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NAND FLASH作為目前電子設(shè)備的存儲主體，已經(jīng)非常廣泛的應(yīng)用到各種產(chǎn)品當(dāng)中。 從技術(shù)類型上來講，NAND FLASH分為兩種：SLC和MLC。 關(guān)于SLC和MLC孰優(yōu)孰劣，網(wǎng)上已經(jīng)有大量文章刊載，一些2007年以前的資料，基本是在講SLC的優(yōu)勢；隨著英特爾、東芝、三星等公司的技術(shù)跟進(jìn)，以及MLC的普遍應(yīng)用，從08年以后發(fā)表的文章，基本是在講MLC的好處了，MLC不可避免的成為當(dāng)前設(shè)備存儲的主流，市場上新推出的數(shù)碼產(chǎn)品，已經(jīng)很難找到SLC的身影！我們不禁要感嘆，電子技術(shù)的發(fā)展真的太快了。 這里需要澄清幾個概念： 一、無論是SLC還是MLC，沒有軟件的壞塊管理是根本無法使用的。一片全新的NAND芯片，包括SLC和MLC，出廠時都會有幾個壞塊存在，隨著擦寫次數(shù)的不斷增加壞塊會越來越多，不過用戶不用擔(dān)心，軟件的壞塊管理是非常成熟的技術(shù)。 二、芯片的擦寫次數(shù)不是讀次數(shù)，NAND的讀次數(shù)是無限制的！很多人存在這方面的誤解。 三、芯片單個BLOCK的擦寫次數(shù)不等于整個芯片的擦寫次數(shù)！而數(shù)據(jù)手冊上介紹的只是單塊的擦寫次數(shù)。因?yàn)?/font>MLC的容量能比SLC大很多，所以從總體上來講，MLC的使用率并不會弱于SLC。 四、數(shù)據(jù)存放的穩(wěn)定性和擦寫次數(shù)是沒有關(guān)系的。大家都知道NOR FLASH比NAND FLASH要穩(wěn)定的多，但NOR的擦寫次數(shù)卻不到NAND的十分之一！ 五、關(guān)于bootloader的擦寫，我們根本不用擔(dān)心多次擦寫會帶來芯片損毀，飛凌的研發(fā)工程師，每天都要去擦寫系統(tǒng)修改軟件，從來沒有出現(xiàn)因此而導(dǎo)致NAND報廢的情況。從用戶反饋來看也同樣如此。 六、SLC會消亡嗎？不會的，他至少要和MLC共存很長一段時間，就像NOR FLASH一樣，仍在被大多數(shù)單片機(jī)所使用；目前絕大多數(shù)的ARM7、ARM9系統(tǒng)，并不能很好支持MLC；從ARM11開始最新的處理器，對MLC的支持就非常成熟了。這里另外澄清一個概念，S3C2440也是可以支持MLC的！但是從技術(shù)上還不成熟，尤其沒有4位以上的硬件糾錯。 七、另外告訴大家一個事實(shí)，我們提供了4位的糾錯算法，但是從實(shí)踐上來看，MLC NAND極少出現(xiàn)超過1位錯誤的情況，這雖然并不能說明不需要4位糾錯，但無疑這樣做系統(tǒng)具有更強(qiáng)的抗風(fēng)險能力。 八、對一款國產(chǎn)手機(jī)產(chǎn)品‘魅族M8’曾經(jīng)‘?dāng)?shù)據(jù)丟失’的真正原因我們并不清楚，但可以肯定的是，這款手機(jī)仍然在用MLC。 飛凌提供了兩種類型的6410開發(fā)板，分別支持256M的SLC以及2G的MLC，在成本上來講，后者還是要高于前者，但是性價比更優(yōu)秀，更能代表將來的趨勢，開發(fā)學(xué)習(xí)會更方便。具體如何選擇，用戶可以參照我們提供的各型號開發(fā)板的資源對比，并根據(jù)自己的需要來選擇。 補(bǔ)充說明： 隨著MLC的逐步普及，使用MLC的6410開發(fā)板也逐漸多了起來。 目前，市場上的2G MLC NAND主要有兩種：一種是K9GAG08U0E，另一種是飛凌使用的K9GAG08U0D。這兩種芯片在讀寫時序和驅(qū)動程序方面完全相同，不同的是前者的頁大小為8K，后者的頁大小為4K。這里需要說明的是，更大的頁需要更好的糾錯能力，也就是說在K9GAG08U0E上進(jìn)行8位糾錯和在K9GAG08U0D上進(jìn)行4位糾錯，前者的數(shù)據(jù)安全性會更差，而且8位糾錯算法的軟件要占用更多的處理器時間。 另外，實(shí)際測試結(jié)果表明，K9GAG08U0E的讀寫速度要遠(yuǎn)低于K9GAG08U0D，除了軟件算法本身的原因以外，硬件方面存在著固有的差距，這點(diǎn)從兩種芯片的數(shù)據(jù)手冊中可以看出來： K9GAG08U0E的數(shù)據(jù)手冊中是這樣描述的：
而對于K9GAG08U0D，手冊中查到的實(shí)際參數(shù)如下：
就是說前者讀一頁需要400us（微秒），而后者需要60us（微秒），差距是不言而喻的。 |
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