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集成IGBT驅(qū)動電路IR2110

 共同成長888 2017-08-30
IR2110是一種雙通道高壓,高速電壓型功率開關(guān)器件柵極驅(qū)動電路,其有自舉浮動電源,驅(qū)動電路非常簡單,只用一路電源可同時驅(qū)動上、下橋臂。但I(xiàn)R2110有它本身的缺陷,不能產(chǎn)生負(fù)壓,在抗干擾方面比較薄弱。文章來源:http://www./qd/185.html
1.IR2110的主要特點(diǎn)及功能原理
IR2110采用14引腳DIP封裝,引腳排列如下圖(a)所示,其內(nèi)部功能原理框圖如圖(b)所示。IR2110各引腳的功能分別是:①腳(LO))是低端輸出通道;②腳(COM)是公共端;③腳(Vcr)是低端固定電源電壓端;⑤腳( Us)是高端浮置電源偏移電壓端;⑥腳(UB)是高端浮置電源電壓端;⑦腳(HO)是高端輸出通道:③腳(VDO)是邏輯電路電源電壓端;⑩腳( HIN)、11腳(SD)、12腳(LIN)均是邏輯輸入端;13腳(VSS)是邏輯電路地電位端,外加電源電壓端,該端電壓值可以為0v;④腳、⑧腳、14腳均為空腳。
IR2110引腳排列及內(nèi)部功能原理框圖
IR2110 IGBT驅(qū)動電路由邏輯輸入、電平轉(zhuǎn)換、保護(hù)、上橋臂側(cè)輸出和下橋臂側(cè)輸出等單元電路構(gòu)成。邏輯輸入端采用施密特觸發(fā)電路,以提高抗干擾能力。邏輯輸入電路與TTL/COMS電平兼容,其輸入端閾值為電源電壓UDO的10%,各通道相對獨(dú)立。由于邏輯信號均通過電平耦合電路連接到各自的通道上,容許邏輯電路參考地(VSS)與功率電路參考地(COM)之間有-5~+15V的偏移量,并且能屏蔽小于50ns的脈沖,這樣便具有較理想的抗噪聲效果。兩個高壓MOS管推挽IGBT驅(qū)動電路的最大灌入或輸出電流可達(dá)2A,上橋臂通道可以承受500V的電壓。輸人與輸出信號之間的傳導(dǎo)延時較小,開通傳導(dǎo)延時為120ns,關(guān)斷傳導(dǎo)延時為95ns。電源端UCC的典型值為15V,邏輯電源和模擬電源共用一個15V電源,邏輯地和模擬地接在一起。輸出端設(shè)有對IGBT驅(qū)動電路電源的欠壓保護(hù),當(dāng)電源電壓低于8. 2V時,封鎖驅(qū)動輸出。
IR2110采用HVIC和閂鎖抗干擾CMOS 工藝制作,具有獨(dú)立的高端和低端輸出通道;浮置電源采用自舉電路,其高端工作電壓可達(dá)500V,duldt =土50V/ns,在15V下的靜態(tài)功耗僅有1. 6mW;輸出的柵極驅(qū)動電壓范圍為10~20V,邏輯電源電壓范圍為5~15V,邏輯電源地電壓偏移范圍為-5~ +5V。
2. IR2110的電氣特性
(1)額定值
IR2110 IGBT驅(qū)動電路的電氣特性參數(shù)額定值見下表:
IR2110 IGBT驅(qū)動電路的電氣特性參數(shù)額定值
(2)推薦工作條件
IR2110 IGBT驅(qū)動電路的推薦工作條件見下表:
IR2110 IGBT驅(qū)動電路的推薦工作條件
(3) IR2110 IGBT驅(qū)動電路的優(yōu)點(diǎn)
IR2110 IGBT驅(qū)動電路具有以下優(yōu)點(diǎn);
  ①自舉懸浮驅(qū)動電源可同時驅(qū)動同一橋臂的上、下兩個開關(guān)器件,驅(qū)動500V主電路系統(tǒng),工作頻率高,可以達(dá)到500kHz。
  ②具有電源欠壓保護(hù)關(guān)斷邏輯。
  ③輸出用圖騰柱結(jié)構(gòu),驅(qū)動峰值電流為2A。
  ④兩通道設(shè)有低壓延時封鎖(50ns)。
  ⑤芯片還有一個封鎖兩路輸出的保護(hù)端SD,在該端輸入高電平時,兩路輸出均被封鎖。
IR2110的優(yōu)點(diǎn)給實(shí)際系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來了極大方便,特別是自舉懸浮驅(qū)動電源大大簡化了驅(qū)動電源設(shè)計(jì),只用一路電源即可完成上下橋臂兩個功率開關(guān)器件的驅(qū)動。

3.IGBT驅(qū)動電路的抗干擾技術(shù)
 (1)電平鉗位
IR2110不能產(chǎn)生負(fù)偏壓,如果用于驅(qū)動橋式電路,在半橋電感負(fù)載電路下運(yùn)行,處于關(guān)斷狀態(tài)下的IGBT由于其反并聯(lián)二極管的恢復(fù)過程,將承受集電極-發(fā)射極聞電壓的急劇上升。此靜態(tài)的du/dt通常比IGBT關(guān)斷時的上升率高。由于電容密勒效應(yīng)的影響,此du/dt在集電極-柵極間電容內(nèi)產(chǎn)生電流,流向柵極驅(qū)動電路,如下圖所示。雖然在關(guān)斷狀態(tài)下柵極電壓UGE為零,由于柵極電路的阻抗(柵極限流電阻RG、引線電感LG),該漏電流使UGE增加,趨向于UGE(th)。最惡劣的情況是使該電壓達(dá)到閾值電壓,該IGBT將被開通,導(dǎo)致橋臂短路。文章來源:http://www./qd/185.html
驅(qū)動電路電平鉗位
IR2110驅(qū)動輸出阻抗不夠小,沿柵極的灌入電流會在驅(qū)動電壓上加上比較嚴(yán)重的毛刺干擾。針對IR2110的不足,在實(shí)際應(yīng)用中需對輸出驅(qū)動電路進(jìn)行改進(jìn),其改進(jìn)方法是在柵極限流電阻上反并聯(lián)一個二極管,但此方法在大功率下效果不太明顯。對于大功率IGBT,可采用如下圖所示的電路,在關(guān)斷期間將柵極驅(qū)動電平鉗位到零電平。在橋臂上管開通期間,驅(qū)動信號使VT1導(dǎo)通、VT2截止。上管關(guān)斷期間,VT1截止,VT.2基極呈高電平而導(dǎo)通,將上管柵極電位拉到低電平(三極管的飽和壓降)。這樣,由于電容密勒效應(yīng)產(chǎn)生的電流從VT2中流過,柵極驅(qū)動波形上的毛刺可以大大減小。下管同理。
帶電平鉗位功能的IR2110驅(qū)動電路
 (2)負(fù)壓電路
在大功率IGBT驅(qū)動電路設(shè)計(jì)中,各路驅(qū)動電源獨(dú)立,集成驅(qū)動電路一般都有產(chǎn)生負(fù)壓的功能,如EXB841系列、M57957系列等,在IGBT關(guān)斷期間在柵極上施加負(fù)電壓,一般為-5V。其作用也是為了增強(qiáng)IGBT關(guān)斷的可靠性,防止由于電容密勒效應(yīng)而造成IGBT誤導(dǎo)通。IR2110芯片內(nèi)部雖然沒有產(chǎn)生負(fù)壓的功能,但可以通過外加幾個無源器件來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生負(fù)壓的功能,如下圖所示。在上、下管驅(qū)動電路中均加上由電容C5和C6以及5V穩(wěn)壓管ZD1和ZD2.組成的負(fù)壓電路,其工作原理為:電源電壓UCC為20V,在上電期間,電源通過R給C6充電,C6上保持5V的電壓。在LIN端為高電平時,LO端輸出20V高電平,這時加在下管S2柵極上的電壓為20V- 5V=15V,IGBT正常導(dǎo)通。當(dāng)LIN端輸入低電平時.I.O端輸出為0V,此時S2柵極上的電壓為-5V,從而實(shí)現(xiàn)關(guān)斷時所需的負(fù)壓。對于上管S1,HIN端輸入高電平時,HO端輸出20V電壓,加在S1柵極上的電壓為15V。當(dāng)HIN端為低電平時,HO端輸出為0V,S1柵極電壓為- 5V。由于IGBT為電壓型IGBT驅(qū)動電路件,所以負(fù)壓電容C5,C6的電壓波動較小,維持在5V,自舉電容上的電壓也維持在20V左右,只在下管S導(dǎo)通的瞬間有一個短暫的充電過程。IGBT的導(dǎo)通壓降一般小于3V,負(fù)壓電容C5的充電在S2導(dǎo)通時完成。對于C5、C6的選擇,要求其容量大于IGBT柵極輸入寄生電容Cies。自舉電容充電電路中的二極管VD1必須是快恢復(fù)二極管,應(yīng)留有足夠的電流裕量。此電路產(chǎn)生負(fù)壓的原理與一般的負(fù)壓驅(qū)動芯片相同,直流母線上疊加了5V的電壓。
IR2110負(fù)壓產(chǎn)生電路
(3)自舉電容及柵極限流電阻的選取
自舉電容由一個大電容和一個小電容并聯(lián)組成.在頻率為20kHz左右的工作狀態(tài)下選用1uF的電容和0.1uF的電容并聯(lián)使用。并聯(lián)高頻小電容用來吸收高頻毛刺干擾電壓。主電路上管的驅(qū)動電壓波形峰頂不應(yīng)出現(xiàn)下降的現(xiàn)象。驅(qū)動大容量的IGBT器件時,在工作頻率較低的情況下要注意自舉電容電壓穩(wěn)定性問題,故應(yīng)選用較大容量的電容。
    選擇適當(dāng)?shù)臇艠O限流電阻對IGBT驅(qū)動來說相當(dāng)重要,因?yàn)閘GBT的開通和關(guān)斷是通過柵極電路的充放電來實(shí)現(xiàn)的,所以柵極電阻將對IGBT的動態(tài)特性產(chǎn)生極大的影響。數(shù)值較小的柵極電阻使柵極電容的充放電較快,從而減小開關(guān)時間和開關(guān)損耗。同時較小的柵極電阻增強(qiáng)了IGBT器件的耐固性,避免du/dt帶來的誤導(dǎo)通,但與此同時它只能承受較小的柵極噪聲,并導(dǎo)致柵極發(fā)射極之間的電容同驅(qū)動電路引線的寄生電感產(chǎn)生振蕩問題。另外,較小的柵極電阻還使得IGBT開通時di/dt變大,會導(dǎo)致較高的du/dt,增加了反向恢復(fù)二極管的浪涌電壓。在低頻應(yīng)用情況下,開關(guān)損耗不成為一個重要的考慮因素,柵極電阻增大可以提供較慢的開通速度,這時應(yīng)當(dāng)考慮柵極的瞬態(tài)電壓和驅(qū)動電流。對于不同電流容量的IGBT,其柵極限流電阻有不同的取值。一般是功率越大的IGBT的柵極電阻越小,同時對柵極驅(qū)動電路的布線也有嚴(yán)格要求,引線電感應(yīng)盡可能小。在實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)根據(jù)具體的情況作調(diào)整,選取最合適的值。
  采用IR2110設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動電路時,應(yīng)根據(jù)具體的應(yīng)用情況采用不同的抗干擾措施。

  4.IR2110的典型應(yīng)用
  (1) IR2110在Buck變換器中的應(yīng)用
下圖所示為采用IR2110驅(qū)動Buck變換器IGBT器件的電路。對自舉電容的初始充電是由UCC電源通過電感和濾波電容進(jìn)行的。為了確保自舉電容充電電壓不超過USS(20V),這個LC諧振電路的Q值應(yīng)潑足夠小。如果Q值不是足夠小,就應(yīng)在自舉二極管支路中串聯(lián)一個電阻或在自舉電容上并聯(lián)一個齊納二極管。文章來源:http://www./qd/185.html
IR2110在Buck變換器中的應(yīng)用
如果電路工作在連續(xù)電流模式下,則電源對自舉電容的充電就在續(xù)流二極管的導(dǎo)通期間進(jìn)行。在電流不連續(xù)模式下,如果續(xù)流二極管的導(dǎo)通時間非常短,電源對自舉電容的充電就通過濾波元件與負(fù)載來進(jìn)行。在上圖所示電路中,luF去耦電容應(yīng)與11、12和13腳在同一點(diǎn)接地,并與功率部分的接地點(diǎn)分開。
 (2) IR2110在雙正激變換器中的應(yīng)用
下圖所示為IR2110在雙正激變換器中的應(yīng)用電路。在這種情況下,由于續(xù)流二極管的導(dǎo)通時間變得非常短,故為了確保自舉電容C1開通及在后續(xù)周期內(nèi)充滿電荷,電路中增加了3個元件R1、VT3和VT4。當(dāng)VT3和V T2截止時,VT4也截止,VT3飽和導(dǎo)通,將電容C1一端對地接通,使C1和C2能很快充電到15V左右,當(dāng)VT1和VT2導(dǎo)通時,VT4也導(dǎo)通,使VT3截止,從而使電容C1對地一端與VT1的發(fā)射極等電位,C1兩端電壓維持在15V不變,C1對地電位舉高,保證VT1柵壓高于發(fā)射極電壓,使VT1飽和導(dǎo)通。
IR2110在雙正激變換器中的應(yīng)用
    (3)IR2110在三相橋式電機(jī)驅(qū)動電路中的應(yīng)用
下圖所示的是IR2110在三相橋式電機(jī)驅(qū)動電路中的應(yīng)用電路,在電路設(shè)計(jì)時要嚴(yán)格注意布局設(shè)計(jì),這是由于波形中di/dt分量比較大,三組開關(guān)工作互為120度。應(yīng)特別注意,離共地點(diǎn)最遠(yuǎn)的IGBT驅(qū)動電路會在IR2110的②腳和參考地之間承受最大的電壓降。另外還應(yīng)注意當(dāng)無刷直流電機(jī)鎖定轉(zhuǎn)子時,在橋的一臂斷開的情況下長時間工作時,IR2110⑤腳上所出現(xiàn)的不同電壓,此時自舉電容可能會放電,其結(jié)果是造成高端功率管在接受信號時并不工作,而低端功率管仍然在工作。為避免這種情況發(fā)生,可采取以下措施。
    ①如果電極在某一段時間內(nèi)不起作用,控制邏輯首先開通低端功率管。
    ②當(dāng)不需要導(dǎo)通時,控制電路要有一很窄的“正?!闭伎毡?。
    ③如果一電極在有限的和已知的時間內(nèi)不用,可根據(jù)這段時間來選取自舉電容的大小,以維持這段時間的電荷。
    如果橋路是感應(yīng)電機(jī)驅(qū)動電路的一部分,可使用PWM技術(shù)合成正弦波,每一電極在低頻時以零或非常窄的占空比通過較長的時間間隔,自舉電容應(yīng)能保持足夠的電荷來確保這段時間內(nèi)不必充電。
在所示的電路中,高壓母線和邏輯電路之間的絕緣是由IR2110反偏結(jié)來保證的,這些結(jié)構(gòu)中如有一個結(jié)擊穿,都會對其余部件造成嚴(yán)重后果。為了避免發(fā)生這樣的問題,可用光電耦合器或脈沖變壓器作為隔離元件。
IR2110在三相橋式電機(jī)驅(qū)動電路中的應(yīng)用
IR2110在三相橋式電機(jī)驅(qū)動電路中的應(yīng)用
(4) IR2110在全橋變換器中的應(yīng)用
下圖所示為用兩片IR2110驅(qū)動的全橋變換器電路。在該電路中,變換器低端與IR2110的關(guān)閉端設(shè)確電流檢測電路。該電流檢測電路的具體工作方法與變換器所要求的PWM技術(shù)、電源精度要求、有無負(fù)電源等因素有關(guān)。電路的關(guān)閉功能是鎖定的,這樣可以保證在負(fù)載電流通過IGBT內(nèi)部二極管衰減后,IGBT仍保持?jǐn)嚅_的狀態(tài),鎖定只有在下個周期開始時才能復(fù)位。
電路中的寄生電感在開關(guān)快速工作時引起的高di/dt在IGBT上會產(chǎn)生過沖電壓,在電源線與功率管間加去耦電容可減小這種不良影響,但在電路布局時最好能緊密排列,減少電路中的寄生電感。這些寄生電感加上續(xù)流二極管的正向恢復(fù)效應(yīng),將引起電源線上電壓的來回?cái)[動(例如US端上的電壓可能會低千COM端的電壓)。U.端上的電壓可低到-4V.這是最低極限,如果超過這個極限,就會引起高端通道工作的不穩(wěn)定。
IR2110的開通與關(guān)斷傳輸延遲時間是接近匹配的(失配時間不大于10ns),開通傳輸延
遲時間比關(guān)斷傳輸延遲時間長25ns,這就保證了功率管在工作時不會發(fā)生重疊導(dǎo)通,為了更加安全起見,可在功率管的柵極上設(shè)置一電阻和二極管網(wǎng)絡(luò)(如圖中的R1、VD1、R2、VD2、VD3、R1、VD4),該電阻和二極管網(wǎng)絡(luò)可進(jìn)一步延遲功率管的導(dǎo)通而對其關(guān)斷沒有影響,這就相當(dāng)于增加了死區(qū)時間。
IR2110的10腳接低電平,可得到正負(fù)半周全占空比輸出。IR2110的2腳懸空或接高電平時為調(diào)制脈沖輸出,2腳接低電平時為方波輸出。
IR2110在全橋變換器中的應(yīng)用

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