1999年在東芝180nm下制造出256MB容量的閃存，2015年在15nm制程下閃存單Die容量提升了64倍達到16GB。和摩爾定律晶體管數(shù)量每18-24個月翻一番的理論相比，閃存容量的提升速度已經(jīng)落后了。

2014年的閃存峰會上，美光說3D閃存能將閃存帶回摩爾定律的路線上來，不過現(xiàn)在來看基本已經(jīng)失敗了：閃存不僅沒有因3D制程應(yīng)用而大幅降價，反而掀起了一波漲價潮。

其實遇到問題的不僅僅是NAND閃存，包括DRAM內(nèi)存也遇到同樣技術(shù)瓶頸，各大原廠更新制程的進度普遍低于預(yù)期，各種延期成了家常便飯。

英特爾在14nm這個制程節(jié)點上已經(jīng)停留了3代，一直是修修補補的狀態(tài)，遲遲拿不出10nm芯片。平面閃存方面，東芝已經(jīng)發(fā)展到15nm制程，SK Hynix為14nm，基本都和當代CPU制程持平。

更先進的制程（10nm~3nm）需要EUV極紫外光刻的支持，而EUV技術(shù)花了很多年直到現(xiàn)在剛在實驗室條件下達到適合應(yīng)用量產(chǎn)的水平。使用EUV光刻的新設(shè)備成本高昂的同時，工作狀態(tài)比當前氬氟雷射耗費10倍以上電能。由于EUV光刻的能源轉(zhuǎn)換效率只有0.02%左右，一臺輸出功率250瓦的EUV光刻機每天會消耗3萬度電。對于EUV光刻，臺積電曾表示希望未來制程工藝中越少用到越好，因為實在是太貴了！

既然制程升級空間小，那么2D向3D轉(zhuǎn)換成效如何？2D閃存時代通過制程升級可以獲得近似指數(shù)級增長，而3D時代則只會有線性的增加，因為從原理上來說3D做的是垂直方向上的堆疊，而不是2D閃存制程升級時在長寬尺寸上的同時進步。3D閃存的確是未來的發(fā)展方向，但卻不是萬能的救世主。

不管如何，在制程微縮漸入瓶頸的狀況下3D工藝還是能做出一些成本上的改善，尤其是64層以上的3D堆疊閃存：東芝在2007年就首次宣布3D閃存，直到今年投入大規(guī)模使用的正是64層堆疊技術(shù)。

除了將原有的Fab 2與Fab 5升級為3D工藝外，東芝還計劃新建Fab 6：新工廠從一開始就將以3D閃存制造為目標。

除了3D堆疊之外，未來能讓閃存真正降價的方向還有QLC：東芝64層堆疊的BiCS Gen 3閃存量產(chǎn)后很快又宣布了96層 BiCS 4閃存以及3D QLC技術(shù)。

相比3D堆疊，其實QLC對于降成本更為靠譜，當然前提是要有過硬的技術(shù)解決壽命問題：作為閃存發(fā)明者，東芝首個宣布QLC也是非常有底氣的。

借助于更高的堆疊層數(shù)以及QLC每個存儲單元多出的1bit存儲能力，東芝能將當前最大512Gb的閃存單Die容量提升至768Gb。如果使用16die封裝，單個閃存顆粒就能擁有1.5TB存儲容量！東芝還承諾3D QLC將提供1000次以上擦寫壽命，幾乎等同于現(xiàn)在的TLC閃存，而且不會讓大家等太久：大約明年晚些時候就會出現(xiàn)。

可能有玩家還會聯(lián)想到Intel與美光聯(lián)合開發(fā)的3D XPoint，不過它主要面向的是高性能領(lǐng)域，不差錢的企業(yè)級應(yīng)用也許會用的上它，而容量為王的消費級固態(tài)硬盤當中，英特爾16G傲騰內(nèi)存（緩存盤）的失敗大家都已經(jīng)看到了3D XPoint不會對降價有任何幫助。