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共基極（Common-Base Configuration）的基本放大電路，如圖1所示，
圖 1
主要應用在高頻放大或振蕩電路，其低輸入阻抗及高輸出阻抗的特性也可
作阻抗匹配用。電路特性歸納如下：輸入端（EB之間）為正向偏壓，因此輸入阻抗低（約20～200 ）；輸
出端（CB之間）為反向偏壓，因此輸出阻抗高（約100k～1M ）。
電流增益：
雖然AI小于1，但是RL / Ri很大，因此電壓增益相當高。
功率增益 ，由于AI小于1，所以功率增益不大。
共發(fā)射極放大電路與特性
圖2共發(fā)射極放大組態(tài)的簡化電路
共射極（Common-Emitter的
放大電路，如圖2所示。
圖 2
因具有電流
與電壓放大增益，所以廣泛應用在放
大器電路。其電路特性歸納如下：
輸入與輸出阻抗中等
（Ri約1k～5k ；RO約50k）。
電流增益：
電壓增益：
 負號表示輸出信號與輸入信號反相（相位差180°）。
共集電極（Common-Collector）接法的放大電路，如圖3所示，
圖 3
高輸入阻抗及低輸出阻抗的特性可作阻抗匹配
用，以改善電壓信號的負載效應。其
電路特性歸納如下：
輸入阻抗高（Ri約20 k ）；輸出阻抗低（RO約20 ）。
電壓增益：  電壓增益等于1，表示射極的輸出信號追隨著基極的輸入信號，所以共 集極放大器又稱為射極隨耦器（emitter follower）。 功率增益 Ap = AI × Av≈β ，功率增益低。
| 晶體管接法 |
電流增益 |
電壓增益 |
輸入阻抗 |
輸出阻抗 |
應用電路 |
| 共發(fā)射極 |
β》1 |
Aν＞1
反相放大 |
中 |
中高 |
信號放大器 |
| 共基極 |
α≤1
最小 |
Aν＞1
最大 |
最低 |
最高 |
高頻電路
高頻響應好 |
| 共集電極 |
γ＞1
最大 |
Aν≤1
最小 |
最高 |
最低 |
阻抗匹配
射極跟隨器 |
共發(fā)射極放大電路偏壓
圖4 自給偏壓方式 此電路不穩(wěn)定
又稱為基極偏壓電路
最簡單的偏壓電路
容易受β值的變動影響
溫度每升高10°C時，逆向飽和電流ICO增加
一倍
溫度每升高1°C時，基射電壓VBE減少2.5mV
β隨溫度升高而增加(影響最大)
圖5 射極加上電流反饋電阻 改善特性 自給偏壓方式 但還是不太穩(wěn)定
圖6
此為標準低頻信號放大原理圖電路路,見圖6，其R1（下拉電阻）及R2為三極管偏壓電阻（這種偏壓叫做分壓式偏置）
為三極管基極提供必要偏置電流,R3為負載電阻，R4為電流反饋電阻（改善特性），C3為旁路電容，C1及C3為三極管輸入及輸出隔直流電容（直流電受到阻礙）,信號放大值則為R3/R4倍數.設計上注意:晶體三極管Ft值需高于信號放大值與工作頻率相乘積,選擇適當三極管集電極偏壓、以避免大信號上下頂部失真,注意C1及C3的容量大小對低頻信號(尤其是脈波)有影響.在R4并聯(lián)一個C2，放大倍數就會變大。而在交流時C2將R4短路。
為什么要接入R1及R4?
因為三極管是一種對溫度非常敏感的半導體器件，溫度變化將導致集電極電流的明顯改變。溫度升高，集電極電流增大；溫度降低，集電極電流減小。這將造成靜態(tài)工作點的移動，有可能使輸出信號產生失真。在實際電路中，要求流過R1和R2串聯(lián)支路的電流遠大于基極電流IB。這樣溫度變化引起的IB的變化，對基極電位就沒有多大的影響了，就可以用R1和R2的分壓來確定基極電位。采用分壓偏置以后，基極電位提高，為了保證發(fā)射結壓降正常，就要串入發(fā)射極電阻R4。
R4的串入有穩(wěn)定工作點的作用。如果集電極電流隨溫度升高而增大，則發(fā)射極對地電位升高，因基極電位基本不變，故UBE減小。從輸入特性曲線可知，UBE的減小基極電流將隨之下降，根據三極管的電流控制原理，集電極電流將下降，反之亦然。這就在一定程度上穩(wěn)定了工作點。分壓偏置基本放大電路具有穩(wěn)定工作點的作用，這個電路具有工作點穩(wěn)定的特性。當流過R1和R2串聯(lián)支路的電流遠大于基極電流IB（一般大于十倍以上）時，可以用下列方法計算工作點的參數值
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圖7 PNP三極管共射放大電路
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