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如何檢測(cè)判斷IGBT管的好壞

 青山碧水映藍(lán)天 2016-07-21
igbt管的好壞可用指針萬(wàn)用表的rxlk擋來(lái)檢測(cè),或用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”擋來(lái)測(cè)量pn結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將igbt管三只引腳短路放電,避免影響檢測(cè)的準(zhǔn)確度;然后用指針萬(wàn)用表的兩枝表筆正反測(cè)g、e兩極及g、c兩極的電阻,對(duì)于正常的igbt管(正常g、c兩極與g、c兩極間的正反向電阻均為無(wú)窮大;內(nèi)含阻尼二極管的igbt管正常時(shí),e、c極間均有4kw正向電阻),上述所測(cè)值均為無(wú)窮大;最后用指針萬(wàn)用表的紅筆接c極,黑筆接e極,若所測(cè)值在3.5kwl左右,則所測(cè)管為含阻尼二極管的igbt管,若所測(cè)值在50kw左右,則所測(cè)igbt管內(nèi)不含阻尼二極管。對(duì)于數(shù)字萬(wàn)用表,正常情況下,igbt管的c、c極問(wèn)正向壓降約為0.5v。

  綜上所述,內(nèi)含阻尼二極管的igbt管檢測(cè)示意圖如圖所示,表筆連接除圖中所示外,

  其他連接檢測(cè)的讀數(shù)均為無(wú)窮大。

  如果測(cè)得igbt管三個(gè)引腳間電阻均很小,則說(shuō)明該管已擊穿損壞;若測(cè)得igbt管三個(gè)引腳間電阻均為無(wú)窮大,說(shuō)明該管已開(kāi)路損壞。實(shí)際維修中igbt管多為擊穿損壞。為使保護(hù)正常輸出,不使用的保護(hù)必須拉為高電平(對(duì)腳1),或是通過(guò)電容接地(對(duì)腳8)。

萬(wàn)用表如何判斷IGBT的好壞

將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的漏極(D),紅表筆接IGBT 的源極(S),此時(shí)萬(wàn)用表的指針指在無(wú)窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D),這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極(S)和柵極(G),這時(shí)IGBT 被阻斷,萬(wàn)用表的指針回到無(wú)窮處。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。

注意:若進(jìn)第二次測(cè)量時(shí),應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G)。

任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí),一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通,而無(wú)法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。

萬(wàn)用表檢測(cè)IGBT管的C--E極:

1、紅表筆接C極黑表筆接E極(指帶有阻尼管的),應(yīng)該有正向?qū)娮柚怠?

2、反向測(cè)量C--E不通(無(wú)窮大的電阻值)。

3、其它各管腳間應(yīng)該無(wú)窮大(不通)。

4、 IGBT管型號(hào)尾部帶D的是有阻尼管的。

IGBT管型號(hào)尾部不帶D的是無(wú)阻尼管的

如何檢測(cè)IGBT

判斷極性 :

將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋,用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí),將黑表筆固定接在某一電極上,另一表筆(紅表筆)分別接其它兩只管腳,若阻值均為無(wú)窮大,對(duì)調(diào)用紅表筆固定接在這一電極(原黑表筆接的那只管腳)上,另一表筆(黑表筆)分別接其它兩只管腳,若阻值均為無(wú)窮大,則固定不動(dòng)的那只表筆接的那只管腳為柵極。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量,若測(cè)得阻值為無(wú)窮大,調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為漏極(D);黑表筆接的為源極(S)。
判斷好壞 :

將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的漏極(D),紅表筆接IGBT 的源極(S),此時(shí)萬(wàn)用表的指針指在無(wú)窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D),這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極(S)和柵極(G),這時(shí)IGBT 被阻斷,萬(wàn)用表的指針回到無(wú)窮處。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。
注意:若進(jìn)第二次測(cè)量時(shí),應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G)。
任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí),一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通,而無(wú)法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。


功率場(chǎng)效應(yīng)管直流參數(shù)分選儀
主要用于中小電子產(chǎn)品企業(yè)對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管或IGBT的批量測(cè)量,篩選。
一、簡(jiǎn)介:
1、采用高精度AD,滿足測(cè)量精度,而高速微處理器和電子開(kāi)關(guān),使測(cè)量工作迅速、高效、寧?kù)o。采用國(guó)際先進(jìn)脈沖測(cè)量法,可以提供10A~最大75A以上的測(cè)試電流,而不會(huì)使被測(cè)管子發(fā)熱。有自動(dòng)均流功能,確保被測(cè)管安全。
  2、有自檢功能、測(cè)量判斷功能以及故障報(bào)警指示功能,當(dāng)不是Vmos管時(shí)或錯(cuò)插等,測(cè)量不能繼續(xù)。在測(cè)量前后,測(cè)量插座柵源之間是短路狀態(tài),以確保被測(cè)量管插入或拔出管座時(shí)的安全。
  3、有20A~150A容量選擇,即便是選錯(cuò)電流檔用最大電流測(cè)量小容量管子,也不會(huì)損害被測(cè)管。
  4、可設(shè)定的有:開(kāi)啟電壓Ut、跨導(dǎo)Gfs、通態(tài)電阻Ron以及極間電容Cir的下限和上限。對(duì)于超限的測(cè)量,蜂鳴器會(huì)報(bào)警,并且哪個(gè)參數(shù)超限,會(huì)閃爍提示,用戶可以不大理會(huì)符合標(biāo)準(zhǔn)的參數(shù)具體數(shù)據(jù),只在報(bào)警時(shí)注意閃爍的參數(shù),這樣極大的方便了工業(yè)批量測(cè)量。
5、操作簡(jiǎn)單,只按測(cè)試按鈕,就可以得到4項(xiàng)主要參數(shù)。
二、主要指標(biāo):
  1、測(cè)量VMOS管可同時(shí)顯示:
    通態(tài)電阻Ron 1~999mΩ (超過(guò)999 mΩ時(shí),自動(dòng)轉(zhuǎn)為9.99Ω擋)
    跨導(dǎo)Gfs 0~99.9S
    開(kāi)啟電壓Ut 1~7.5V
    極間電容Cir 0.1~9.9 (np)
  2、如果您需要,通過(guò)輔助功能鍵,還可以得到:
    a、Cir 1% nP精度;
    b、Ut 1%V 精度;
    c、測(cè)量Ron時(shí)的: Ids(max A),Vds(min V);
d、以及測(cè)量Ggs時(shí):Ids(A),Vds(V),Vgs(V);
3、10位LED顯示。
  4、采用工業(yè)開(kāi)關(guān)電源,可以在160V~230V 正常工作。

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