時光流逝，技術(shù)的進步真是快，一年前我們還在為超頻DDR266費盡心機，現(xiàn)在DDR400已經(jīng)快成主流。更有甚者，Intel的Canterwood和nVidia的nForce2意猶未足地推出雙通道內(nèi)存控制器，取得雙倍于DDR400的效果，進一步把系統(tǒng)內(nèi)存性能推向新極致。其中使用了性能加速技術(shù)的Canterwood尤為稱道。 

      　　主板廠商還沒能弄清楚DDR400的SPD是怎么回事，內(nèi)存廠商們就已經(jīng)在推低延遲時間的產(chǎn)品，并以CAS延遲時間短為賣點叫開了市。

      　　……在這種混亂的格局面前，究竟誰的產(chǎn)品最具競爭力，恐怕只有實際性能測試方可說明問題。為此我們特地挑選了Corsair、KingMax、TwinMOS和Samsung等名牌共8種之多的產(chǎn)品進行對比測試：

      　　圖中從上到下順時鐘方向依次是：

      KingMax 256MB DDR-400 (MPXB62D-68KX3)

      Samsung原裝條(PC3200U-30440-A1)

      Mushkin PC3500 (990976)

      Corsair (XMS3202v1.1)

      Corsair TWINX Platinum Series (XMS3206v1.1)

      TwinMOS (PC3200 CL2.5)

      Corsair (XMS3200v1.1)

      　　中間紫色的是Mushkin PC3200 

      (990902)。所有的條子都是256MB容量，除KingMax使用16片128Mbit的芯片之外，其余的內(nèi)存條都是使用256Mbit晶片的8片裝。Samsung原廠條子和KingMax都是CL3，Corsair全是CL2，TwinMOS和Mushkin是CL2.5。

      重新認(rèn)識內(nèi)存參數(shù)：DDR的CAS參數(shù)是噱頭

      　　隨著DDR核心的革命，有必要對性能問題進行重新認(rèn)識，因為DDR的特性與SDRAM有所不同，要得到最優(yōu)化的數(shù)據(jù)傳送流的原理也不同。其中最重要的問題，就是它們的提前讀取指令不同：SDRAM的控制器可以設(shè)定提前一個時鐘周期發(fā)出下一個讀取指令，由此降低CAS延遲時間，成功傳送兩次數(shù)據(jù)之間的時間間隔減少；DDR則只能在當(dāng)前周期數(shù)據(jù)傳送完畢之前提早一個CAS延遲時間發(fā)出讀取指令，這樣一來，當(dāng)CAS延遲時間減少的時候，發(fā)出讀取指令的時間隨之推遲，兩者抵消的效果為零?；旧险f，DDR的CAS對連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸效率沒什么影響，只是對隨機存取性能有點影響，而且這種影響也是非常有限。

      　　在SDRAM時代，內(nèi)存CAS是衡量內(nèi)存品質(zhì)的主要因素之一，它的值與內(nèi)存的頻率有著密切關(guān)系，CAS值直接影響到內(nèi)存總線超頻。DDR則不然，據(jù)我們測試，減少CAS延遲時間異常容易，而實際性能收效微乎其微，幾乎可以忽略?，F(xiàn)在有些廠商甚至標(biāo)稱其DDR內(nèi)存條規(guī)格為CAS 

      2:2:2，這完全是一種欺騙無知的商業(yè)噱頭。

      反映DDR性能的關(guān)鍵參數(shù)：tRCD

      　　與CAS不同，另一個參數(shù)在DDR中變得舉足輕重。首先是RAS-to-CAS 

      Delay（即tRCD）對隨機數(shù)據(jù)存取的影響，tRCD不但對數(shù)據(jù)傳輸率有著重要意義，它還是對運行頻率提高起著決定性意義的最重要的延遲參數(shù)。

      　　因此，Row-to-Column Delay即tRCD是最能反映DDR性能的重要參數(shù)，與內(nèi)存甚至是系統(tǒng)總線的超頻息息相關(guān)。

      兼容問題的產(chǎn)物：SPD參數(shù)不能真正反映內(nèi)存品質(zhì)

      　　隨著內(nèi)存速度的提升，需要改變相應(yīng)的參數(shù)與之適應(yīng)。這些參數(shù)以16進制數(shù)據(jù)表格的形式存儲在SPD 

      EEPROM中。主板會讀取這些數(shù)字并轉(zhuǎn)化成相應(yīng)的延遲以及內(nèi)存條相關(guān)的一些其它設(shè)置。這些重要參數(shù)包括模塊的密度、物理bank的數(shù)量，以及行激活、讀取指令等執(zhí)行所需的最少時間。在SPD中保存的值并不是以時鐘周期為單位的數(shù)據(jù)存儲的，而是以納秒為單位的數(shù)據(jù)存儲，主板芯片和BIOS負(fù)責(zé)計算把它轉(zhuǎn)換為該速度相應(yīng)時鐘周期單位。例如11ns的CAS延遲相當(dāng)于333MHz數(shù)據(jù)傳輸率（也就是時鐘周期為6ns）可以在2個時鐘周期（2*6ns=12ns≈11ns）后輸出數(shù)據(jù)，而同樣是11ns 

      CAS延遲的DDR400則需要2.5時鐘周期的延遲時間（2.5*5ns=12.5ns≈11ns）。

      　　這樣看起來似乎再簡單不過，問題就在于BIOS如何對SPD里的數(shù)據(jù)進行讀取和計算轉(zhuǎn)換的問題。對于主板廠商來說，最捷徑的方式就是只讀取SPD中的生產(chǎn)代號，如果BIOS數(shù)據(jù)表里沒有這個代號的記錄，就把延遲時間設(shè)多一些。不幸的是，使用這種做法的廠商慢慢少了，SPD被錯誤讀取的事情時有發(fā)生。很多主板的做法是讀取SPD中的內(nèi)存?zhèn)鬏斅屎脱舆t時間值，有時把延遲時間值誤當(dāng)數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r鐘周期時間，結(jié)果誤把PC2100當(dāng)成是DDR333或DDR400，導(dǎo)致機器不能自檢。

      　　這樣一來，許多高端內(nèi)存廠商就不敢SPD中寫入反映該內(nèi)存條實際規(guī)格的延遲時間數(shù)據(jù)，以免他們的優(yōu)質(zhì)內(nèi)存在某些主板使用自動內(nèi)存設(shè)置時發(fā)生不能自檢的現(xiàn)象，只能手動設(shè)置，每次清除CMOS數(shù)據(jù)又會有一次系統(tǒng)不能自檢的問題出現(xiàn)。為了避免這種尷尬，許多具有白金品質(zhì)的優(yōu)質(zhì)內(nèi)存不得不重寫自己的SPD信息，把默認(rèn)內(nèi)存延遲時間設(shè)長一些（如Corsair內(nèi)存就是這么做的）。也有另外一些廠商建議配備一條便宜的普通內(nèi)存，以方便開機后手動設(shè)置好內(nèi)存參數(shù)，再改用優(yōu)質(zhì)內(nèi)存條。

      　　用戶應(yīng)該理解內(nèi)存廠商這種種做法，因為這些麻煩大都由主板BIOS所致，而不是他們的問題。另外要提醒一下的是，低延遲的優(yōu)質(zhì)內(nèi)存用在nForce2芯片組的主板上往往容易在自檢中死機。結(jié)果，為了讓內(nèi)存條起碼保障能夠使用，大部分廠商都把SPD中的延遲時間設(shè)高了。這導(dǎo)致許多用戶以為花高價錢買了低端內(nèi)存。

      　　由此可知，內(nèi)存條SPD的出廠設(shè)置不能如實反映一條內(nèi)存的真正品質(zhì)，它只是廠商為安全兼容性考慮的產(chǎn)物。大家都知道低延遲的內(nèi)存條子好，但在主板廠商對SPD參數(shù)的讀取還沒達成共識之前，如實設(shè)置的話會導(dǎo)致內(nèi)存條不能開機。況且，向來頑固的INTEL主板也將開放手動設(shè)置內(nèi)存延遲參數(shù)，優(yōu)質(zhì)的內(nèi)存條將能在所有板子上發(fā)揮其實真實性能，SPD出廠設(shè)置就更無關(guān)緊要了。

      　　正因為以上這些原因，高端內(nèi)存的選購更是不能看它的SPD標(biāo)稱規(guī)格，而必須看它的實際使用表現(xiàn)。在征集測試樣品的時候，各大廠商也紛紛提醒，不要從出廠規(guī)格評價他們的產(chǎn)品，要用實際測試還原出這些產(chǎn)品的“白金表現(xiàn)”。出于這么多特殊情況，不得不用稍嫌冗長的文字事先交代清楚。下面進入的產(chǎn)品測試正題。