內(nèi)存芯片識(shí)別方法

1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)；
GM72V*****1**T**
GM為L(zhǎng)GS產(chǎn)品；
72為SDRAM；
第1，2個(gè)*代表容量，16為16Mbit，66為64Mbit；
第3，4個(gè)*代表數(shù)據(jù)位寬，一般為4，8，16等，不補(bǔ)0；
第5個(gè)*代表bank，2代表2個(gè)，4代表4個(gè)；
第6個(gè)*代表是第幾個(gè)版本的內(nèi)核；
第7個(gè)*如果是L就代表低功耗，空白為普通；
“T”為TSOP II封裝；“I”為BLP封裝；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz)
7：7.5ns(133MHz)
8：8ns(125MHz)
7K：10ns(PC100 CL2&3)
7J：10ns(PC100 CL3)
10K：10ns(100MHz)
12：12ns(83MHz)
15：15ns(66MHz)

2．Hyundai：現(xiàn)代的SDRAM芯片的標(biāo)識(shí)
HY5*************-**
HY為現(xiàn)代產(chǎn)品，
5*表示芯片類型，57為SDRAM，5D為DDR SDRAM；
第2個(gè)*代表工作電壓，空白為5伏，“V”為3；3伏，“U”為2；5伏；
第3-5個(gè)*代表容量和刷新速度：
16：16Mbit，4k Ref
64：64Mbit，8k Ref
65：64Mbit，4k Ref
128：128Mbit，8k Ref
129：128Mbit，4k Ref
256：256Mbit，16k Ref
257：256Mbit，8K Ref
第6，7個(gè)*代表數(shù)據(jù)位寬，40，80，16，32分別代表4位，8位，16位和32位；
第8個(gè)*代表bank，1，2，3分別為2，4，8個(gè)bank；
第9個(gè)*一般為0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口；
第10個(gè)*可為空白或A，B，C，D等，代表內(nèi)核，越往后越新；
第11個(gè)*如為L(zhǎng)則為低功耗，空白為普通；
第12，13個(gè)*代表封裝形式；
最后幾位為速度：
7：7ns(143MHz)
8：8ns(133MHz)
10P：10ns(PC100 CL2/3)
10S：10ns(Pc100 CL3)
10：10ns(100MHz)
12：12ns(83MHz)
15：15ns(66MHz)

3．Micron： Micron的SDRAM芯片的標(biāo)識(shí)；
MT48****M**A*TG-***
MT為Micron的產(chǎn)品；
48代表SDRAM，其后的**如為L(zhǎng)C則為普通SDRAM；
M后的**表示數(shù)據(jù)的位寬；4，8，16，32分別代表4位，8位，16位和32位；
Micron的容量要自己算一下，將M前的**和其后的**相乘，得到的結(jié)果為容量；
A*代表write recovery（tWR），如A2表示tWR=2clk
TG為TSOP II 封裝，LG為TGFP封裝；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz)
75：7.5ns(133MHz)
8*：8ns(125MHz)，其中*為A-E，字母越往后越好；
10：10ns(100MHz CL=3)；
例如：MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit(8*8)，8位。  

如何根據(jù)內(nèi)存芯片標(biāo)識(shí)識(shí)別內(nèi)存(二)

---- 許多朋友都會(huì)遇到這樣一個(gè)問(wèn)題，在購(gòu)買內(nèi)存時(shí)不知如何識(shí)別內(nèi)存的品牌、類型、容量、速度等參數(shù)。許多人都認(rèn)為內(nèi)存不經(jīng)過(guò)主板或?qū)Ｓ脵z測(cè)儀檢測(cè)難于識(shí)別，在此我們特為大家提供如下解讀內(nèi)存條的方法。鑒于篇幅限制，這里僅以市場(chǎng)上最常見(jiàn)的現(xiàn)代內(nèi)存、LG內(nèi)存以及KingMax內(nèi)存為例進(jìn)行說(shuō)明。  

一、現(xiàn)代SDRAM內(nèi)存芯片的識(shí)別  

---- 現(xiàn)代(HYUNDAI)公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標(biāo)識(shí)格式如下:  

HY 5X X    XXX XX X X X X XX - XX  
    ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨     ⑩  

---- “HY”表明是現(xiàn)代的產(chǎn)品。  

---- ①代表的是內(nèi)存芯片種類: “51”為EDO，“57”為SDRAM，“5D”為DDR SDRAM。  

---- ②代表工作電壓: “U”為2.5V，“V”為3.3V，空白代表5V。  

---- ③代表一個(gè)內(nèi)存芯片的密度和刷新速度: 其編號(hào)與密度及刷新速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如表1所示。  

---- ④代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分別代表輸出數(shù)據(jù)位寬為4位、8位、16位和32位。  

---- ⑤代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成: 其中“1”、“2”、“3”分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank。  

---- ⑥代表內(nèi)存接口: 一般為“0”，代表LVTTL接口。  

---- ⑦代表內(nèi)存版本號(hào): 空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。  

---- ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片，空白表示為正常功耗芯片。  

---- ⑨代表封裝類型: 其編號(hào)與封裝類型的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:  


“JC”: 400mil SOJ
“TC”: 400mil TSOP-Ⅱ
“TD”: TSOP-Ⅱ
“TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD

---- ⑩代表速度: 其編號(hào)與速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:  

“7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10p”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“10s”: 10ns(PC-100 CL3)
“10”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz)

二、LG SDRAM內(nèi)存芯片的識(shí)別  

---- LG公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標(biāo)識(shí)格式如下:  

GM72V XX XX X X X X X XX  
    ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧  

---- “GM”代表LG的產(chǎn)品。  

---- “72”代表SDRAM。  

---- “V”代表工作電壓為3.3V。  

---- ①代表一個(gè)內(nèi)存芯片的密度和刷新速度: 其編號(hào)與密度及刷新速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如表2所示。  

---- ②代表數(shù)據(jù)位寬: 其中“4”、“8”、“16”分別代表4位、8位、16位等。  

---- ③代表內(nèi)存芯片內(nèi)部Bank: 其中“2”表示2個(gè)Bank，“4”表示4個(gè)Bank。  

---- ④代表內(nèi)存接口: “1”代表LVTTL。  

---- ⑤代表內(nèi)核版本。  

---- ⑥代表功耗: 其中“L”代表低功耗，空白則代表常規(guī)功耗。  

---- ⑦代表封裝類型: “T”表明是TSOP-Ⅱ封裝，如果是“I”則代表BLP封裝。  

---- ⑧代表速度: 其編號(hào)與速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:  


“75”: 7.5ns(133MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“7K”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“7J”: 10ns(100MHz)
“10K”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz)

三、KingMax SDRAM內(nèi)存芯片的識(shí)別  

---- KingMax公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標(biāo)識(shí)格式如下:  

KM X XX S XX X X X X X - X XX  
    ① ②     ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧     ⑨ ⑩  

---- “KM”表示KingMax的產(chǎn)品。  

---- ①代表內(nèi)存芯片種類: “4”代表DRAM。  

---- ②代表內(nèi)存芯片組成個(gè)數(shù): “4”代表×4，“8”代表×8，“16”代表×16。  

---- “S”表明是SDRAM。  

---- ③代表一個(gè)內(nèi)存芯片密度: “1”代表1Mbit，“2”代表2Mbit，“4”代表4Mbit，“8”代表8Mbit，“16”代表16Mbit。  

---- ④代表刷新速度: “0”代表4K Ref，“1”代表2K Ref，“2”代表8K Ref。  

---- ⑤代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成: “2”代表2個(gè)Bank，3代表4個(gè)Bank。  

---- ⑥代表內(nèi)存接口: “0”代表LVTTL，“1”代表SSTL。  

---- ⑦代表內(nèi)存版本: 空白代表第1代，“A”代表第2代，“B”代表第3代。  

---- ⑧代表封裝類型: “T”代表封裝類型為TSOP-Ⅱ。  

---- ⑨代表電源供應(yīng)方式: “G”代表自動(dòng)刷新，“F”代表低電壓自動(dòng)刷新。  

---- ⑩代表最少存取周期(最高頻率): 其編號(hào)與速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:  

“7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10”: 10ns(100MHz)
“H”: 100MHz@CAS值為2
“L”: 100MHz@CAS值為3

---- 例如內(nèi)存標(biāo)識(shí)為“KM416S16230A-G10”指的是KingMax的16Mbit×16 =256Mbit SDRAM內(nèi)存芯片，刷新為8K Ref，內(nèi)存Bank為3，內(nèi)存接口為L(zhǎng)VTTL，第2代內(nèi)存，自動(dòng)刷新，速度是10ns(100MHz)。   

內(nèi)存編號(hào)識(shí)別(三)

      內(nèi)存作假主要是以低速內(nèi)存冒充高速度的，以低容量?jī)?nèi)存冒充高容量的。要

杜絕此類作假，就要學(xué)會(huì)識(shí)別內(nèi)存規(guī)格和內(nèi)存芯片編號(hào)，方法一般是看SPD芯片中

的信息和內(nèi)存芯片上的編號(hào)，前者是內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范，后者由于廠家的不同，其

編號(hào)規(guī)則也不同?！?br>　　從PC100標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)始內(nèi)存條上帶有SPD芯片，SPD芯片是內(nèi)存條正面右側(cè)的一塊8

管腳小芯片，里面保存著內(nèi)存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD

、tRP、tAC、SPD版本等信息。當(dāng)開(kāi)機(jī)時(shí)，支持SPD功能的主板BIOS就會(huì)讀取SPD中

的信息，按照讀取的值來(lái)設(shè)置內(nèi)存的存取時(shí)間。我們可以借助SPDinfo這類工具軟

件來(lái)查看SPD芯片中的信息，例如軟件中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測(cè)

內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范。內(nèi)存技術(shù)規(guī)范統(tǒng)一的標(biāo)注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同

的內(nèi)存規(guī)范，其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM內(nèi)存標(biāo)注格式
（1）1.0---1.2版本
　　這類版本內(nèi)存標(biāo)注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示

標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即

CAS縱列存取等待時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd

（RAS相對(duì)CAS的延時(shí)），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預(yù)充電

時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)

讀取時(shí)間），一般為6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本號(hào)，所有的PC100內(nèi)

存條上都有EEPROM，用來(lái)記錄此內(nèi)存條的相關(guān)信息，符合Intel PC100規(guī)范的為

1.2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊(cè)，256MB以上的

內(nèi)存必須經(jīng)過(guò)注冊(cè)。
（2）1.2b+版本　
　　其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作

頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表

示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對(duì)CAS的延時(shí)），用時(shí)鐘周期數(shù)表示；

d表示TRP（RAS的預(yù)充電時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示；ee代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)

據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代

表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代

表DIMM已注冊(cè)，256MB以上的內(nèi)存必須經(jīng)過(guò)注冊(cè)?！?
2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內(nèi)存標(biāo)注格式　
　　威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，威盛力推的PC133規(guī)范是PC133

CAS=3，延用了PC100的大部分規(guī)范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD

；英特爾的PC133規(guī)范要嚴(yán)格一些，是PC133 CAS=2，要求內(nèi)存芯片至少7.5ns，在

133MHz時(shí)最好能達(dá)到CAS=2。
　
　　PC133 SDRAM標(biāo)注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示

標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊(cè)，U代表DIMM不含緩沖

區(qū)；c表示最小的CL（即CAS的延遲時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；d表

示RAS相對(duì)CAS的延時(shí)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示；e表示RAS預(yù)充電時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)

表示；ff代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如54代表

5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0?！?br>3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內(nèi)存標(biāo)注格式　
　　其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內(nèi)存帶寬，

單位為MB/s；a*1/16=內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，例如2100代表內(nèi)存帶寬為2100MB/s，

對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊(cè)，U

代表DIMM不含緩沖區(qū)；cc表示CAS延遲時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)表示，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)

點(diǎn)，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對(duì)CAS的延時(shí)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示；e表示RAS預(yù)

充電時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)表示；ff代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)

不帶小數(shù)點(diǎn)，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0?！?br>4、RDRAM 內(nèi)存標(biāo)注格式　
　　其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內(nèi)存容量

；b代表內(nèi)存條上的內(nèi)存顆粒數(shù)量；c代表內(nèi)存支持ECC；d保留；e代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)

傳輸率，e*1/2=內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，例如800代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率為800Mt/s

，對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為800*1/2=400MHZ?！?
5、各廠商內(nèi)存芯片編號(hào)　
　　內(nèi)存打假的方法除了識(shí)別內(nèi)存標(biāo)注格式外，還可以利用刻在內(nèi)存芯片上的編

號(hào)。內(nèi)存條上一般有多顆內(nèi)存芯片，內(nèi)存芯片因?yàn)樯a(chǎn)廠家的不同，其上的編號(hào)

也有所不同?！?br>　　由于韓國(guó)HY和SEC占據(jù)了世界內(nèi)存產(chǎn)量的多半份額，它們產(chǎn)的內(nèi)存芯片質(zhì)量穩(wěn)

定，價(jià)格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內(nèi)存，因此我們就

先來(lái)看看它們的內(nèi)存芯片編號(hào)。 (

(1）HYUNDAI（現(xiàn)代）
　
　　現(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，

其SDRAM芯片編號(hào)格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no　
　　其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品；5a表示芯片類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表

工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K

Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，

129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg

代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h

代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成（1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的

冪次關(guān)系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；j代表內(nèi)核版本

（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新）；k代表功耗（L=低功

耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-

Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns［143MHz］，

8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，

10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
　
　　例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和

4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個(gè)Bank，C是第4個(gè)版本的內(nèi)核，TC

是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。
　
　　市面上HY常見(jiàn)的編號(hào)還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中

ATC10編號(hào)的SDRAM上133MHz相當(dāng)困難；編號(hào)ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也

不行；編號(hào)BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩(wěn)定。一般來(lái)講，編號(hào)最后兩位是

7K的代表該內(nèi)存外頻是PC100，75的是PC133的，但現(xiàn)代內(nèi)存目前尾號(hào)為75的早已

停產(chǎn)，改換為T-H這樣的尾號(hào)，可市場(chǎng)上PC133的現(xiàn)代內(nèi)存尾號(hào)為75的還有很多，

這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購(gòu)買T-H尾號(hào)

的PC133現(xiàn)代內(nèi)存。
　
（2）LGS［LG Semicon］
　
　　LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的內(nèi)存芯片也很常見(jiàn)。LGS SDRAM內(nèi)存芯片編

號(hào)格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi
　
　　其中GM代表LGS的產(chǎn)品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，

66=64Mbits)；cd表示數(shù)據(jù)位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個(gè)Bank，

4=4個(gè)Bank）；f表示內(nèi)核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通

）；T代表封裝（T=常見(jiàn)的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代表速度（7.5=7.5ns［

133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100 CL2或3］，7J=10ns［100MHz］

，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。
　
　　例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個(gè)Bank，7K速

度即PC-100、CL=3。
　
　　LGS編號(hào)后綴中，7.5是PC133內(nèi)存；8是真正的8ns PC 100內(nèi)存，速度快于

7K/7J；7K和7J屬于PC 100的SDRAM，兩者主要區(qū)別是第三個(gè)反應(yīng)速度的參數(shù)上，

7K比7J的要快，上133MHz時(shí)7K比7J更穩(wěn)定；10K屬于非PC100規(guī)格的，速度極慢，

由于與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來(lái)賣。
　
（3）Kingmax(勝創(chuàng))
　
　　Kingmax的內(nèi)存采用先進(jìn)的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內(nèi)存都采用TSOP封

裝。采用TinyBGA封裝的內(nèi)存，其大小是TSOP封裝內(nèi)存的三分之一，在同等空間下

TinyBGA封裝可以將存儲(chǔ)容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱

體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩(wěn)

定性，不過(guò)Kingmax內(nèi)存與主板芯片組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內(nèi)存

在某些KT133主板上竟然無(wú)法開(kāi)機(jī)。
　
　　Kingmax SDRAM內(nèi)存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內(nèi)存(下圖)

實(shí)際上是能上150外頻且能穩(wěn)定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內(nèi)存條，該

類型內(nèi)存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X芯片組主板兼容問(wèn)題，因此要好于

REV1.1版本。購(gòu)買Kingmax內(nèi)存時(shí)，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是

8ns的Kingmax PC100內(nèi)存打磨成7ns的PC133或PC150內(nèi)存，所以你最好用SISOFT

SANDRA2001等軟件測(cè)試一下內(nèi)存的速度，注意觀察內(nèi)存上字跡是否清晰，是否有

規(guī)則的刮痕，芯片表面是否發(fā)白等，看看芯片上的編號(hào)。
　
　　KINGMAX PC150內(nèi)存采用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提

升，即使你用它工作在PC133，其速度也會(huì)比一般的PC133內(nèi)存來(lái)的快；Kingmax的

PC133內(nèi)存芯片是-7的，例如編號(hào)KSV884T4A1A-07；而PC100內(nèi)存芯片有兩種情況

：部分是-8的（例如編號(hào)KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號(hào)KSV884T4A0-

07）。其中KINGMAX PC133與PC100的區(qū)別在于：PC100的內(nèi)存有相當(dāng)一部分可以超

頻到133，但不是全部；而PC133的內(nèi)存卻可以保證100%穩(wěn)定工作在PC133外頻下（

CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵風(fēng)金條)
　
　　金邦金條分為'金、紅、綠、銀、藍(lán)'五種內(nèi)存條，各種金邦金條的SPD均是確

定的，對(duì)應(yīng)不同的主板。其中紅色金條是PC133內(nèi)存；金色金條Ｐ針對(duì)PC133服務(wù)

器系統(tǒng)，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內(nèi)存；藍(lán)A色金條針對(duì)AMD750/760

K7系主板，面向超頻玩家；藍(lán)V色金條針對(duì)KX133主板；藍(lán)T色金條針對(duì)KT-133主板

；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內(nèi)存。
　
　　金邦內(nèi)存芯片編號(hào)例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
　
　　其中GL2000代表芯片類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金

SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產(chǎn)品；6代表產(chǎn)品家族（6=SDRAM）；LC代表處理

工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是

設(shè)備號(hào)碼（深度*寬度，內(nèi)存芯片容量 = 內(nèi)存基粒容量 * 基粒數(shù)目 = 16 * 8 =

128Mbit，其中16 = 內(nèi)存基粒容量；8 = 基粒數(shù)目；M = 容量單位，無(wú)字母=Bits

，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54

針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13
FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA

，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP

（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時(shí)間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內(nèi)部標(biāo)識(shí)

號(hào)。以上編號(hào)表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V
Vdd CMOS制造工藝，7ns、143MHz速度。
　
（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
　
　　 三星EDO DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416C254D表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表

RAM種類（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（1=x1[以1的倍數(shù)為單位]、4=x4、

8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內(nèi)存密度256Kbit（256

[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）

；D代表內(nèi)存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星

256Kbit*16=4Mb內(nèi)存。
　
　　三星SDRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內(nèi)存；4代

表RAM種類（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）

；S代表SDRAM；16代表內(nèi)存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M

、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內(nèi)存排數(shù)（2=2排

、3=4排）；0代表內(nèi)存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內(nèi)存版本（空白=第1代

、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應(yīng)（G=自動(dòng)刷新、F=低電壓自動(dòng)刷新）；10

代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H

= 100 MHz @ CAS值為2、L = 100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計(jì)算

一下，方法是用'S'后的數(shù)字乘S前的數(shù)字，得到的結(jié)果即為容量，即三星

16M*16=256Mbit SDRAM內(nèi)存芯片，刷新為8K，內(nèi)存Banks為3，內(nèi)存接口LVTTL，第

2代內(nèi)存，自動(dòng)刷新，速度是10ns(100 MHz)。
　
三星PC133標(biāo)準(zhǔn)SDRAM內(nèi)存芯片格式如下：
　
　　Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
　　Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
　　三星DDR同步DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416H4030T表示：KM表示三星內(nèi)存；4代

表RAM種類（4=DRAM）；16表示內(nèi)存芯片組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32

）；H代表內(nèi)存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內(nèi)存密

度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 =

256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K

[15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μ

s]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示內(nèi)存排數(shù)（3=4排、4=8排）；0代表接口電

壓（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66

針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz

(400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z =

7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz

(200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內(nèi)存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新時(shí)間0 =

64m/4K (15.6μs)，內(nèi)存芯片排數(shù)為4排（兩面各兩排），接口電壓

LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。
　
　　三星RAMBUS DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM418RD8C表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表

RAM種類（4=DRAM）；18代表內(nèi)存芯片組成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示

產(chǎn)品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內(nèi)存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M

、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉(zhuǎn)CSP]、W = WL

-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，

BGA封裝，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）
　
　　Micron公司是世界上知名內(nèi)存生產(chǎn)商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內(nèi)存

條），其SDRAM芯片編號(hào)格式為：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
　
　　其中MT代表Micron的產(chǎn)品；48代表產(chǎn)品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR

SDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，

V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef設(shè)備號(hào)碼（深度*寬度），無(wú)字母=Bits，K=Kilobits

（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數(shù)

據(jù)位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery

［Twr］(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，

F=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13 FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，

FQ=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，

R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，

空白=普通）；hj代表速度，分成以下四類：
　
（A）DRAM
　
　　-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns
　　SDRAM，x32 DDR SDRAM（時(shí)鐘率 @ CL3）
　　-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-

7x+=143MHz，-　　　65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz
　　DDR SDRAM（x4，x8，x16）時(shí)鐘率 @ CL=2.5
　　-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
　
（B）Rambus（時(shí)鐘率）
　
　　-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns

，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns
　　+的含義
　　-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
　　-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
　　-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
　　-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
　
（C）DDR SDRAM
　
　　-8支持PC200（CL2）
　　-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
　　-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
　　例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，

16M8=16*8MB=128MB，133MHz
　
（7）其它內(nèi)存芯片編號(hào)
　
　　NEC的內(nèi)存芯片編號(hào)例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產(chǎn)品

；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數(shù)據(jù)位寬（4、8、16、32分別代表4位、8

位、16位、32位，當(dāng)數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時(shí)，使用兩位）；4代表Bank數(shù)（3或4

代表4個(gè)Bank，在16位和32位時(shí)代表2個(gè)Bank；2代表2個(gè)Bank）；1代表LVTTL（如

為16位和32位的芯片，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個(gè)Bank和LVTTL，3代

表4個(gè)Bank和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代表速度：在CL=3時(shí)可工作在

125MHZ下，在100MHZ時(shí)CL可設(shè)為2（80=8ns［125MHz CL 3］，10=10ns［PC100 CL

3］，10B=10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規(guī)范，12=12ns，70=[PC133]，

75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；

JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。
　
　　HITACHI的內(nèi)存芯片編號(hào)例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產(chǎn)品；52

是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數(shù)據(jù)位寬

（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個(gè)版本的內(nèi)核（現(xiàn)在至

少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；

B60代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，A60=10ns［PC-100 CL2

或3］，B60=10ns［PC-100 CL3］即100MHZ時(shí)CL是3）。
　
　　SIEMENS（西門子）內(nèi)存芯片編號(hào)格式為：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab

為容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz［

CL3］，10=100MHz［PC66規(guī)格］）。
　
　　TOSHIBA的內(nèi)存芯片編號(hào)例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產(chǎn)品；

59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容

量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示數(shù)據(jù)位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位

、16位和32位）；B表示內(nèi)核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT后如有字母L=低功耗，

空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns

［100MHz CL=3］）。
　
　　IBM的內(nèi)存芯片編號(hào)例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產(chǎn)品；03代

表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數(shù)據(jù)位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）

；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內(nèi)核的版本；10代表速度（68=6.8ns

［147MHz］，75A=7.5NS［133MHz］，　260或222=10ns［PC100 CL2或3］，360或

322=10ns［PC100 CL3］，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3時(shí)的標(biāo)定速度為

：135MHZ，10=10NS［100MHz］。