：HY57V641620ET-H內(nèi)部有4個塊，每個塊有行地址12bit，列地址8bit

所以每個塊就有2^12*28 = 4096256=1048576個存儲單元，4個塊就有41048576=4194304個存儲單元。

存儲寬度：該SDRAM的數(shù)據(jù)位寬為16bit

存儲容量：4194304*16bit = 67108864bit，就是64M