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來源：旺材芯片 雙極擴散系數(shù)：過剩載流子的有效擴散系數(shù)。 雙極遷移率：過剩載流子的有效遷移率。 雙極輸運：具有相同擴散系數(shù)、遷移率和壽命的過剩電子和空穴的擴散、遷移和復合過程。 雙極輸運方程：時間和空間變量描述過剩載流子狀態(tài)函數(shù)的方程。 載流子的產生：電子從價帶躍入導電，形成電子-空穴對的過程。 載流子的復合：電子落入價帶中的空能態(tài)（空穴）導致電子-空穴對消滅的過程。 過剩載流子：過剩電子和空穴的總稱。 過剩電子：導帶中超出熱平衡狀態(tài)濃度的電子濃度。 過剩少子壽命：過剩少子在復合前存在的平均時間。 產生率：電子-空穴對產生的速（#/cm3-s）。 小注入：過剩載流子濃度遠小于熱平衡多子濃度的情況。 少子擴散長度：少子在復合前的平均擴散距離：數(shù)學表示為 ，其中D和τ分別為少子壽命。 準費米能級：電子和空穴的準費米能級分別將電子和空穴的非平衡濃度狀態(tài)濃度與本征載流費米能級聯(lián)系起來。 復合率：電子-空穴對復合的速率#/cm3-s）。 表面態(tài)：半導體表面禁帶中存在的電子能態(tài)。 電導率：關于載流子漂移的材料參數(shù)；可量化為漂移電流密度和電場強度之比。 擴散：粒子從高濃度區(qū)向底濃度區(qū)運動的過程。 擴散系數(shù)：關于粒子流動與粒子濃度剃度之間的參數(shù)。 擴散電流：載流子擴散形成的電流。 漂移：在電場作用下，載流子的運動過程。 漂移電流：載流子漂移形成的電流。 漂移速度：電場中載流子的平均漂移速度。 愛因斯坦關系：擴散系數(shù)和遷移率的關系。 霍爾電壓：在霍爾效應測量中，半導體上產生的橫向壓降。 電離雜質散射：載流子忽然電離雜質原子之間的相互作用。 遷移率：關于載流子漂移和電場強度的參數(shù)。 電阻率：電導率的倒數(shù)；計算電阻的材料參數(shù)。 飽和速度：電場強度增加時，載流子漂移速度的飽和度。 受主原子：為了形成P型材料而加入半導體的雜質原子。 載流子電荷：在半導體內運動并形成電流的電子和（或）空穴。 雜質補償半導體：同一半導體區(qū)域內既含有施主雜質又含有受主雜質的半導體。 完全電離：所有施主雜質原子因失去電子而帶正電，所有受主雜質原子因獲得電子而帶負電的情況。 簡并半導體：電子或空穴的濃度大于有效狀態(tài)密度，費米能級位于導帶中（n型）或價帶中（p型）的半導體。 施主原子：為了形成n型材料而加入半導體內的雜質原子。 有效狀態(tài)密度：即在導帶能量范圍內對量子態(tài)密度函數(shù)gc（E）與費米函數(shù)fF(E)的乘積進行積分得到的參數(shù)Nc；在價帶能量范圍內對量子態(tài)密度函數(shù)gu(E)與[1-fF(E)]的乘積進行積分得到的參數(shù)Nv。 非本征半導體：進行了定量施主或受主摻雜，從而使電子濃度或空穴濃度偏離本征載流子濃度產生多數(shù)載流子電子（n型）或多數(shù)載流子空穴（p型）的半導體。 束縛態(tài)：低溫下半導體內的施主與受主呈現(xiàn)中性的狀態(tài)。此時，半導體內的電子濃度與空穴濃度非常小。 本征載流子濃度ni：本征半導體內導帶電子的濃度和價帶空穴的濃度（數(shù)值相等）。 本征費米能級EFi：本征半導體內的費米能級位置。 本征半導體：沒有雜質原子且晶體中無晶格缺陷的純凈半導體材料。 非簡并半導體：摻入相對少量的施主和（或）受主雜質，使得施主和（或）受主能級分立、無相互作用的半導體。 允帶：在量子力學理論中，晶體中可以容納電子的一系列能級。 狀態(tài)密度函數(shù)：有效量子態(tài)的密度。它是能量的函數(shù)，表示為單位體積單位能量中的量子態(tài)數(shù)量。 電子的有效質量：該參數(shù)將晶體導帶中電子的加速度與外加的作用力聯(lián)系起來，該參數(shù)包含了晶體中的內力。 費米-狄拉克慨率函數(shù)：該函數(shù)描述了電子在有效能級中的分布，代表了一個允許能量狀態(tài)被電子占據(jù)的慨率。 費米能級：用最簡單的話說該能量在T=OK時高于所有被電子填充的狀態(tài)的能量，而低于所有空狀態(tài)能量。 禁帶：在量子力學理論中，晶體中不可以容納電子的一系列能級。 空穴：與價帶頂部的空狀態(tài)相關的帶正電“粒子”。 空穴的有效質量：該參數(shù)同樣將晶體價帶中空穴的加速度與外加的作用力聯(lián)系起來，而且包含了晶體中的內力。 K空間能帶圖：以k為坐標的晶體能量曲線，其中k為與運動常量有關的動量，該運動常量結合了晶體內部的相互作用。 克龍尼龍-潘納模型：由一系列周期性階躍函數(shù)組成，是代表一維單晶晶格周期性勢函數(shù)的數(shù)學模型。 麥克斯韋-玻爾茲曼近似：為了用簡單的指數(shù)函數(shù)近似費米-狄拉克函數(shù)，從而規(guī)定滿足費米能級上下若干kT的約束條件。 泡利不相容原理：該原理指出任意兩個電子都不會出子處在同一量子態(tài)。 德布羅意波長：普朗克常數(shù)與粒子動量的比值所得的波長。 海森堡不確定原理：該原理指出我們無法精確確定成組的共軛變量值，從而描述粒子的狀態(tài)，如動量和坐標。 光子：電磁能量的粒子形態(tài)。 量子化能量：束縛態(tài)粒子所處的分立能量級。 量子數(shù)：描述粒子狀態(tài)的一組數(shù)，例如原子中的電子。 量子態(tài)：可以通過量子數(shù)描述的粒子狀態(tài)。 隧道效應：粒子穿透薄層勢壘的量子力學現(xiàn)象。 波粒二相形：電磁波有時表現(xiàn)為粒子狀態(tài)，而粒子有時表現(xiàn)為波動狀態(tài)的特性。 二元半導體：兩元素化合物半導體，如GaAs。 共價鍵：共享價電子的原子間鍵合。 金剛石晶格：硅的原子晶體結構，亦即每個原子有四個緊鄰原子，形成一個四面體組態(tài)。 摻雜：為了有效地改變電學特性，往半導體中加入特定類型的原子的工藝。 元素半導體：單一元素構成的半導體，比如硅、鍺。 外延層：在襯底表面形成的一薄層單晶材料。 離子注入：一種半導體摻雜工藝。 晶格：晶體中原子的周期性排列。 密勒指數(shù)：用以描述晶面的一組整數(shù)。 原胞：可復制得到整個晶格的最小單元。 襯底：用于更多半導體工藝，比如外延或擴散的基礎材料，半導體硅片或其他材料。 三元半導體：三元素化合物半導體，如AlGaAs. 晶胞：可以重構出整個晶體的一小部分晶體。 鉛鋅礦晶格：與金剛石晶格相同的一種晶格，但它有兩種類型的原子而非一種。 突變結近似：認為從中性半導體區(qū)到空間電荷區(qū)的空間電荷密度有一個突然的不連續(xù)。 內建電勢差：熱平衡狀態(tài)下pn結內p區(qū)與n區(qū)的靜電點勢差。 耗盡層電容：勢壘電容的另一種表達。 耗盡區(qū)：空間電荷區(qū)的另一種表達。 超突變結：一種為了實現(xiàn)特殊電容-電壓特性而進行冶金結處高摻雜的pn結，其特點為pn結一側的摻雜有冶金結處開始下降。 勢壘電容（結電容）：反向偏置下pn結的電容。 線性緩變結：冶金結兩側的摻雜濃度可以由線性分布近似的pn結。 冶金結：pn結內p型摻雜與n型摻雜的分界面。 單邊突變結：冶金結一側的摻雜濃度大于另一側的摻雜濃度的pn結。 反偏：pn結的n區(qū)相對于p區(qū)加正電壓，從而使p區(qū)與n區(qū)之間勢壘的大小超過熱平衡狀態(tài)時勢壘的大小。 空間電荷區(qū)：冶金結兩側由于n區(qū)內施主電離和p區(qū)內受主電離而形成的帶凈正電與負電的區(qū)域。 空間電荷區(qū)寬度：空間電荷區(qū)延伸到p區(qū)與n區(qū)內的距離，它是摻雜濃度與外加電壓的函數(shù)。 變容二極管：電容隨著外加電壓的改變而改變的二極管。 雪崩擊穿：電子和（或）空穴穿越空間電荷區(qū)時，與空間電荷區(qū)原子的電子發(fā)生碰撞產生電子-空穴對，在pn結內形成一股很大的反偏電流，這個過程就稱為雪崩擊穿。 載流子注入：外加偏壓時，pn結體內載流子穿過空間電荷區(qū)進入p區(qū)或n區(qū)的過程。 臨界電場：發(fā)生擊穿時pn結空間電荷區(qū)的最大電場強度。 擴散電容：正偏pn結內由于少子的存儲效應而形成的電容。 擴散電導：正偏pn結的低頻小信號正弦電流于電壓的比值。 擴散電阻：擴散電導的倒數(shù)。 正偏：p區(qū)相對于n區(qū)加正電壓，此時結兩側的電勢差要低于熱平衡時的值。 產生電流：pn結空間電荷區(qū)內由于電子-空穴對熱產生效應形成的反偏電流。 長二極管：電中性p區(qū)與n區(qū)的長度大于少子擴散長度的二極管。 復合電流：穿越空間電荷區(qū)時發(fā)生復合的電子與空穴所產生的正偏pn結電流。 反向飽和電流：pn結體內的理想反向電流。 短二極管：電中性p區(qū)與n區(qū)中至少有一個區(qū)的長度小于少子擴散長度的pn結二極管。 存儲時間：當pn結二極管由正偏變?yōu)榉雌珪r，空間電荷區(qū)邊緣的過剩少子濃度有穩(wěn)態(tài)值變成零所用的時間。 反型異質結：摻雜劑在冶金結處變化的異質結。 電子親合規(guī)則：這個規(guī)則是指，在一個理想的異質結中，導帶處的不連續(xù)性是由于兩種半導體材料的電子親合能不同引起的。 異質結：兩種不同半導體材料接觸形成的結。 鏡像力降低效應：由于電場引起的金屬-半導體接觸處勢壘值降低的現(xiàn)象。 同型異質結：摻雜劑在冶金結處不變的異質結。 歐姆接觸：金屬半導體接觸電阻很低，且在結兩邊都能形成電流的接觸。 理查德森常數(shù)：肖特基二極管的I-V關系中的一個參數(shù)A*。 肖特基勢壘高度：金屬-半導體結中從金屬到半導體的勢壘φBn。 肖特基效應：鏡像力降低效應的另一種形式。 單位接觸電阻：金屬半導體接觸的J-V曲線在V=0時的斜率的倒數(shù)。 熱電子發(fā)射效應：載流子具有足夠的熱能時，電荷流過勢壘的過程。 隧道勢壘：一個薄勢壘，在薄勢壘中，起主要作用的電流是隧道電流。 二維電子氣（2-DEG）：電子堆積在異質結表面的勢阱中，但可以沿著其他兩個方向自由流動。 截止頻率：共基極電流增益幅值變?yōu)槠漕l率值的1 時的頻率，就是截止頻率。 禁帶變窄：隨著發(fā)燒區(qū)摻雜，禁帶的寬度減小。 基區(qū)渡越時間：少子通過中性基區(qū)所用的時間。 基區(qū)輸運系數(shù)：共基極電流增益中的一個系數(shù)，體現(xiàn)了中性基區(qū)中載流子的復合。 基區(qū)寬度調制效應：隨C-E結電壓或C-B結電壓的變化，中性基區(qū)寬度的變化。 β截止頻率：共發(fā)射極電流增益幅值下降到其頻率值的1 時的頻率。 集電結電容充電時間：隨發(fā)射極電流變化，B-C結空間電荷區(qū)和集電區(qū)-襯底結空間電荷區(qū)寬度發(fā)生變化的時間常數(shù)。 集電結耗盡區(qū)渡越時間：載流子被掃過B-C結空間電荷區(qū)所需的時間。 共基極電流增益：集電極電流與發(fā)射極電流之比。 共發(fā)射極電流增益：集電極電流與基極電流之比。 電流集邊：基極串聯(lián)電阻的橫向壓降使得發(fā)射極電流為非均勻值。 截止：晶體管兩個結均為加零偏或反偏時，晶體管電流為零的工作狀態(tài)。 截止頻率：共發(fā)射極電流增益的幅值為1時的頻率。 厄爾利電壓：反向延長晶體管的I-V特性曲線與電壓軸交點的電壓的絕對值。 E-B結電容充電時間：發(fā)射極電流的變化引起B(yǎng)-E結空間電荷區(qū)寬度變化所需的時間。 發(fā)射極注入效率系數(shù)：共基極電流增益的一個系數(shù)，描述了載流子從基區(qū)向發(fā)射區(qū)的注入。 正向有源：B-E結正偏、B-C結反偏時的工作模式。 反向有源：B-E結反偏、B-C結正偏時的工作模式。 輸出電導：集電極電流對C-E兩端電壓的微分之比。 堆積層電荷：由于熱平衡載流子濃度過剩而在氧化層下面產生的電荷。 體電荷效應：由于漏源電壓該變而引起的沿溝道長度方向上的空間電荷寬度改變所導致的漏電流偏離理想情況。 溝道電導：當VDS→0時漏電流與漏電壓之比。 溝道電導調制：溝道電導隨柵源電壓改變的過程。 CMOS：互補MOS；將P溝和n溝器件制作在同一芯片上的電路工藝。 截止頻率：輸入交流柵電流等于輸出交流漏電流時的信號頻率。 耗盡型MOSFET：必須施加柵電壓才能關閉的一類MOSFET。 增強性MOSFET：必須施加柵電壓才能開啟的一類MOSFET。 等價固定氧化層電荷：與氧化層—半導體界面緊鄰的氧化層中的有效固定電荷，用Q′M表示。 平帶電壓：平帶條件發(fā)生時所加的柵壓，此時在氧化層下面的半導體中沒有空間電荷區(qū)。 柵電容充電時間：由于柵極信號變化引起的輸入柵電容的充電或放電時間。 界面態(tài)：氧化層—半導體界面處禁帶寬度中允許的電子能態(tài)。 反型層電荷：氧化層下面產生的電荷，它們與半導體摻雜的類型是相反的。 反型層遷移率：反型層中載流子的遷移率。 閂鎖：如在CMOS電路中那樣，可能發(fā)生在四層pnpn結構中的高電流、低電壓現(xiàn)象。 最大空間電荷區(qū)寬度：閾值反型時氧化層下面的空間電荷區(qū)寬度。 金屬-半導體功函數(shù)差：金屬功函數(shù)和電子親合能之差的函數(shù)，用φms表示。 臨界反型：當柵壓接近或等于閾值電壓時空間電荷寬度的微弱改變，并且反型電荷密度等于摻雜濃度時的情形。 柵氧化層電容：氧化層介電常數(shù)與氧化層厚度之比，表示的是單位面積的電容，記為Cox。 飽和：在漏端反型電荷密度為零且漏電流不再是漏源電壓的函數(shù)的情形。 強反型：反型電荷密度大于摻雜濃度時的情形。 閾值反型點：反型電荷密度等于摻雜濃度時的情形。 閾值電壓：達到閾值反型點所需的柵壓。 跨異：漏電流的改變量與其對應的柵壓改變量之比。 弱反型：反型電荷密度小于摻雜濃度時的情形。 溝道長度調制：當MOSFET進入飽和區(qū)時有效溝道長度隨漏-源電壓的改變。 熱電子：由于在高場強中被加速，能量遠大于熱平衡時的值的電子。 輕摻雜漏（LDD）：為了減小電壓擊穿效應，在緊鄰溝道處制造-輕摻雜漏的MOSFET。 窄溝道效應：溝道寬度變窄后閾值電壓的偏移。 漏源穿通：由于漏-源電壓引起的源極和襯低之間的勢壘高度降低，從而導致漏電流的迅速增大。 短溝道效應：溝道長度變短引起的閾值電壓的偏移。 寄生晶體管擊穿：寄生雙極晶體管中電流增益的改變而引起的MOSFET擊穿過程中出現(xiàn)的負阻效應。 壓閾值導電：當晶體管柵偏置電壓低于閾值反型點時，MOSFET中的導電過程。 表面散射：當載流子在源極和漏極漂移時，氧化層—半導體界面處載流子的電場吸引作用和庫侖排斥作用。 閾值調整：通過離子注入改變半導體摻雜濃度，從而改變閾值電壓的過程。 電容電荷存儲時間：柵極輸入信號改變使柵極輸入電容存儲或釋放電荷的時間。 溝道電導：當漏源電壓趨近于極限值零時，漏電流隨著漏源電壓的變化率。 溝道電導調制效應：溝道電導隨柵極電壓的變化過程。 溝道長度調制效應：JFET處于飽和區(qū)時，有效溝道長度隨漏源電壓而變化。 電導參數(shù)：增強型MESFET的漏電流與柵源電壓的表達式中的倍數(shù)因kn。 截止頻率：小信號柵極輸入電流值與小信號漏極電流值一致時的頻率。 耗盡型JFET：必須加以柵源電壓才能形成溝道夾斷使器件截止的JFET。 增強型JFET：柵極電壓為零時已經夾斷，必須加以柵源電壓以形成溝道，以使器件開啟的JFET。 內建夾斷電壓：溝道夾斷時柵結上的總電壓降。 輸出電阻：柵源電壓隨漏極電流的變化率。 夾斷：柵結空間電荷區(qū)完全擴展進溝道，以至于溝道被耗盡的自由載流子充滿的現(xiàn)象。 吸收系數(shù)：再半導體材料中，單位距離吸收的相對光子數(shù)，用α表示。 俄歇復合：電子和空穴的復合伴隨著吸收其他粒子所釋放的能量，是一個非輻射復合過程。 轉換系數(shù)：在太陽能電池中，輸出的電功率和入射的光功率之比。 延長光電流：半導體器件中由于擴散電流引起的光功率之比。 外量子效應：在半導體器件中，發(fā)射的光子數(shù)和總光子數(shù)的比率。 填充系數(shù)：ImVm與IscVoc的比率，是太陽能電池有效輸出能量的度量。Im和Vm是在最大功率點的電流和電壓值。Isc和Voc是短路電流和開路電壓。 菲涅耳損耗：由于折射系數(shù)的變化，在界面處入射光子被反射的部分。 內量子效率：能夠產生發(fā)光的二極管電流部分。 發(fā)光二極管（LED）：在正偏pn結中，由于電子-空穴復合而產生的自發(fā)光子發(fā)射。 發(fā)光：光發(fā)射的總性質。 菲輻射復合：不產生光子的電子和空穴的復合過程，例如硅中在導帶和價帶間的間接躍遷。 開路電壓：太陽能電池的外電路開路時的電壓。 光電流：由于吸收光子而在半導體器件中產生過剩載流子，從而形成的電流。 分布反轉：處于高能級的電子濃度比處于低能級的電子濃度大的情況，是一個非平衡狀態(tài)。 瞬時光電流：半導體器件的空間電荷區(qū)產生的光電流成分。 輻射復合：電子和空穴的復合過程能夠產生光子，例如砷化鎵中的帶與帶之間的直接復合。 肖克萊-里德-霍耳復合：通過深能級陷阱而進行的電子-空穴對的復合，是非輻射復合過程。 短路電流：太陽能電池兩端直接相連時的電流。 受激發(fā)射：有個電子被入射光子激發(fā)，躍遷到低能級，同時發(fā)射第二個光子的過程。 雙擴散MOSFET（DMOS）：一種功率MOSFET，其源區(qū)與溝道區(qū)是通過雙擴散工藝形成的。 HEXFET：一種功率MOSFET的結構，這種結構是由許多的MOSFET并行放置而形成的六角形組態(tài)。 最大額定電流：使得功率晶體管保持正常工作的最大允許電流。 最大額定功率：功率晶體管不出現(xiàn)永久損壞時的最大允許功耗。 最大額定電壓：擊穿沒有發(fā)生時功率晶體管的最大允許適用電壓。 導通電阻：功率MOSFET的漏源之間的有效電阻。 安全工作區(qū)：功率晶體管的一種擊穿效應，是由高溫產生的一種熱漂移現(xiàn)象。 SCR（半導體可控整流器）：三極半導體閘流管的通用名稱。 半導體閘流管：一系列半導體pnpn開關型器件的名稱，這些器件有著雙穩(wěn)態(tài)正反饋開關特性。 三端雙向可控硅開關元件：雙邊三極半導體閘流管的名稱。 V槽MOSFET（VMOS）：一種功率MOSFET，其中溝道區(qū)是沿半導體表面形成的V形槽而形成的。
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