卷首語：當(dāng)我們還在懷念十年前DIY黃金時(shí)代的時(shí)候，電腦硬件行業(yè)已經(jīng)一日千里。年終回眸一瞥，竟有了物是人非的感慨。于是乎，心里又有了這樣一連串的疑問：什么是DIY？什么才是你心中真正的DIY？它從什么時(shí)候開始進(jìn)入了你的生活，又是怎樣變成了現(xiàn)在的樣子？這些問題我們或許能答得出來，或許需要一點(diǎn)時(shí)間來回味，又或許難以找到一個(gè)合理的答案。誠如人們所說，一千個(gè)人心目中會(huì)有一千個(gè)哈姆雷特。而我們所希望的，是您能在我們此次的年終系列回顧里，找到您心目中最適合的答案。 DIY年度回顧系列之：內(nèi)存硬盤篇 　　內(nèi)存（Memory）和硬盤（Hard Disc Drive）是目前電腦中最主要的存儲(chǔ)設(shè)備，其中內(nèi)存是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁，主要用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)以及與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)；而硬盤則是最重要的外部存儲(chǔ)器，我們幾乎所有的數(shù)據(jù)都是通過它來存儲(chǔ)的。 DIY年度回顧系列：存儲(chǔ)市場(chǎng)回顧與展望 　　硬盤和內(nèi)存作為存儲(chǔ)行業(yè)中的重要組成部分，經(jīng)常會(huì)受到市場(chǎng)供求關(guān)系、工廠產(chǎn)能、渠道環(huán)節(jié)、人為炒作等因素影響，導(dǎo)致市場(chǎng)價(jià)格起伏不定。那么，2010年的內(nèi)存和硬盤市場(chǎng)表現(xiàn)情況究竟如何，2011年其又將有哪些市場(chǎng)變化呢？ 2010年存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)回顧： 內(nèi)存市場(chǎng)分析： 　　先看內(nèi)存方面，2010年4月份是內(nèi)存價(jià)格在去年一年里的巔峰時(shí)期，當(dāng)時(shí)主流品牌的2G DDR2內(nèi)存漲到了350元左右，而2G DDR3內(nèi)存更是上升到了370元高位，可以說當(dāng)時(shí)許多的內(nèi)存炒貨商都對(duì)這個(gè)漲勢(shì)持樂觀狀態(tài) 數(shù)據(jù)來自PConline廣州三大件報(bào)價(jià)《點(diǎn)擊進(jìn)入頻道查看》 　　不過好景不長，從2010年6月份開始，2G DDR3內(nèi)存的價(jià)格就不斷下跌，到第三季度末已經(jīng)跟2G DDR2內(nèi)存的價(jià)格基本持平，而目前價(jià)格已經(jīng)比2G DDR2內(nèi)存低了幾十元，再加上新一代的處理器和主板都取消了對(duì)DDR2的支持，可以說DDR3內(nèi)存已經(jīng)完全取代了DDR2內(nèi)存成為新裝機(jī)的首選。 新一代主板不支持DDR2內(nèi)存《點(diǎn)擊查看：2011年主板行業(yè)展望》 硬盤市場(chǎng)分析： 　　再看硬盤方面，2010年500G以上的大容量硬盤價(jià)格下降非常明顯。經(jīng)過1年的降價(jià)，現(xiàn)在最便宜的500G硬盤僅為255元，320G和250G硬盤可以說已經(jīng)完全沒有了價(jià)格優(yōu)勢(shì)；而熱門的1TB硬盤售價(jià)僅不足400元，去年同期這個(gè)價(jià)格只能買到500GB硬盤，可謂非常超值；同時(shí)3TB超大容量硬盤的上市也使用戶們有了新的選擇。 1TB硬盤成為裝機(jī)主流之選 　　隨著日常應(yīng)用中軟件、文件的體積不斷增加，用戶對(duì)硬盤容量的需求也不斷在增加。雖然在目前來說，大多數(shù)人的硬盤容量還沒有超過2TB，但是各大品牌的3TB超大容量硬盤已經(jīng)正式登場(chǎng)。與此同時(shí)，售價(jià)降至400元內(nèi)、采用性能更強(qiáng)的單碟500GB設(shè)計(jì)的1TB硬盤也成為了裝機(jī)市場(chǎng)的主流之選。 固態(tài)硬盤市場(chǎng)預(yù)估值 　　另外不得不說的就是固態(tài)硬盤了，相比較2009年，2010年的固態(tài)硬盤市場(chǎng)可以說得到了快速發(fā)展。隨著閃存顆粒原廠制程方面的進(jìn)步，產(chǎn)量的提升，固態(tài)硬盤的成本在逐漸下降，同時(shí)新一代Windows 7系統(tǒng)對(duì)固態(tài)硬盤性能和壽命方面的技術(shù)進(jìn)行了更好的改善，目前固態(tài)硬盤在市場(chǎng)上的接受度已經(jīng)比2008年、2009年高了很多。 　　總的來看，2010年可以說是整個(gè)PC存儲(chǔ)行業(yè)的變革之年。回望2010年，我們可以看到內(nèi)存和硬盤業(yè)界推出了眾多的新技術(shù)和新產(chǎn)品，同時(shí)也發(fā)生了許多熱點(diǎn)事件，包括：2G DDR3內(nèi)存和大容量硬盤價(jià)格頻繁下跌，3TB大容量硬盤推出以及混合硬盤上市等等，可以說都給近幾年發(fā)展緩慢的存儲(chǔ)行業(yè)帶來了新的改變，注入了新的動(dòng)力。 回顧與展望系列其他文章：（不斷更新中） 《DIY年度回顧系列：顯示器市場(chǎng)回顧與展望》 《DIY年度回顧系列：主板市場(chǎng)回顧與展望》 《DIY年度回顧系列：鍵鼠市場(chǎng)回顧與展望》 《DIY年度回顧系列：顯卡市場(chǎng)回顧與展望》

2010年存儲(chǔ)行業(yè)產(chǎn)品回顧：

硬盤容量極限之路：各品牌3TB硬盤上市

　　繼希捷在去年率先推出外置3TB移動(dòng)硬盤、西部數(shù)據(jù)推出3TB綠盤之后，日立在2010年下半年也推出了3TB超大容量硬盤?？梢哉f3TB硬盤的時(shí)代已經(jīng)來臨，將對(duì)我們現(xiàn)有的電腦平臺(tái)發(fā)出沖擊。

三大硬盤廠商均已推出3TB硬盤（點(diǎn)擊圖片進(jìn)入詳細(xì)文章）

　　不過，并不是人人都可以享用到3TB的容量。由于DOS時(shí)代遺留下來的邏輯塊尋址模式（LBA）設(shè)計(jì)無法尋址2.1TB容量以上的硬盤容量，因此，這些3TB硬盤上使用的是Long LBA尋址技術(shù)，這種技術(shù)增加了用于尋址硬盤存儲(chǔ)空間的地址字節(jié)數(shù)?？墒桥f有的Windows XP等操作系統(tǒng)并不原生支持這種新的尋址模式，因此到目前為止只有Windows Vista/7 64位系統(tǒng)和修改版的Linux系統(tǒng)用戶才可以正常使用這種硬盤。

硬盤發(fā)展新思路：會(huì)“學(xué)習(xí)”的混合硬盤

帶閃存的混合硬盤（點(diǎn)擊圖片進(jìn)入詳細(xì)文章）

　　混合硬盤(HHD)，又被稱作固態(tài)混合硬盤(SSHD)，可以看作是介于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(HDD)和固態(tài)硬盤(SSD)之間的一種產(chǎn)品，其將閃存模塊直接整合到機(jī)械硬盤上，不僅在具備普通機(jī)械硬盤原有大容量的同時(shí)還能提供更快速的讀寫速度，而且還可以通過不斷的“學(xué)習(xí)”進(jìn)一步提高性能。

混合硬盤奇特的“學(xué)習(xí)”能力（點(diǎn)擊圖片進(jìn)入詳細(xì)文章）

　　這就是混合硬盤奇特的“學(xué)習(xí)”能力了，其具備的Adaptive Memory自適應(yīng)性存儲(chǔ)技術(shù)可以實(shí)時(shí)對(duì)硬盤文件的使用頻率進(jìn)行監(jiān)測(cè)和分析，并把使用頻率較高的文件復(fù)制到閃存中，以便快速進(jìn)行重新調(diào)用，從而達(dá)到加快硬盤讀寫性能的目的。從這里我們也可以看出，內(nèi)置的4GB閃存模塊并不是關(guān)鍵所在，Adaptive Memory自適應(yīng)性存儲(chǔ)技術(shù)才是決定混合硬盤性能高低的核心。

高性能存儲(chǔ)新選擇：消費(fèi)級(jí)PCI-E接口固態(tài)硬盤

（點(diǎn)擊圖片進(jìn)入詳細(xì)文章）

　　隨著固態(tài)硬盤性能不斷的提高，主流的SATA 3Gbps接口已經(jīng)難以繼續(xù)發(fā)揮固態(tài)硬盤在傳輸速度上的性能優(yōu)勢(shì)，而擁有更高帶寬的PCI-E接口顯然是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，只是采用這種方案的產(chǎn)品一般都面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用，在價(jià)格上比較昂貴。2010年OCZ就推出了一款不僅采用了帶寬更高的PCI-E x4接口設(shè)計(jì)，同時(shí)還在內(nèi)部采用兩顆SandForce SF-1200主控組建了RAID 0陣列的消費(fèi)級(jí)PCI-E接口固態(tài)硬盤。

2011年存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)展望：

內(nèi)存將走進(jìn)30nm制程時(shí)代

　　總體上看，2011年下半年大部分內(nèi)存芯片廠商將使用各種基于30nm技術(shù)的制程來制造內(nèi)存芯片產(chǎn)品。三星和Hynix正在積極向30nm制程遷移。更有趣的是，日本爾必達(dá)公司則正在計(jì)劃從65nm或65nm的縮減版制程一步跳躍到30nm節(jié)點(diǎn)制程，轉(zhuǎn)換完成后，爾必達(dá)內(nèi)存芯片產(chǎn)品的成本將大幅降低。

晶圓

韓國廠商壟斷內(nèi)存芯片市場(chǎng)

　　從市場(chǎng)角度看，與NAND閃存市場(chǎng)眾商家實(shí)力接近的局面有所不同，內(nèi)存市場(chǎng)很有可能會(huì)呈現(xiàn)出韓國廠商獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷的局面。目前，僅有韓國的三星和Hynix公司可以稱為一級(jí)內(nèi)存廠商，而鎂光，南亞，華亞則因財(cái)力，技術(shù)實(shí)力方面稍遜一籌而排在第二集團(tuán)；爾必達(dá)，力晶，瑞晶等財(cái)力和技術(shù)實(shí)力較落后，并正試圖趕上的廠商則排在第三集團(tuán)。

顆粒

　　三星目前無疑是DRAM內(nèi)存界的老大。他們幾乎獨(dú)霸了作為30nm制程DRAM制造的必需品之一的ASML公司生產(chǎn)的NXT液浸光刻機(jī)市場(chǎng)。這樣，2011年將是三星市場(chǎng)份額大增的一年，相比全球DRAM容量產(chǎn)量增長45-50%的幅度，三星公司的增長幅度可達(dá)70%左右。

業(yè)界對(duì)內(nèi)存行業(yè)2011年發(fā)展預(yù)估

　　國外著名的Barclays公司的分析師C.J. Muse匯總了近期內(nèi)存市場(chǎng)的最新信息，并對(duì)2011年的內(nèi)存市場(chǎng)態(tài)勢(shì)做了預(yù)測(cè)，表示2011年將是NAND閃存而不是DRAM內(nèi)存大行其道的一年。

　　iSuppli DRAM和內(nèi)存部高級(jí)分析師麥克哈羅德表示，經(jīng)過了2010年的良好發(fā)展，今年DRAM市場(chǎng)可能會(huì)遇到麻煩。隨著產(chǎn)品的供過于求，今年價(jià)格的將會(huì)嚴(yán)重下滑，DRAM的產(chǎn)品需求的萎縮狀況將會(huì)持續(xù)到2013年，未來一段時(shí)間該產(chǎn)品的價(jià)格將無望回歸到去年的水平。

宇瞻科技內(nèi)存產(chǎn)品

　　而全球知名的內(nèi)存品牌廠商宇瞻科技標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品事業(yè)處處長羅雪茹女士在接受采訪時(shí)也表示：“2011年對(duì)內(nèi)存行業(yè)的最大考驗(yàn)是要如何掌握需求的變化來彈性的調(diào)整庫存的消化速度。對(duì)于2010年內(nèi)存行情的虎頭蛇尾加上諸多的全球經(jīng)濟(jì)不確定因素，使得2011年的操作層面進(jìn)一步加深，必須更趨保守。”

NAND Flash市場(chǎng)前景一片看好

　　而與此相反的是，2011年NAND Flash市場(chǎng)則前景一片看好，需求量將會(huì)樂觀成長。專業(yè)人士預(yù)估2011年NAND Flash位需求成長率較2010年成長約80.2%至9,281.4M 16Gb equiv (數(shù)據(jù)源：集邦科技)，主要是消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求量的提升，讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)變得更加火熱。

鎂光閃存顆粒

　　同時(shí)，蘋果效應(yīng)產(chǎn)生的作用將會(huì)使得2011年全球NAND閃存供應(yīng)繼續(xù)吃緊。根據(jù)DRAMeXchange的調(diào)查，2011年平板電腦的整體市場(chǎng)將大幅提升至將近5,200萬臺(tái)，無論iPad會(huì)占據(jù)多大的份額，對(duì)NAND閃存的需求量都不會(huì)下滑，這對(duì)整個(gè)閃存產(chǎn)業(yè)都是不小的沖擊。

固態(tài)硬盤2011年將迎來快速發(fā)展

　　近日，存儲(chǔ)解決方案廠商OCZ Technology宣布，它們將退出DRAM產(chǎn)品的業(yè)務(wù)，專注于固態(tài)硬盤（SSD）產(chǎn)品的研發(fā)和銷售。OCZ一直以高端的DRAM/內(nèi)存產(chǎn)品而聞名于業(yè)界，雖然近年來已經(jīng)擴(kuò)大其產(chǎn)品線例如冷卻裝置和電源產(chǎn)品等，但DRAM依然是占相當(dāng)大比重的產(chǎn)品，如今OCZ宣布退出DRAM轉(zhuǎn)向SSD，可見其對(duì)SSD市場(chǎng)的看好程度。

　　OCZ表示，SSD的收入增長迅速，目前已經(jīng)達(dá)到公司總收入的78%，增長速度為325%，已經(jīng)超過所有其它類別的產(chǎn)品，因此這促使他們決定停止DRAM業(yè)務(wù)，并退出市場(chǎng)。

固態(tài)硬盤迎來快速發(fā)展