在NAND Flash中有8個(gè)I/O引腳（IO0—IO7）、5個(gè)全能信號(hào)（nWE ALE CLE nCE nRE）、一個(gè)引腳，1個(gè)寫(xiě)保護(hù)引腳。操作NAND Flash時(shí)，先傳輸命令，然后傳輸?shù)刂?，最后讀寫(xiě)數(shù)據(jù)。對(duì)于64MB的NAND Flash，需要一個(gè)26位的地址。只能8個(gè)I/O引腳充當(dāng)?shù)刂?、?shù)據(jù)、命令的復(fù)用端口，所以每次傳地址只能傳8位。這樣就需要4個(gè)地址序列。因此讀寫(xiě)一次nand flash需要傳送4次（A[7:0] A[16:9] A[24:17] A[25]）。64M的NAND Flash的地址范圍為0x00000000—0x03FFFFFF。128M的NAND Flash的地址范圍為0x00000000---0x07FFFFFF。1KB = 0x000-0x3FF.128字節(jié)=0x00H--7FH。

    一頁(yè)有528個(gè)字節(jié)，而在前512B中存放著用戶(hù)的數(shù)據(jù)。在后面的16字節(jié)中（OOB）中存放著執(zhí)行命令后的狀態(tài)信息。主要是ECC校驗(yàn)的標(biāo)識(shí)。列地址A0-A7可以尋址的范圍是256個(gè)字節(jié)，要尋址528字節(jié)的話(huà)，將一頁(yè)分為了A.（1half array）B(2 half array) C(spare array)。A區(qū)0—255字節(jié)，B區(qū) 256-511 字節(jié)C區(qū)512—527字節(jié)。訪問(wèn)某頁(yè)時(shí)必須選定特定的區(qū)。這可以使地址指針指向特定的區(qū)實(shí)現(xiàn)。

在NAND Flash 中存在三類(lèi)地址，分別為Block Address 、Column Address Page Address.。（實(shí)際就是塊地址和頁(yè)地址）

    Column Address 用來(lái)選擇是在上半頁(yè)尋址還是在下半頁(yè)尋址A[0]—A[7].也就相當(dāng)于頁(yè)內(nèi)的偏移地址。在進(jìn)行擦除時(shí)不需要列地址，因?yàn)椴脸且詨K為單位擦除。32個(gè)Page需要5bit來(lái)表示。也就是A[13:9];也就是頁(yè)在塊內(nèi)的相對(duì)地址。A8這一位用來(lái)設(shè)置512字節(jié)的上半頁(yè)，還是下半頁(yè)，1表示是在上半頁(yè)，而2表示是在下半頁(yè)。Block的地址有A[25:14]組成.

    一個(gè)容量為64M(512Mbit)的NAND Flash,分為131072頁(yè)，528列。（實(shí)際中由于存在spare area,故都大于這個(gè)值），有4096塊，需要12bit來(lái)表示即A[25:14].如果是128M（1Gbit）的話(huà)，blodk Address為A[26:14].由于地址只能在IO0—IO7上傳送。編程時(shí)通常通過(guò)移位來(lái)實(shí)現(xiàn)地址的傳送。傳送過(guò)程如下：

第1個(gè)地址序列：傳遞column address，也就是NAND Flash[7:0],這一周期不需要移位即可傳遞到I/O[7:0]上，而half page pointer 即A8是由操作指令決定，00h，在A區(qū)，01h在B區(qū)，指令決定在哪個(gè)half page上進(jìn)行讀寫(xiě)，而真正A8的值是不需要程序員關(guān)心的；

第2個(gè)地址序列：就是將NAND_ADDR 右移9位，而不是8位，將NAND_ADDR[16:9]傳遞到I/O[7:0]上；

第3個(gè)地址序列：將NAND_ADDR[24:17] 傳遞到I/O[7:0]上；

第4個(gè)地址序列：將NAND_ADDR[25]傳送到I/O上。

    整個(gè)地址的傳送過(guò)程需要4步才能完成。如果NAND Flash 的大小是32MB的以下的話(huà)，那么block address 最高位只到bit24,因此尋址只需要3步，就可以完成。

在進(jìn)行擦除操作時(shí)由于是以塊進(jìn)行擦除，所以只需要3個(gè)地址序列，也就是只傳遞塊的地址，即A[14:25]。

NAND Flash地址的計(jì)算：

Column Address 翻譯過(guò)來(lái)是列地址，也就是在一頁(yè)里的偏移地址。其實(shí)是指定Page上的某個(gè)Byte，指定這個(gè)Byte，其實(shí)也就是指定此頁(yè)的讀寫(xiě)起始地址。

      Page Address:頁(yè)地址。頁(yè)的地址總是以512Bytes對(duì)齊的，所以它的低9位問(wèn)題0，確定讀寫(xiě)操作在NAND Flash中的哪個(gè)頁(yè)進(jìn)行。

    當(dāng)我們得到一個(gè)Nand Flash地址addr時(shí)，我們可以這樣分解出Column Address和Page Address。

Columnaddr = addr % 512   // column address

Pageaddr = addr>>9           // page address

實(shí)際上A0~A7是頁(yè)內(nèi)陸址，比如從第2個(gè)開(kāi)始讀起。不過(guò)一般都從0開(kāi)始讀起，呵呵。

也就是一個(gè)Nand Flash地址的A0-A7是它的column address ,A9—A25是它的Page Address，地址A8被忽略。

現(xiàn)在假設(shè)我要從Nand Flash中的第5000字節(jié)處開(kāi)始讀取1024個(gè)字節(jié)到內(nèi)存的0x30000000處，我們這樣調(diào)用read函數(shù)

NF_Read(5000, 0x30000000,1024);

我們來(lái)分析5000這個(gè)src_addr.

根據(jù)：

column_addr=src_addr%512;

page_address=(src_addr>>9);

我們可得出column_addr=5000%512=392

page_address=(5000>>9)=9

于是我們可以知道5000這個(gè)地址是在第9頁(yè)的第392個(gè)字節(jié)處，于是我們的NF_read函數(shù)將這樣發(fā)送命令和參數(shù)

column_addr=5000%512;

page_address=(5000>>9);

NF_CMD=0x01; //要從2nd half開(kāi)始讀取 所以要發(fā)送命令0x01

NF_ADDR= column_addr &0xff; //1st Cycle A[7:0]

NF_ADDR=page_address& 0xff

NF_ADDR=(page_address>>8)&0xff; //3rd.Cycle A[24:17]

NF_ADDR=(page_address>>16)&0xff; //4th.Cycle A[25]

    向NandFlash的命令寄存器和地址寄存器發(fā)送完以上命令和參數(shù)之后,我們就可以從rNFDATA寄存器(NandFlash數(shù)據(jù)寄存器)讀取數(shù)據(jù)了.

我用下面的代碼進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取.

for(i=column_addr;i<512;i++)

*buf++=NF_RDDATA();

每當(dāng)讀取完一個(gè)Page之后,數(shù)據(jù)指針會(huì)落在下一個(gè)Page的0號(hào)Column(0號(hào)Byte).

//========================下面是另外一篇，差不多=====================

一、NAND flash的物理組成
NAND Flash 的數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在memory cell，一般來(lái)說(shuō)，一個(gè)cell 中只能存儲(chǔ)一個(gè)bit。這些cell 以8個(gè)或者16個(gè)為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device的位寬。這些Line會(huì)再組成Page，(NAND Flash 有多種結(jié)構(gòu)，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面內(nèi)容針對(duì)三星的K9F1208U0M)，每頁(yè)528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32個(gè)page形成一個(gè)Block(32*528B)。具體一片flash上有多少個(gè)Block視需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096個(gè)block，故總?cè)萘繛?096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用來(lái)保存ECC校驗(yàn)碼等額外數(shù)據(jù)的，故實(shí)際中可使用的為64MB。
NAND flash以頁(yè)為單位讀寫(xiě)數(shù)據(jù)，而以塊為單位擦除數(shù)據(jù)。按照這樣的組織方式可以形成所謂的三類(lèi)地址：
Column Address：Starting Address of the Register. 翻成中文為列地址，地址的低8位
Page Address ：頁(yè)地址
Block Address ：塊地址
對(duì)于NAND Flash來(lái)講，地址和命令只能在I/O[7:0]上傳遞，數(shù)據(jù)寬度是8位。

二、NAND Flash地址的表示
512byte需要9bit來(lái)表示，對(duì)于528byte系列的NAND，這512byte被分成1st half Page Register和2nd half Page Register，各自的訪問(wèn)由地址指針命令來(lái)選擇，A[7:0]就是所謂的column address（列地址），在進(jìn)行擦除操作時(shí)不需要它，why？因?yàn)橐詨K為單位擦除。32個(gè)page需要5bit來(lái)表示，占用A[13:9]，即該page在塊內(nèi)的相對(duì)地址。A8這一位地址被用來(lái)設(shè)置512byte的1st half page還是2nd half page，0表示1st，1表示2nd。Block的地址是由A14以上的bit來(lái)表示。
例如64MB（512Mb）的NAND flash（實(shí)際中由于存在spare area,故都大于這個(gè)值），共4096block，因此，需要12個(gè)bit來(lái)表示，即A[25:14]，如果是128MB(1Gbit) 的528byte/page的NAND Flash，則block address用A[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示為： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址傳送順序是Column Address,Page Address,Block Address。
由于地址只能在I/O[7:0]上傳遞，因此，必須采用移位的方式進(jìn)行。 例如，對(duì)于512Mbit x8的NAND flash，地址范圍是0~0x3FF_FFFF，只要是這個(gè)范圍內(nèi)的數(shù)值表示的地址都是有效的。 以NAND_ADDR 為例：
第1 步是傳遞column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可傳遞到I/O[7:0]上，而halfpage pointer即A8 是由操作指令決定的，即指令決定在哪個(gè)halfpage 上進(jìn)行讀
寫(xiě)，而真正的A8 的值是不需程序員關(guān)心的。
第2 步就是將NAND_ADDR 右移9位，將NAND_ADDR[16:9]傳到I/O[7:0]上；
第3 步將NAND_ADDR[24:17]放到I/O上；
第4步需要將NAND_ADDR[25]放到I/O上；
因此，整個(gè)地址傳遞過(guò)程需要4 步才能完成，即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是32MB（256Mbit）以下，那么，block adress最高位只到bit24，因此尋址只需要3步。
下面，就x16 的NAND flash 器件稍微進(jìn)行一下說(shuō)明。 由于一個(gè)page 的main area 的容量為256word，仍相當(dāng)于512byte。但是，這個(gè)時(shí)候沒(méi)有所謂的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就變得沒(méi)有意義了，也就是這個(gè)時(shí)候 A8 完全不用管，地址傳遞仍然和x8 器件相同。除了，這一點(diǎn)之外，x16 的NAND使用方法和 x8 的使用方法完全相同。