微訪談：漢磊科技總經(jīng)理莊淵棋

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，隨著技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)普及，碳化硅（SiC）功率器件前景被廣泛看好。根據(jù)Yole于2018年發(fā)布的《功率碳化硅（SiC）材料、器件和應(yīng)用-2018版》報(bào)告預(yù)測(cè)，到2023年SiC功率市場(chǎng)總值將超過(guò)14億美元，2017年至2023年的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)到29%。SiC市場(chǎng)非常活躍，吸引了業(yè)界很多公司的關(guān)注。SiC相關(guān)的專利申請(qǐng)顯著增加也有力的證明了當(dāng)前這一趨勢(shì)，具體可以參見由Yole旗下全資子公司Knowmade最新發(fā)布的專利態(tài)勢(shì)報(bào)告：《功率碳化硅（SiC）MOSFET、SBD及模塊專利全景分析-2019版》。

當(dāng)前的問(wèn)題更集中在未來(lái)五年的市場(chǎng)增長(zhǎng)以及相關(guān)的供應(yīng)鏈上。SiC供應(yīng)鏈?zhǔn)欠褚褳橹С质袌?chǎng)加速發(fā)展做好了準(zhǔn)備？為了支持市場(chǎng)的需求，領(lǐng)先的集成器件制造商（IDM）正在提升他們的產(chǎn)能，晶圓代工模式也在迅速發(fā)展中。

漢磊科技股份有限公司（Episil Technologies）總部位于臺(tái)灣，是最早提供SiC功率器件代工服務(wù)的晶圓廠之一。Yole專注于化合物半導(dǎo)體和新興材料方面的高級(jí)技術(shù)和市場(chǎng)分析師Hong Lin博士，有幸采訪到漢磊科技總經(jīng)理莊淵棋（Andy Chuang），兩位專家一同討論了這個(gè)市場(chǎng)的技術(shù)發(fā)展和創(chuàng)新。以下為精彩的訪談內(nèi)容。

Hong Lin（以下簡(jiǎn)稱HL）：請(qǐng)您先簡(jiǎn)單介紹一下漢磊科技，以及公司的服務(wù)、歷史和當(dāng)前的業(yè)務(wù)？

莊淵棋：漢磊科技是漢磊先進(jìn)投資控股股份有限公司（Episil Holdings）下屬全資子公司，是一家在1985年成立的臺(tái)灣晶圓代工廠。在20世紀(jì)90年代，公司開始為硅基功率器件提供代工服務(wù)。隨后，公司不斷擴(kuò)大產(chǎn)能，到現(xiàn)在已擁有三座晶圓廠，可同時(shí)提供硅和寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體代工服務(wù)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。

HL：漢磊科技是什么時(shí)候開始介入WBG市場(chǎng)？是什么原因讓漢磊科技決定進(jìn)軍WBG業(yè)務(wù)？

莊淵棋：大約十年前，硅市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈。集團(tuán)決定采用“藍(lán)?！睉?zhàn)略，挖掘當(dāng)時(shí)競(jìng)爭(zhēng)比較小的市場(chǎng)作為未來(lái)發(fā)展的業(yè)務(wù)。公司具有遠(yuǎn)見卓識(shí)，看到了WBG業(yè)務(wù)的市場(chǎng)潛力。從那時(shí)起，漢磊科技得到了股東和漢磊集團(tuán)的全力支持。

HL：漢磊科技的SiC產(chǎn)品組合有哪些？公司未來(lái)五年相關(guān)的規(guī)劃路線圖是什么？

莊淵棋：漢磊科技自2015年開始WBG的生產(chǎn)。我們現(xiàn)在為600V-1200V肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）提供4英寸SiC代工服務(wù)，并正在建立一條6英寸SiC生產(chǎn)線，可在2019年下半年為客戶試生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。

2017~2023年SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模 來(lái)源：《功率碳化硅（SiC）材料、器件和應(yīng)用-2018版

HL：您能介紹一下漢磊科技在GaN方面的業(yè)務(wù)發(fā)展么？也請(qǐng)您詳細(xì)介紹一下未來(lái)五年GaN相關(guān)的規(guī)劃路線圖？

莊淵棋：漢磊科技開發(fā)的GaN工藝，在美國(guó)市場(chǎng)已處于領(lǐng)先地位，我們也為其他公司提供GaN代工服務(wù)。目前漢磊科技主要專注于功率產(chǎn)品。

HL：漢磊科技在SiC代工方面的服務(wù)特色主要是什么？

莊淵棋：漢磊科技在客戶數(shù)量和產(chǎn)品數(shù)量方面都有口皆碑。我們的SBD/平面結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）平臺(tái)可以為客戶提供高品質(zhì)的制造，良率超過(guò)95%。另外，漢磊科技承諾為客戶提供SiC SBD和SiC MOSFET的制造周期分別為一個(gè)月和兩個(gè)月，在交付時(shí)間上非常具有競(jìng)爭(zhēng)力。此外，漢磊科技為所有客戶提供一站式服務(wù)，包括：SiC外延、器件制造、背面減薄、背面金屬化（激光退火）以及芯片探針測(cè)試。漢磊科技同時(shí)提供4英寸和6英寸SiC代工服務(wù)，客戶可以根據(jù)自身需求選擇最適合的產(chǎn)品。

HL：您認(rèn)為漢磊科技開發(fā)的SiC和GaN技術(shù)的附加值是什么？

莊淵棋：在漢磊科技，我們的合作伙伴可以獲得一站式服務(wù)。我們提供從前端外延到后端測(cè)試全產(chǎn)業(yè)鏈的服務(wù)，這點(diǎn)一直受到我們合作伙伴的高度贊賞。此外，我們的服務(wù)質(zhì)量很高，例如我們的背面減薄技術(shù)，可以將SiC晶圓減薄到只有4 mil（100 μm）。

HL：Knowmade最新發(fā)布了一份關(guān)于SiC器件的專利態(tài)勢(shì)分析報(bào)告（《功率碳化硅（SiC）MOSFET、SBD及模塊專利全景分析-2019版》）。但在這份新報(bào)告中，Knowmade分析師沒有發(fā)現(xiàn)漢磊科技相關(guān)的專利申請(qǐng)。您對(duì)此結(jié)果有何評(píng)論？您能否向大家介紹一下漢磊科技在知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面的戰(zhàn)略？漢磊科技是否會(huì)受到專利許可的影響？

莊淵棋：作為代工服務(wù)的提供商，我們專注于工藝的開發(fā)。我們?yōu)槲覀兊暮献骰锇樘峁V泛通用的工藝，這不會(huì)存在專利問(wèn)題。當(dāng)所設(shè)計(jì)的器件結(jié)構(gòu)獲得專利時(shí)，我們的合作伙伴會(huì)帶來(lái)他們的專利，讓我們?yōu)樗麄冮_發(fā)工藝。

SiC MOSFET、SBD和功率模塊專利主要申請(qǐng)人 來(lái)源：《功率碳化硅（SiC）MOSFET、SB

HL：您如何看待WBG市場(chǎng)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，特別是SiC和GaN市場(chǎng)？

莊淵棋：從2017至2018年間，我們看到了市場(chǎng)明顯的變化。我們現(xiàn)在擁有一長(zhǎng)串的SiC業(yè)務(wù)相關(guān)的客戶名單，其中超過(guò)45家客戶參與，涉及300多款產(chǎn)品。毫不懷疑這個(gè)市場(chǎng)正在起飛。

HL：漢磊科技通過(guò)了車規(guī)認(rèn)證。所有三個(gè)晶圓廠都獲得了TS16949汽車業(yè)品質(zhì)管理系統(tǒng)認(rèn)證。汽車是驅(qū)動(dòng)功率電子市場(chǎng)最重要的因素之一。WBG技術(shù)在這個(gè)市場(chǎng)中扮演什么樣的角色？商業(yè)化成熟的上市時(shí)間點(diǎn)會(huì)在什么時(shí)候，特別是SiC和GaN解決方案？

莊淵棋：我們看到SiC在電動(dòng)汽車（EV）中發(fā)揮著重要作用。特別是，中國(guó)的汽車廠商非?；钴S，而且他們都將在電動(dòng)車中使用SiC。

HL：您們接下來(lái)在WBG方面的業(yè)務(wù)發(fā)展計(jì)劃有哪些？

莊淵棋：我們正在開發(fā)1700V的SiC SBD，并且還在開發(fā)SiC溝槽MOSFET工藝。我們現(xiàn)在正在建設(shè)6英寸SiC生產(chǎn)線，它將在2019年下半年為客戶試生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。在GaN方面，我們繼續(xù)為GaN產(chǎn)品升級(jí)新一代工藝。除了GaN分立器件，我們還與客戶共同開發(fā)了GaN集成電路（IC）平臺(tái)，并正在向下一代更具競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)遷移。

延伸閱讀：

《功率碳化硅（SiC）MOSFET、SBD及模塊專利全景分析-2019版》

《功率碳化硅（SiC）材料、器件和應(yīng)用-2018版》

《英飛凌1200V CoolSiC MOSFET模組：DF11MR12W1M1_B11》

《羅姆1700V碳化硅MOSFET分立器件：SCT2H12NZGC11》

《Wolfspeed碳化硅功率MOSFET：C2M0025120D》

《Littelfuse增強(qiáng)模式碳化硅MOSFET：LSIC1MO120E0080》

《UnitedSiC的1200V碳化硅JFET：UJN1205K》

原文鏈接：http://www./mems/micro-interview_201901/7653.html